圍繞拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與端接展開(kāi)，淺談對(duì)fly-by結(jié)構(gòu)

DDR的歷史，就是一個(gè)SI技術(shù)變革的過(guò)程，說(shuō)白了就是拓?fù)渑c端接之爭(zhēng)。DDR2使用的是T拓?fù)?，發(fā)展到DDR3，引入了全新的菊花鏈—fly-by結(jié)構(gòu)。使用fly-by并不完全因?yàn)楝F(xiàn)在的線路板越來(lái)越高密，布局空間越來(lái)越受限，主要原因還是DDR3信號(hào)傳輸速率變得更快了，T型拓?fù)湟呀?jīng)不能滿足高速傳輸?shù)囊蟆?/p>

高速先生前期的文章中提到了fly-by，并且早期的文章對(duì)fly-by結(jié)構(gòu)也做過(guò)一些介紹?？催^(guò)文章的網(wǎng)友肯定還記得文中的一些觀點(diǎn),例如：不是所有的DDR都可以使用fly-by；為提高負(fù)載的信號(hào)質(zhì)量，fly-by結(jié)構(gòu)可以進(jìn)行容性負(fù)載補(bǔ)償…

這期文章的主題是圍繞拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與端接展開(kāi)的，我也來(lái)說(shuō)說(shuō)我對(duì)fly-by結(jié)構(gòu)的一些理解。

Stub長(zhǎng)度決定信號(hào)質(zhì)量

我們經(jīng)常見(jiàn)到的使用fly-by結(jié)構(gòu)將內(nèi)存顆粒串聯(lián)起來(lái)的實(shí)例如圖1和圖2

圖1

圖2

圖1中，stub長(zhǎng)度約為200mil，圖2 stub約為20mil。這兩種做法哪種信號(hào)質(zhì)量更好些呢？高速先生為此專門做仿真驗(yàn)證了一下。

圖3各段線阻抗都取50 ohm。只改變stub長(zhǎng)度，四個(gè)接收端波形如下圖4所示：

圖4

從波形可以看出，隨著stub長(zhǎng)度的增加，波形的過(guò)沖現(xiàn)象越來(lái)越嚴(yán)重。為更好的評(píng)估stub變長(zhǎng)對(duì)信號(hào)帶來(lái)的影響，我們將近端和遠(yuǎn)端接收端的眼圖對(duì)比如下：

圖5

由上圖5可知，隨著Stub變長(zhǎng)，眼高逐漸變小，這再次驗(yàn)證了：stub越長(zhǎng)信號(hào)質(zhì)量越差。

阻抗補(bǔ)償有利于改善信號(hào)質(zhì)量

設(shè)計(jì)過(guò)DIMM條的小伙伴們都會(huì)注意這樣一個(gè)細(xì)節(jié)，就是主網(wǎng)絡(luò)走線要比到各個(gè)分支走線粗，如下圖

圖6

這么做真的可以改善信號(hào)質(zhì)量？空口無(wú)憑，我們還是用仿真數(shù)據(jù)來(lái)說(shuō)話。搭建如下拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，只是改變主線段阻抗（最初阻抗都是50ohm），其他變量不變。

主線段阻抗分別取40ohm與50ohm，近端和最遠(yuǎn)端負(fù)載眼圖對(duì)比如下圖7,圖7中藍(lán)色眼圖代表的是主干線阻抗為40ohm情況，紫色眼圖代表的是主干線阻抗是50ohm的情況。

圖7

由上圖可知，藍(lán)色眼圖比紫色眼圖張的更開(kāi)，也就意味著主線段阻抗偏低信號(hào)質(zhì)量會(huì)更好。降低主線段阻抗或者提高后面分支的阻抗的確可以改善信號(hào)質(zhì)量，這個(gè)方法業(yè)內(nèi)把它叫做容性負(fù)載補(bǔ)償。特別是那種負(fù)載很多的結(jié)構(gòu)，一條鏈路上串了8片或者10片DDR顆粒的，做一下容性負(fù)載補(bǔ)償對(duì)提升信號(hào)質(zhì)量有很大的幫助。

編輯：hfy