0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

安森美半導(dǎo)體NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊:高功率低功耗

科訊視點(diǎn) ? 2020-10-20 20:39 ? 次閱讀

在光伏系統(tǒng)中,逆變器是必不可少的一部分,太陽能逆變器最主要的功能是把太陽能電池板所發(fā)的直流電轉(zhuǎn)化成家電使用的交流電,這一技術(shù)可以更好的達(dá)到低耗高能的能源使用目標(biāo),從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排。

就此需求,安森美半導(dǎo)體推出了新的碳化硅功率模塊,適用于太陽能逆變器的使用,目前,該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達(dá)選用于他們的M70A三相光伏組串逆變器。

安森美半導(dǎo)體的NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V,40 A SiC升壓二極管,用以解決太陽能逆變器在提升功率水平下對更高系統(tǒng)能效的需求。NXH40B120MNQ系列提供了實(shí)現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速開關(guān)特性。

安森美NXH40B120MNQ集成度高,引腳分配針對逆變器設(shè)計進(jìn)行了優(yōu)化,通過使用SiC器件,功率模塊可以提供低導(dǎo)通和開關(guān)損耗,從而支持使用更高的開關(guān)頻率,有助于提高逆變能效。另外,這些模塊可根據(jù)需求喜好,選擇無焊壓合連接和自定義的熱接口選項。

安森美半導(dǎo)體臺達(dá)光伏逆變器事業(yè)部主管Raymond Lee曾經(jīng)說過:“我們專注于提供創(chuàng)新、清潔和節(jié)能的方案,以打造更美好的明天。”如今,能約節(jié)源是電子電力技術(shù)發(fā)展的主流方向,很多公司和企業(yè)都朝著這一方向側(cè)重發(fā)展,安森美半導(dǎo)體的全SiC功率模塊也算是一個很不錯的成果,為推動如今電子領(lǐng)域的發(fā)展起到了作用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    細(xì)數(shù)安森美重磅功率器件產(chǎn)品

    由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎晚會”將于2024年12月07日在深圳隆重舉辦。安森美(onsemi)憑借領(lǐng)先的功率器件入圍國際功率器件行業(yè)卓越獎、功率器件-
    的頭像 發(fā)表于 11-08 09:32 ?117次閱讀

    功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率
    的頭像 發(fā)表于 11-05 08:02 ?702次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(三)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

    功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

    功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率
    的頭像 發(fā)表于 10-22 08:01 ?729次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(一)——<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的熱阻

    芯動半導(dǎo)體與羅姆簽署SiC車載功率模塊合作協(xié)議

    近日,長城汽車旗下的無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司(簡稱“芯動半導(dǎo)體”)與全球知名半導(dǎo)體廠商羅姆簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將以SiC為核心,共同開發(fā)車載
    的頭像 發(fā)表于 10-14 16:42 ?380次閱讀

    安森美與Entegris達(dá)成碳化硅半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

    近日,工業(yè)材料領(lǐng)域的佼佼者Entegris宣布與知名芯片制造商安森美半導(dǎo)體簽署了一項長期供應(yīng)協(xié)議。根據(jù)協(xié)議內(nèi)容,Entegris將為安森美提供制造碳化硅(SiC
    的頭像 發(fā)表于 08-09 10:39 ?427次閱讀

    功率半導(dǎo)體和寬禁半導(dǎo)體的區(qū)別

    半導(dǎo)體則由氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等材料制成。 禁帶寬度:功率半導(dǎo)體的禁帶寬度相對較窄,通常在1eV左右,而寬禁半導(dǎo)體的禁帶寬度較
    的頭像 發(fā)表于 07-31 09:07 ?353次閱讀

    安森美大手筆投資捷克,擴(kuò)建SiC功率器件制造工廠

    在全球SiC功率器件市場需求持續(xù)增長的背景下,各大廠商紛紛加大投資力度,以擴(kuò)大產(chǎn)能、提升競爭力。作為全球半導(dǎo)體行業(yè)的佼佼者,安森美(onsemi)也不例外,近日宣布在捷克共和國進(jìn)行大規(guī)
    的頭像 發(fā)表于 06-25 10:46 ?608次閱讀

    安森美投資20億美元,擴(kuò)產(chǎn)SiC

    安森美 (onsemi)將實(shí)施高達(dá) 20 億美元的多年投資計劃,鞏固其面向歐洲和全球客戶的先進(jìn)功率半導(dǎo)體供應(yīng)鏈
    的頭像 發(fā)表于 06-20 10:02 ?442次閱讀

    TMC2024丨車規(guī)級功率半導(dǎo)體論壇劇透一丨SiC模塊特色封裝與半導(dǎo)體制造技術(shù)創(chuàng)新

    制造技術(shù)瓶頸,梳理SiC功率模塊封裝技術(shù)路線迫在眉睫。第三屆新能源汽車及功率半導(dǎo)體協(xié)同創(chuàng)新技術(shù)論壇將于7月4-5日在青島召開(與TMC年會同
    發(fā)表于 06-18 15:26 ?2949次閱讀
    TMC2024丨車規(guī)級<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>論壇劇透一丨<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>模塊</b>特色封裝與<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>制造技術(shù)創(chuàng)新

    安森美發(fā)布功率密度IGBT模塊,助力能源系統(tǒng)優(yōu)化

    在智能電源和感知技術(shù)領(lǐng)域,美國納斯達(dá)克上市的安森美公司(onsemi,股票代碼:ON)再次展現(xiàn)其技術(shù)實(shí)力。近日,該公司正式發(fā)布了第7代1200VQDual3絕緣柵雙極晶體管(IGBT)功率模塊,標(biāo)志著電力電子領(lǐng)域又一大步的飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 06-12 14:46 ?921次閱讀

    半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊與離散元件的比較

    半導(dǎo)體基礎(chǔ)功率模塊因其相對于傳統(tǒng)離散元件的諸多優(yōu)勢而變得越來越突出。在不斷發(fā)展的功率電子領(lǐng)域,選擇半導(dǎo)體基礎(chǔ)
    的頭像 發(fā)表于 06-07 11:17 ?350次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>基礎(chǔ)<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>與離散元件的比較

    安森美全新推出的EliteSiC功率集成模塊,可破解電動汽車充電難題

    安森美(onsemi)全新推出的EliteSiC功率集成模塊,可為電動汽車直流超快速充電樁提供雙向充電功能。
    的頭像 發(fā)表于 03-21 09:59 ?979次閱讀

    如何實(shí)現(xiàn)功率密度三相SiC功率模塊設(shè)計與開發(fā)呢?

    為滿足快速發(fā)展的電動汽車行業(yè)對功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A
    的頭像 發(fā)表于 03-13 10:34 ?1643次閱讀
    如何實(shí)現(xiàn)<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率</b>密度三相<b class='flag-5'>全</b>橋<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模塊</b>設(shè)計與開發(fā)呢?

    安森美推出九款全新Elite SiC功率集成模塊

    2024年1月8日--領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi,美國納斯達(dá)克股票代號:ON),宣布推出九款全新 EliteSiC 功率集成模塊 (PIM),可為電動汽車 (EV) 直流超快速充電樁和儲能系統(tǒng) (ESS)
    的頭像 發(fā)表于 01-08 18:04 ?853次閱讀

    意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

    意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插
    的頭像 發(fā)表于 11-14 15:48 ?935次閱讀