HDI設(shè)計(jì)在高速中的應(yīng)用以及仿真方法
高速串行總線技術(shù)的發(fā)展,信號傳輸速率繼續(xù)提升,過孔寄生參數(shù)帶來的影響也越來越被重視。高速仿真工程師關(guān)注過孔優(yōu)化,通過各種手段來減小過孔寄生參數(shù)帶來的影響。HDI由于采用盤中孔的設(shè)計(jì)要求,可以減少表層器件的寄生參數(shù)。同時,微孔的電感和電容大約只是一個標(biāo)準(zhǔn)過孔的十分之一左右。圖九是能在很多資料上找到的過孔電感和電容,這是根據(jù)以下兩個計(jì)算公式得到的。
圖九 鐳射孔和機(jī)械孔的寄生參數(shù)但是圖七還是存在很多問題,寄生電容是對地的電容,機(jī)械孔不會6層都連接地平面,計(jì)算會遠(yuǎn)遠(yuǎn)比公式來得復(fù)雜;現(xiàn)在的過孔生產(chǎn)的時候,基本都采用無盤工藝,即去除非連接層的過孔焊盤,這可以有效減小過孔的寄生電容。這種情況下,只用來簡單考慮過孔特征阻抗的影響是遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠的。
圖十是從S參數(shù)分析微孔和普通機(jī)械孔的插入損耗與回波損耗
圖十 S參數(shù)分析微孔和普通機(jī)械孔的插入損耗
然后通過TDR的公式可以看到過孔的阻抗和回?fù)p曲線是密切相關(guān)的,S11在全頻段的仿真精度,也決定了通過軟件仿真看TDR曲線來研究阻抗的準(zhǔn)確性,如圖十一所示:
TDRZ(t) = Zref*(1+IFFT(S11*input)) / (1-IFFT(S11*input))
能看到背鉆對過孔阻抗還是影響很大的
差分HDI微孔的阻抗,和100歐姆比較接近
圖十一 差分過孔的優(yōu)化策略以及TDR仿真結(jié)果
微孔的阻抗可以比較容易優(yōu)化到差分線的100歐姆阻抗值,這樣就減少了過孔引起的阻抗不連續(xù)帶來的高速問題。
從以上分析可以看出,微孔的高速性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于普通機(jī)械孔,并且沒有Stub的問題,機(jī)械孔就算是采用背鉆工藝,也不可避免的要出現(xiàn)一定長度的Stub。而這個Stub,往往是影響高速電路性能的致命殺手。
有如果關(guān)心微孔的過電流能力,需要的時候可采用微孔填銅來提高載流能力。
結(jié) 論
Cadence的SPB16.X平臺提供了出色的小型化設(shè)計(jì)能力,在HDI多階過孔設(shè)計(jì),任意階過孔設(shè)計(jì),埋入式器件設(shè)計(jì)以及基于PDN的埋容仿真分析等領(lǐng)域都提供了出色的支持。全面基于HDI進(jìn)行優(yōu)化更新的約束管理器,幫助工程師實(shí)現(xiàn)在小型化設(shè)計(jì)領(lǐng)域的約束驅(qū)動布局布線,提升設(shè)計(jì)效率和保證設(shè)計(jì)成功率。
基于Cadence強(qiáng)大的平臺和自身HDI設(shè)計(jì)上豐富的經(jīng)驗(yàn),同時結(jié)合自有板廠以及合作伙伴在國內(nèi)領(lǐng)先的HDI加工能力,一博科技可以提供全方位的小型化設(shè)計(jì)、仿真、生產(chǎn)、貼片、組裝等一站式服務(wù),全面實(shí)現(xiàn)客戶在小型化領(lǐng)域的各類需求,更多資訊請參見:www.edadoc.com。
一博科技和Cadence合作,強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,推出《Cadence印刷電路板設(shè)計(jì) – Allegro PCB Editor設(shè)計(jì)指南》一書,書中也專題介紹了小型化設(shè)計(jì)的技術(shù),歡迎大家參考交流。
參考文獻(xiàn)
[1] 《Cadence印刷電路板設(shè)計(jì) – Allegro PCB Editor設(shè)計(jì)指南》
[2] 《High-Speed Digital Design – A Handbook of Black Magic》
致 謝
本文引用了《Cadence印刷電路板設(shè)計(jì) – Allegro PCB Editor設(shè)計(jì)指南》王輝負(fù)責(zé)的小型化章節(jié),同時仿真部分和Cadence 鐘章明做了很多交流,在此表示感謝!
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