0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

npj: 單晶硅材料在任意載荷下的失穩(wěn)應(yīng)力

ExMh_zhishexues ? 來源:知社學(xué)術(shù)圈 ? 作者:知社學(xué)術(shù)圈 ? 2020-10-26 09:21 ? 次閱讀

通常材料在不同載荷下,其失穩(wěn)應(yīng)力和失穩(wěn)模式并不相同。比如,材料在靜水壓作用下,其失穩(wěn)壓強可以達到100 GPa左右,而在單純剪切下,材料在很低的應(yīng)力載荷下(通常在100~200 MPa)產(chǎn)生失穩(wěn)剪切變形。傳統(tǒng)的材料失穩(wěn)準則例如最大剪切應(yīng)力(Tresca準則)或者能量準則(von Mises準則)只能描述材料的塑性失穩(wěn)變形,并不能描述材料的相變失穩(wěn)。因此需要構(gòu)建任意載荷下材料失穩(wěn)的連續(xù)介質(zhì)模型,為材料的失效分析提供理論支持,為材料強度的精準設(shè)計提供理論指導(dǎo)。

來自華東理工大學(xué)的陳浩講師和其博士導(dǎo)師美國愛荷華州立大學(xué)航空航天工程和機械工程系的Valery I. Levitas教授團隊,以及材料學(xué)院的Duane D. Johnson教授團隊合作,采用第一性原理計算得到了單晶硅材料在任意載荷下的失穩(wěn)應(yīng)力,擬合了提出的大變形彈性理論,發(fā)現(xiàn)該彈性理論可以精確給出硅材料任意載荷下的失穩(wěn)應(yīng)力。該研究為在連續(xù)介質(zhì)框架下研究精確模擬材料在任意載荷下的失穩(wěn)條件提供了理論基礎(chǔ),由于不同載荷可以導(dǎo)致不同的失穩(wěn)模式,比如剪切應(yīng)力下發(fā)生塑性變形,而在正應(yīng)力下發(fā)生相變。因此該模型為連續(xù)介質(zhì)力學(xué)提供了模擬任意載荷下導(dǎo)致不同失效模式的可能性。 該文近期發(fā)表于npj Computational Materials6:115 (2020),英文標題與摘要如下。

Fifth-degree elastic energy for predictive continuum stress-strain relations and elastic instabilities under large strain and complex loading in silicon

Hao Chen, Nikolai A. Zarkevich, Valery I. Levitas, Duane D. Johnson & Xiancheng Zhang

Materials under complex loading develop large strains and often phase transformation via an elastic instability, as observed in both simple and complex systems. Here, we represent a material (exemplified for Si I) under large Lagrangian strains within a continuum description by a 5^th-order elastic energy found by minimizing error relative to density functional theory (DFT) results. The Cauchy stress-Lagrangian strain curves for arbitrary complex loadings are in excellent correspondence with DFT results, including the elastic instability driving the Si I→II phase transformation (PT) and the shear instabilities. PT conditions for Si I →II under action of cubic axial stresses are linear in Cauchy stresses in agreement with DFT predictions. Such continuum elastic energy permits study of elastic instabilities and orientational dependence leading to different PTs, slip, twinning, or fracture, providing a fundamental basis for continuum physics simulations of crystal behavior under extreme loading.

責(zé)任編輯:xj

原文標題:npj: 材料任意載荷下失穩(wěn)條件—從第一性原理到連續(xù)介質(zhì)力學(xué)

文章出處:【微信公眾號:知社學(xué)術(shù)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 材料
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1171

    瀏覽量

    27200
  • 單晶硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    7

    文章

    189

    瀏覽量

    28178
  • 載荷
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    18

    瀏覽量

    3562

原文標題:npj: 材料任意載荷下失穩(wěn)條件—從第一性原理到連續(xù)介質(zhì)力學(xué)

文章出處:【微信號:zhishexueshuquan,微信公眾號:知社學(xué)術(shù)圈】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    晶體為什么可以做半導(dǎo)體材料

    且成本較低。的豐富資源是其成為半導(dǎo)體工業(yè)基石的重要前提。通過先進的提純和晶體生長技術(shù),可以生產(chǎn)出高純度的單晶硅或多晶,為半導(dǎo)體器件的制造提供了可靠的材料基礎(chǔ)。 二、優(yōu)異的半導(dǎo)體特性
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:46 ?730次閱讀

    光電池板是由什么材料制成的

    光電池板,也被稱為太陽能電池板,是一種將太陽光轉(zhuǎn)換為電能的裝置。它們通常由材料制成,因為是一種半導(dǎo)體,能夠吸收光能并將其轉(zhuǎn)換為電能。
    的頭像 發(fā)表于 09-21 11:36 ?292次閱讀

