Allegro如何使用霍爾效應原理開發(fā)
本文是Allegro霍爾效應傳感器集成電路的技術文檔，這些器件的制造方式，以及Allegro如何使用霍爾效應原理開發(fā)這些器件。它包括霍爾效應的基本物理原理及其應用，霍爾IC結(jié)構(gòu)和霍爾器件封裝。
霍爾效應原理
霍爾效應以埃德溫·霍爾（Edwin Hall）的名字命名，埃德溫·霍爾（Edwin Hall）在1879年發(fā)現(xiàn)，當磁場沿垂直于板平面的方向穿過板時，在載流導電板上會產(chǎn)生電壓電勢，如下圖所示。圖1。
霍爾效應背后的基本物理原理是洛倫茲力，如圖1的上圖所示。當電子沿垂直于外加磁場B的方向v移動時，它會受到力F的作用。洛倫茲力，既垂直于外加磁場，又垂直于電流。
圖1霍爾效應傳感器IC霍爾效應和洛倫茲力。藍色箭頭B代表垂直穿過導電板的磁場。
響應于該力，電子沿著導體沿彎曲路徑移動，并且在板上形成凈電荷，因此產(chǎn)生了電壓。該霍爾電壓VH遵循以下公式，該公式表明VHis與所施加的場強成正比，并且VH的極性由所施加的磁場的北向或南向確定。通過該特性，霍爾效應被用作磁傳感器。
由于霍爾效應同時適用于導電板和半導體板，因此Allegro半導體集成電路集成了霍爾元件。通過在完全集成的單片IC中使用霍爾效應，可以測量磁場強度并創(chuàng)建用于許多不同應用的大量霍爾效應集成電路。
編輯：hfy
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