DDR5內存即將到來！

近幾個月來，有關下一代DDR內存的討論一直沸沸揚揚，因為制造商們一直在展示各種各樣的測試模塊，為推出完整的產品做準備。計劃使用DDR5的平臺也在迅速興起，在消費者中廣泛使用之前，預計將在企業(yè)端首次亮相。同樣，開發(fā)也是分階段進行的：內存控制器、接口、電氣等效測試IP和模塊。SK Hynix已經進行到了最后一個階段，或者至少是這些模塊中的芯片。

DDR5是下一代用于大多數主要計算平臺的平臺內存。該規(guī)范（于2020年7月發(fā)布）將主電壓從1.2 V降至1.1 V，將最大硅芯片密度提高了4倍，最大數據速率翻倍，存儲數量翻倍。簡而言之，JEDEC DDR規(guī)范允許在DDR5-6400上運行128 GB無緩沖模塊。在電源允許的情況下，RDIMM和LRDIMM應該能夠更高。

DDR領域中的每個方面都需要從四個角度進行迭代。容量是最明顯的一個，但內存帶寬在我們看到的大型核計數服務器中常見的多核工作負載的性能擴展中也發(fā)揮著關鍵作用。另外兩個是功耗和延遲，是體現性能的一個關鍵指標。

使用DDR5，實現這一功能的主要更改之一是系統(tǒng)查看內存的方式。DDR5不是每個模塊一個64位的數據通道，而是每個模塊兩個32位的數據通道（在ECC中是40位）。脈沖長度增加了一倍，這意味著每個32位通道仍然會為每個操作提供64字節(jié)，但是可以以一種更加交錯的方式來實現。這意味著標準的“雙64位通道DDR4”系統(tǒng)將轉變?yōu)椤八奈?2位通道DDR5”結構，這樣每個記憶模塊就以一種更加可控的方式提供了64位。這也使得雙倍的數據速率（增加峰值帶寬的一個關鍵因素）變得更容易，并且具有更細粒度的存儲體刷新功能，該功能允許在使用內存時進行異步操作，從而減少了延遲。

電壓調節(jié)也從主板移到了內存模塊，允許模塊根據自己的需要調節(jié)。DDR4采用了每個芯片的Vdroop控制，但這將整個想法推進到更嚴格的電源控制和管理階段。它還將電源管理交給了模塊供應商而不是主板制造商，允許模塊制造商確定更快內存所需的容量，看看不同的固件如何應對肯定會超出規(guī)范的非JEDEC標準游戲內存也是一件趣事。

SK-Hynix宣布，他們已經準備好向模塊制造商提供DDR5-ECC內存，特別是16個基于其1Ynm流程構建的千兆芯片，支持1.1伏的DDR5-4800到DDR5-5600。SK-Hynix表示，如果采用正確的封裝技術（如3D-TSV），合作伙伴可以制造256gb的lrdimm。為了提供比JEDEC更快的速度，額外的芯片裝箱必須由模塊制造商自己完成。SK Hynix似乎也有自己的模塊，特別是DDR5-4800上的32GB和64GB RDIMM，并承諾提供高達DDR5-8400的內存。

SK Hynix沒有提供這些模塊的子定時信息。JEDEC規(guī)范為DDR5-4800定義了三種不同的模式：

DDR5-4800A： 34-34-34

DDR5-4800B： 40-40-40

DDR5-4800C： 42-42-42

尚不清楚SK Hynix使用的是哪一種。模塊上寫著“4800E”，但是這似乎只是模塊命名的一部分，因為JEDEC規(guī)范沒有超過DDR5-4800的CL值42。

對于帶寬，其他內存制造商已經引用了DDR5-4800每個模塊理論上38.4 GB/s的數據，他們已經看到有效數字在32 GB/s范圍內。這比DDR4-3200上每個通道的20-25GB/s有效速率更高。其他內存制造商已經宣布，他們將從今年年初開始提供給客戶試用DDR5。

公告中提到，英特爾是這些模塊的主要合作伙伴之一。英特爾已承諾在其Sapphire Rapids Xeon處理器平臺上啟用DDR5，預計將于2021或2022年末首次發(fā)布。聲明中沒有提到AMD，也沒有任何Arm合作伙伴。

SK Hynix表示，預計在2022年DDR5將占全球市場的10%，2024年將增至43%。在這一點上，消費者平臺的交叉點有些模糊，因為我們可能只完成了DDR4周期的一半（或不到一半）。通常，當新舊技術的市場份額相等時，它們之間可能會出現成本攔截，但是DDR5要求的額外電壓調節(jié)成本很可能會推高模塊成本，從JEDEC模塊的標準電源供應擴展到超頻模塊的更強大的解決方案。然而，在這方面，它應該使主板更便宜。

責任編輯：haq