文章來源:電子工程世界
作者:湯宏琳
就在我們還沉浸在Si器件帶來的低成本紅利時,很多關(guān)鍵型應(yīng)用已經(jīng)開始擁抱SiC了。
雖然SiC成本還有些略高,但它卻有著自己得天獨厚的優(yōu)勢:與Si相比,SiC介電擊穿場強高10倍、電子飽和速度高2倍、能帶隙高3倍和熱導(dǎo)率高3倍。
正因如此,SiC功率器件能夠提供Si半導(dǎo)體無法達到的革命性性能,特別適合新能源、汽車、5G通信應(yīng)用中對于高功率密度、高電、高頻率、高效率、以及高導(dǎo)熱率的應(yīng)用需求。
隨著外延工藝的提升和成本的下降,SiC成了半導(dǎo)體領(lǐng)域炙手可熱的當紅材料,被稱為商業(yè)前景最明朗的半導(dǎo)體材料之一,堪稱半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)內(nèi)新一代“黃金賽道”,其應(yīng)用市場也在飛速拓展中。
據(jù)安森美半導(dǎo)體電源方案部產(chǎn)品市場經(jīng)理王利民介紹,僅2017年到2022年間,SiC市場年均復(fù)合增長率將高達35%,預(yù)計到2022年其市場容量將超過10億美元。
功率因數(shù)校正(PFC)、電動/混動汽車、電動/混動汽車基礎(chǔ)設(shè)施、光伏、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動、鐵路、風能等領(lǐng)域都是SiC大展拳腳的應(yīng)用空間。
四大戰(zhàn)略市場,布局未來
那么究竟哪塊市場是SiC最先起飛的賽道呢?又有哪些是SiC器件重點關(guān)注的領(lǐng)域呢?且讓我們跟著安森美半導(dǎo)體的腳步來看看。
王利民介紹,作為深耕電源應(yīng)用領(lǐng)域多年的供應(yīng)商,安森美半導(dǎo)體正在開發(fā)完整的器件生態(tài)系統(tǒng),以支持寬禁帶電源設(shè)計, 包括SiC二極管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驅(qū)動器及集成模塊等,
這些器件將重點關(guān)注四大應(yīng)用市場:電動汽車(EV)/混動汽車(HEV)、5G 電源和開關(guān)電源(SMPS)、電動汽車充電器/樁和太陽能逆變器。
1
電動汽車(EV)/混動汽車(HEV)
電動汽車的發(fā)展速度有目共睹,在汽車主驅(qū)逆變器、車載充電(OBC)和DC-DC級等應(yīng)用中使用SiC器件,可以大大提升效率,增加續(xù)航能力。因而汽車應(yīng)用成了SiC器件的主要驅(qū)動力之一,約占整個SiC總體市場容量60%左右。
無論從用戶體驗,還是從車廠基于續(xù)航里程報價的角度考慮,能效提升、續(xù)航里程的增加無疑為電動汽車市場開拓起著重要作用,因而目前幾乎所有做主驅(qū)逆變器的廠家都在研究SiC作為主驅(qū)方向。
同時,在車載充電(OBC)和DC-DC級應(yīng)用領(lǐng)域,絕大部分廠家也在使用SiC實現(xiàn)高效、高壓和高頻率的應(yīng)用。
此外,美國加利福尼亞州已簽署行政命令,到2030年要實現(xiàn)500萬輛電動車上路的目標;
歐洲也有電動汽車全部替換燃油車的時間表;
而在中國各大一線城市,電動汽車可以零費用上牌。
這一系列政策都推動了電動汽車的大幅增長,而電動汽車對于高壓、高頻率和高效率器件的需求也推動了SiC市場的大幅增長。
2
5G電源和開關(guān)電源(SMPS)領(lǐng)域
傳統(tǒng)的開關(guān)電源領(lǐng)域在Boost電路及高壓電源應(yīng)用中,對功率密度一直有著持之以恒的追求。從最早通信電源,到現(xiàn)在5G通信電源、云數(shù)據(jù)中心電源,都對能效有非常高的要求。
SiC器件高達98%的能效,完美契合了電源和5G電源市場發(fā)展,在這個應(yīng)用領(lǐng)域也有不俗的表現(xiàn)。
3
電動汽車充電器/樁
新基建、內(nèi)循環(huán)等一系列策略都在快速地帶動電動汽車充電樁的發(fā)展。充電樁的實現(xiàn)方案有很多種,現(xiàn)在消費者最感興趣的就是直流快充,直流快充的充電樁需要非常大的充電功率以及非常高的充電效率,這些都需要通過高電壓來實現(xiàn)。
因而隨著功率和速度要求的提高,越來越多的充電樁方案將使用SiC MOSFET,自然電動汽車充電樁也是安森美半導(dǎo)體SiC器件重點關(guān)注市場之一。
4
太陽能逆變器
