ROHM黑馬：短路耐受能力更高且自啟動得到抑制

來源：羅姆半導體集團

ROHM在以業(yè)界最快的trr（反向恢復時間）著稱的PrestoMOS產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxMNx系列”產(chǎn)品。PrestMOS與標準的超級結(jié)MOSFET相比，trr減少約60%，從而大大降低了開關(guān)損耗，促進了白色家電和工業(yè)設(shè)備等電機驅(qū)動器和變頻器應(yīng)用的低功耗化發(fā)展。R60xxMNx系列新品是以“不僅保持現(xiàn)有R60xxFNx系列的高速trr性能，還要進一步降低導通電阻和Qg（柵極總電荷量）并降低損耗”為目標開發(fā)而成的。一般而言，導通電阻和Qg存在權(quán)衡關(guān)系，但利用ROHM獨有的工藝技術(shù)和優(yōu)化技術(shù)優(yōu)勢，實現(xiàn)了兩者的高度平衡。
※PrestoMOS是ROHM的商標。

開關(guān)損耗和傳導損耗更低

短路耐受能力是指MOSFET在短路時達到損壞程度需要的時間。一般而言，當發(fā)生短路時，會流過超出設(shè)計值的大電流，并異常發(fā)熱引起熱失控，最后可能導致?lián)p壞。要提高短路耐受能力，就涉及到與包括導通電阻在內(nèi)的性能之間的權(quán)衡。R60xxMNx系列通過優(yōu)化寄生雙極晶體管（熱失控的原因），使同樣也是電機驅(qū)動應(yīng)用中一個非常重要的課題–短路耐受能力得以提升。不僅trr速度更快，而且與競爭產(chǎn)品相比短路耐受能力大大提高。

抑制自啟動帶來的損耗

自啟動是指當關(guān)斷狀態(tài)的MOSFET的Vds急劇變化（從0V到施加電壓）時，MOSFET的寄生電容充電導致Vgs超出閾值，MOSFET短時間導通的現(xiàn)象。

這種額外的導通時間當然就成為損耗。

其典型案例是在同步整流轉(zhuǎn)換器中在低邊開關(guān)處于關(guān)斷狀態(tài)下高邊開關(guān)導通的時間點發(fā)生這種自啟動。這就需要減緩高邊開關(guān)的導通時間以抑制dV/dt，或在低邊開關(guān)的柵極-源極間增加外置電容以提高余量等外置電路對策。

而R60xxMNx系列則通過降低并優(yōu)化寄生電容，從而將自啟動帶來的損耗控制在最低程度。

審核編輯黃昊宇