    天水華天傳感器CYB系列單晶硅與無線壓力變送器產(chǎn)品介紹

    在現(xiàn)代工業(yè)和科技應(yīng)用中,單晶硅技術(shù)和無線壓力變送器技術(shù)的發(fā)展正扮演著至關(guān)重要的角色。單晶硅以其優(yōu)異的物理特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域而備受關(guān)注。而無線壓力變送器則代表了壓力測量領(lǐng)域的創(chuàng)新進展,為工業(yè)生產(chǎn)和智能化系統(tǒng)的發(fā)展提供了重要支持。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 14:25 ?400次閱讀

    東芝 BiCD 單晶硅集成電路TB6560AHQ/AFG規(guī)格數(shù)據(jù)表

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《東芝 BiCD 單晶硅集成電路TB6560AHQ/AFG規(guī)格數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 05-22 14:09 ?0次下載

    單晶硅片出貨前需通過哪些檢測指標?

    單晶硅可以用于二極管級、整流器件級、電路級以及太陽能電池級單晶產(chǎn)品的生產(chǎn)和深加工制造,其后續(xù)產(chǎn)品集成電路和半導(dǎo)體分離器件已廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 04-25 11:41 ?720次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>片出貨前需通過哪些檢測指標?

    非晶太陽能電池技術(shù)原理與應(yīng)用

    在同等光照條件,非晶薄膜電池比單晶硅電池年發(fā)電量增加15%左右。非晶電池還具有最高的效率質(zhì)量比(即材料輕而效率又比較高),其效率質(zhì)量比
    發(fā)表于 04-24 12:35 ?1430次閱讀
    非晶<b class='flag-5'>硅</b>太陽能電池技術(shù)原理與應(yīng)用

    單晶硅的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對單晶硅少子壽命有何影響?

    單晶硅的少子壽命是指非平衡少數(shù)載流子(電子或空穴)在半導(dǎo)體材料中從產(chǎn)生到消失(即通過復(fù)合過程失去)的平均時間。
    的頭像 發(fā)表于 04-19 16:11 ?2871次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>的少子壽命是指什么?表面形態(tài)對<b class='flag-5'>單晶硅</b>少子壽命有何影響?

    單晶硅電阻率的控制原理介紹

    本文介紹了摻雜其他元素的目的、分凝現(xiàn)象、電阻率與摻雜濃度之間的關(guān)系、共摻雜技術(shù)等知識,解釋了單晶硅電阻率控制原理。
    的頭像 發(fā)表于 04-07 09:33 ?1440次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>電阻率的控制原理介紹

    單晶硅壓力變送器和擴散的區(qū)別

    在現(xiàn)代工業(yè)控制領(lǐng)域中,傳感器作為感知的核心元件,其性能的優(yōu)劣直接影響到整個系統(tǒng)的準確性和穩(wěn)定性。而單晶硅和擴散壓力變送器作為壓力測量領(lǐng)域的兩大主流。更是受到越來越多企業(yè)、工程師的青睞。那么今天浙江
    的頭像 發(fā)表于 03-15 11:53 ?973次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶硅</b>壓力變送器和擴散<b class='flag-5'>硅</b>的區(qū)別

    擴散、單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇

    擴散單晶硅、電容式壓力差壓變送器的區(qū)別與選擇? 擴散、單晶硅和電容式壓力差壓變送器是常用于工業(yè)領(lǐng)域中測量流體壓力的儀器。它們各自具有不同的特點和適用場景。下面將詳細介紹這三種壓力
    的頭像 發(fā)表于 01-30 15:06 ?4593次閱讀

    怎么選擇擴散壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器

    怎么選擇擴散壓力變送器、單晶硅壓力變送器、電容式壓力變送器? 選擇擴散壓力變送器、單晶硅壓力變送器和電容式壓力變送器是根據(jù)應(yīng)用場景和具體要求進行的。下面將詳細介紹這三種壓力變送器的
    的頭像 發(fā)表于 01-30 15:06 ?1517次閱讀

    淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

    是最常見的半導(dǎo)體材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點。材料可以制成單晶硅、多晶
    的頭像 發(fā)表于 11-30 17:21 ?1550次閱讀

    淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料

    材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點。材料可以制成單晶硅、多晶、非晶等形式,其
    發(fā)表于 11-29 10:22 ?1294次閱讀
    淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體<b class='flag-5'>材料</b>

    什么是單晶硅光伏板?單晶硅光伏板優(yōu)缺點

    單晶硅光伏板是一種基于單晶硅材料制造的太陽能光電設(shè)備,常用于太陽能光伏發(fā)電系統(tǒng)中。單晶硅光伏板由多個單晶硅太陽能電池片組成,每個電池片都被覆
    的頭像 發(fā)表于 11-29 09:46 ?3320次閱讀

    多晶光伏板光電轉(zhuǎn)化率能達到多少呢?

    太陽能光伏板的主要材料,通常采用單晶硅、多晶或非晶等不同類型的硅片制成,以吸收和轉(zhuǎn)換太陽光為電能。
    的頭像 發(fā)表于 11-25 09:34 ?2630次閱讀