功率半導(dǎo)體需求旺盛

上游晶圓產(chǎn)能緊張功率半導(dǎo)體有望漲價

功率半導(dǎo)體當(dāng)前主要由8寸晶圓生產(chǎn)線制造，功率半導(dǎo)體等產(chǎn)品的旺盛需求拉動8寸晶圓廠的產(chǎn)能緊俏，聯(lián)電、世界先進(jìn)等廠商開工率保持在接近甚至超過100%的較高水平，8寸晶圓也迎來漲價趨勢。

媒體報道，近期陸續(xù)有晶圓代工廠告知2020年4季度與2021年1季度將調(diào)漲價格，部分客戶交期由原本約2.5-3個月延長為3-4個月，甚至半年以上。功率半導(dǎo)體價格方面，根據(jù)電子發(fā)燒友網(wǎng)的報道，國內(nèi)已有兩家廠商發(fā)布漲價通知，10月開始MOS管漲幅將達(dá)20%，MOS管漲價有望逐漸蔓延至整個功率半導(dǎo)體行業(yè)。

功率半導(dǎo)體下游需求快速增長

1）發(fā)電端：新能源發(fā)電的興起對電能轉(zhuǎn)換需求更大，功率半導(dǎo)體可用作AC/DC、DC/AC轉(zhuǎn)換器，輸出穩(wěn)定高質(zhì)電能到電網(wǎng)。2）用電端：新能源電動車帶來巨大增量市場；

物聯(lián)網(wǎng)、云計算的發(fā)展對計算、存儲提出了更高的要求，云、霧數(shù)據(jù)中心的擴(kuò)容帶來了更大的電力需求；

工業(yè)自動化使用機(jī)器代替人力，電力供應(yīng)、功率轉(zhuǎn)換需求亦顯著增加；

用電設(shè)備的升級，如家電變頻化、工業(yè)電機(jī)變頻化、快充興起也為市場整體貢獻(xiàn)了顯著增量。

根據(jù)Omida，全球功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望從2020年的430億美元增長至2024年的520億美元以上，CAGR約為5%。

國產(chǎn)替代進(jìn)程加速頭部廠商充分受益

根據(jù)IHS，2019年中國市場規(guī)模為144億美元，占全球市場約36%的份額。而從國產(chǎn)化情況來看，在2017年，功率半導(dǎo)體主要器件國產(chǎn)化率均未超過50%，IGBT模組、MOSFET、晶閘管、整流器的國產(chǎn)化率更是只有30%多，國產(chǎn)替代空間廣闊。

同時由于功率半導(dǎo)體技術(shù)更迭慢，制程相對邏輯IC工藝投資力度小，技術(shù)難度低、生態(tài)要求也更低，國產(chǎn)廠商更易突破。加之國內(nèi)廠商相比國外頭部廠商收入體量和份額低，有望伴隨細(xì)分市場的高速成長帶來較大的 業(yè)績 彈性。而頭部廠商更易產(chǎn)生規(guī)模效益和更低的渠道成本，未來受益國產(chǎn)替代進(jìn)程市場份額提升將更為顯著。

國內(nèi)產(chǎn)能布局完善中高端產(chǎn)品不斷取得突破

產(chǎn)能方面：目前中國主要功率半導(dǎo)體廠商在境內(nèi)共有29條功率半導(dǎo)體產(chǎn)線，6條在建及擬建產(chǎn)線，建設(shè)充分的產(chǎn)能能夠充分支撐下游需求的快速增長，為國產(chǎn)替代建立良好的基礎(chǔ)。

中高端產(chǎn)品不斷取得突破：中高端MOSFET領(lǐng)域，國內(nèi)廠商研發(fā)及量產(chǎn)進(jìn)度不斷加快， 華潤微 聚焦車載、工控領(lǐng)域產(chǎn)品進(jìn)行研發(fā)， 聞泰科技 推出了針對5G電信基礎(chǔ)設(shè)施的高耐用的功率MOSFET產(chǎn)品超微型MOSFET和LFPAK56封裝的P溝道MOSFET.IGBT領(lǐng)域，

中車時代已在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車等多個高端領(lǐng)域得到認(rèn)可和應(yīng)用， 斯達(dá)半導(dǎo) 和 比亞迪 已在國內(nèi)新能源車IGBT領(lǐng)域占據(jù)可觀份額。第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域，聞泰科技已實(shí)現(xiàn)GaN器件量產(chǎn)，華潤微、 揚(yáng)杰科技 已實(shí)現(xiàn)SiC功率器件的產(chǎn)品送樣。

文章來源：財富動力網(wǎng)

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