來(lái)自社會(huì)的壓力越來(lái)越大,有關(guān)減少CO2排放的法規(guī)越來(lái)越多,這正推動(dòng)著從汽車到電信行業(yè)的投資,以提高電力轉(zhuǎn)換效率和電氣化程度。諸如絕緣柵雙極晶體管(IGBT)之類的傳統(tǒng)基于硅的功率半導(dǎo)體技術(shù)從根本上限制了工作頻率,速度,并且具有較差的高溫性能和低電流特性。高壓Si FET的頻率和高溫性能也受到限制。因此,設(shè)計(jì)人員越來(lái)越希望在高效的銅夾封裝中使用寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體。
功率氮化鎵技術(shù)
過(guò)去幾年中,GaN技術(shù),特別是硅上GaN(硅上GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)技術(shù)已成為電源工程師的主要重點(diǎn)。提供許多應(yīng)用所要求的高功率性能和高頻開關(guān)的承諾是顯而易見的。
在采用帶引線的TO-247封裝中采用共源共柵模式技術(shù)之后,市場(chǎng)上出現(xiàn)了許多趨勢(shì),這些市場(chǎng)朝著RDS(開啟),更好的開關(guān)品質(zhì)因數(shù)(FOM)和更低的電容方面的改進(jìn)方向發(fā)展。
當(dāng)涉及到器件穩(wěn)定性和易操作性時(shí),共源共柵配置可提供硅柵極的堅(jiān)固且可靠的絕緣(電介質(zhì))柵極結(jié)構(gòu)。這意味著共源共柵GaN FET具有±20 V的有效柵極額定值(等于現(xiàn)有的硅超結(jié)技術(shù)),并且可以由標(biāo)準(zhǔn)的具有成本效益的柵極驅(qū)動(dòng)器以簡(jiǎn)單的0-10或12 V驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)驅(qū)動(dòng),同時(shí)提供較高的柵極閾值4V的電壓可防止誤導(dǎo)通。
圖1:GaN FET的雙向特性
CCPAK:具有久經(jīng)考驗(yàn)的新型動(dòng)力套件
自然地,GaN技術(shù)和操作模式是關(guān)鍵,但與任何FET器件封裝一樣,它都起著至關(guān)重要的作用。隨著市場(chǎng)轉(zhuǎn)向更高的開關(guān)頻率,傳統(tǒng)封裝(TO-220 / TO-247和D2PAK-7)的局限性越來(lái)越明顯。為了真正利用新型高壓WBG半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì),銅夾技術(shù)將優(yōu)化電性能和熱性能。
圖2:CCPAK1212的內(nèi)部布置
Nexperia提出了CCPAK封裝,以為Power GaN FET解決方案提供銅夾的優(yōu)勢(shì)。CCPAK1212相當(dāng)于TO-247機(jī)身尺寸的約五分之一(21.4%),或者比D2PAK-7緊湊的占地面積小10%,同時(shí)允許使用更低的Rdson產(chǎn)品,
通過(guò)消除內(nèi)部引線鍵合,CCPAK的電感比含鉛封裝的電感低。圖3中的表突出顯示了CCPAK1212和TO-247工作在100 MHz時(shí)的比較,這導(dǎo)致總環(huán)路電感為2.37 nH,而幾乎為14 nH。但是,銅夾式封裝還有助于提供超低封裝電阻,包括<0.5 K / W的熱阻。
圖3:自感@頻率100 MHz
熱性能和半橋優(yōu)勢(shì)
長(zhǎng)期以來(lái),熱管理一直是電源應(yīng)用的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。當(dāng)設(shè)計(jì)中有用于容納大體積散熱器的空間時(shí),將熱量從電路板和半導(dǎo)體組件中帶走相對(duì)容易。但是,隨著功率水平以及功率和電路密度的增加,這變得更加難以處理。
GaN和銅夾在熱容量和熱導(dǎo)率方面創(chuàng)造了650 V大功率FET的技術(shù)組合。
根據(jù)圖4中的仿真,工程師估計(jì)CCPAK的Rth僅為0.173°C / W,而TO-247的Rth為0.7°C / W。
圖4:熱仿真功率GaN FET(圖5)
無(wú)論是AC / DC PFC級(jí),DC / DC轉(zhuǎn)換器還是牽引逆變器,大多數(shù)拓?fù)涞幕緲?gòu)建模塊都是半橋。因此,在簡(jiǎn)單的升壓轉(zhuǎn)換器中將GaN FET與Si FET進(jìn)行比較時(shí),GaN技術(shù)表現(xiàn)出了卓越的性能。
Nexperia的頂部冷卻GAN039-650NTB是半橋演示板中使用的解決方案-100 kHz時(shí)400 VIN和230 VOUT,占空比為57.4%,在環(huán)境溫度23.1°C下工作。
圖5:半橋演示效率
在ID為20 A的低端VDS的400 VDC降壓模式設(shè)置中,在接通和關(guān)斷期間,尖峰,過(guò)沖和振鈴幾乎可以忽略不計(jì)。這在噪聲和任何與硅相關(guān)的Qrr問(wèn)題方面均具有優(yōu)勢(shì),效率結(jié)果為99%
圖6:CCPAK1212開關(guān)波形
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