SiC在太陽能逆變器領(lǐng)域的使用量也很大,且市場在蓬勃發(fā)展,王利民介紹,目前全球1%的電力來自太陽能,預(yù)計未來10-15年將達到15%的能源來自太陽能。
據(jù)悉,中國國家能源局(NEA)設(shè)定了清潔能源目標,到2030年滿足中國20%的能源需求。同時,歐盟也設(shè)定目標,到2020年,能效提高20%,二氧化碳排放量降低20%,可再生能源達到20%。
政策驅(qū)動使得越來越多的SiC器件應(yīng)用于太陽能逆變器Boost電路,并且隨著太陽能逆變器成本的優(yōu)化,越來越多的廠商將會使用SiC MOSFET作為主逆變的器件,來替換原來的三電平逆變器控制的復(fù)雜電路。
SiC器件如何使用?安森美半導(dǎo)體懂你
面對當前的市場競爭,SiC產(chǎn)品的高效率、高能效、高功率密度、高壓誠然非常有吸引力,但成本也是客戶不得不考慮的問題。
對此,安森美半導(dǎo)體在提供全球領(lǐng)先可靠性的前提下,能夠提供集成制造和無與倫比的規(guī)模推動卓越的成本結(jié)構(gòu)。同時還提供全球快速響應(yīng)的供應(yīng)鏈服務(wù)和廣泛的可選產(chǎn)品陣容。
可靠性是器件使用的前提條件,王利民表示,安森美半導(dǎo)體SiC器件擁有領(lǐng)先的可靠性,且全部器件都符合車規(guī)。
在半導(dǎo)體高溫高濕反偏老化測試(H3TRB)中,同樣測試條件下,安森美半導(dǎo)體SiC二極管可以通過1000小時的可靠性測試,而在實際測試中,安森美半導(dǎo)體還會將這個測試延長至2000小時,足以體現(xiàn)其SiC器件可靠性之高。
高性價比也是安森美半導(dǎo)體SiC器件的特性之一,其SiC MOSFET和二極管都是接近理想的開關(guān)器件,能夠很好地結(jié)合Rds_on和低開關(guān)損耗,同時支持更高電壓(>600V)。
對此,王利民給出了一組理論上的對比數(shù)據(jù):當同樣達到1200V擊穿電壓時,各個器件要達到同樣效率所需面積的對比。
此外,在方案中,如果將Si方案替換成SiC,其體積、功率密度以及整體BOM成本都會得到優(yōu)化。如下圖所示。
同時,為了助力工程師快速將SiC器件應(yīng)用到設(shè)計中,安森美半導(dǎo)體還提供了基于其應(yīng)用專長創(chuàng)建的完整解決方案,其中包括單管方案、模塊方案以及各種電動車和混動車的車載充電器方案,并為這些方案提供整套電路圖紙、BOM、Demo以及方案專家團隊的鼎力支持。
安森美半導(dǎo)體能夠提供完整的器件生態(tài)系統(tǒng),以支持寬禁帶電源設(shè)計, 包括SiC二極管和SiC MOSFET、GaN HEMT、 SiC和GaN驅(qū)動器及集成模塊,全部器件或模塊都滿足汽車規(guī)范。
浪涌和雪崩是SiC二極管強固性主要表現(xiàn)之一。王利民介紹,在大幅提高效率同時,SiC二極管還有一個設(shè)計痛點,即不管在Boost 電路還是在PFC電路中,SiC二極管都要扛住浪涌電流。
對此,安森美半導(dǎo)體提供了非常貼心的設(shè)計,以1200V 15A的SiC二極管為例,在毫秒級安森美半導(dǎo)體的的SiC二極管有10倍的過濾,在微秒級的SiC二極管有50倍的過濾。
此外,針對電動汽車主驅(qū)或馬達驅(qū)動的應(yīng)用中,對于SiC二極管雪崩的要求,安森美半導(dǎo)體SiC二極管能夠提供更高的雪崩能量。
此外,安森美半導(dǎo)體的MOSFET也幾乎涵蓋了市面上所有主流的SiC MOSFET,包括20mΩ、40mΩ、80mΩ、160mΩ的器件,封裝涵蓋TO-247 3腳以及D2PAK的7腳封裝,并且所有的產(chǎn)品都提供工業(yè)規(guī)范和汽車規(guī)范。此外,安森美半導(dǎo)體還有900V的SiC MOSFET,20mΩ、60mΩ都是市面上最主流的一些規(guī)格。
王利民介紹,安森美半導(dǎo)體提供的是全生態(tài)的,包括器件、解決方案、仿真模型以及軟件設(shè)計等整個一系列的SiC生態(tài)系統(tǒng)。
針對目前所有處于持續(xù)增長的市場,安森美半導(dǎo)體都在開發(fā)相關(guān)的方案,為客戶提供一整套的方案設(shè)計,同時還和業(yè)內(nèi)重點客戶建立了緊密的合作關(guān)系,包括聯(lián)合實驗室,共同開發(fā)等形式。
未來,安森美半導(dǎo)體也將持續(xù)地、大幅地在SiC領(lǐng)域進行持續(xù)投入和生態(tài)的運營。
原文標題:SiC(碳化硅)主場即將開啟,你做好準備了嗎?
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