DIY產(chǎn)業(yè)圈如何打破存儲(chǔ)產(chǎn)品性能長(zhǎng)期“墊底”的尷尬局面?

數(shù)據(jù)時(shí)代的來(lái)臨，讓存儲(chǔ)底層技術(shù)也實(shí)現(xiàn)了堪稱(chēng)跨越式的創(chuàng)新和發(fā)展，從機(jī)械硬盤(pán)時(shí)代SMR逐步替代PMR，到固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代的3D NAND淘汰2D NAND、以及SLC/MLC/TLC之間的“代際”之爭(zhēng)，存儲(chǔ)底層技術(shù)的迭代和演變，在豐富了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用廣度和深度的同時(shí)，更是憑借著指數(shù)級(jí)性能倍增，徹底打破了存儲(chǔ)產(chǎn)品性能長(zhǎng)期“墊底”DIY產(chǎn)業(yè)圈的尷尬局面，甚至一躍成為近年來(lái)，DIY產(chǎn)業(yè)圈性能提升最為劇烈、技術(shù)創(chuàng)新持續(xù)不斷的品類(lèi)王者。

其中長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的Xtacking架構(gòu)，更是憑借著優(yōu)秀的設(shè)計(jì)，獨(dú)特的工藝，在存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的新格局下，先行一步，并通過(guò)創(chuàng)立的子品牌致鈦，以技術(shù)驅(qū)動(dòng)、技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)自我造血，反哺生產(chǎn)。

在此之前，ZOL已經(jīng)評(píng)測(cè)過(guò)了致鈦品牌旗下的高端旗艦PC005 Active 512GB版本，并引起了諸多用戶(hù)的熱議，同時(shí)也收到了眾多網(wǎng)友的反饋。而今天亮相的，同樣是致鈦高端PC005 Active固態(tài)硬盤(pán)，不同的是在容量上進(jìn)行了提升，相較于512GB容量，“超大杯”1TB版本的PC005 Active表現(xiàn)又是如何？我們一起來(lái)看。

01 外觀簡(jiǎn)析：標(biāo)準(zhǔn)M.2設(shè)計(jì)兼容主流市場(chǎng)

在外觀上，和512GB容量一致，采用標(biāo)準(zhǔn)2280尺寸，能夠兼容時(shí)下主流主板和筆記本設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。

單面PCB設(shè)計(jì)，主控芯片、緩存顆粒以及存儲(chǔ)顆粒全部集成到單面PCB之上，為后續(xù)產(chǎn)品容量提升奠定了基礎(chǔ)。同時(shí)通過(guò)金手指的缺口判斷，1TB版本的PC005 Active依舊支持NVMe傳輸協(xié)議，這一點(diǎn)上，從產(chǎn)品外包裝上標(biāo)注的“3500MB/S”最大讀取速度，也得到了印證。

除此之外，根據(jù)官方提供的數(shù)據(jù)，PC005 Active 1TB版本提供了高達(dá)640TBW的保修寫(xiě)入量，通過(guò)簡(jiǎn)單計(jì)算，按照每天寫(xiě)入100GB，640TBW能夠支持接近18年，當(dāng)然鑒于固態(tài)閃存的寫(xiě)入負(fù)載的不同，這個(gè)數(shù)值是最為理想狀態(tài)，然而即使如此，640TWB的寫(xiě)入量保修足以滿(mǎn)足大部分用戶(hù)的寫(xiě)入需求。

02 核心主控：經(jīng)典慧榮2262EN

眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的性能高低取決于產(chǎn)品內(nèi)部的核心構(gòu)件，PC005 Active 1TB版本在內(nèi)部架構(gòu)上，延續(xù)了512GB版本的優(yōu)良傳統(tǒng)，同時(shí)在緩存顆粒上進(jìn)行倍增和擴(kuò)容，進(jìn)一步提升了整體的性能體驗(yàn)。

具體來(lái)說(shuō)，PC005 Active 1TB版本采用了慧榮2262EN主控，這是一款較為成熟、深受市場(chǎng)和消費(fèi)者檢驗(yàn)過(guò)的主控芯片。由慧榮公司于2018年Computex大展上首秀，致鈦進(jìn)行定制和優(yōu)化升級(jí)，參數(shù)上，支持PCIe G3×4通路、NVMe 1.3規(guī)范，同時(shí)擁有8個(gè)NAND通道，理論最大順序讀取速度高達(dá)3.5GB/s，最大順序?qū)懭胨俣冗_(dá)3.0GB/s，理論設(shè)計(jì)隨機(jī)讀寫(xiě)均為420K IOPS。

在主控固件和功能方面，支持端到端資料路徑保護(hù)、SRAM ECC、結(jié)合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend? ECC技術(shù)，支持全線最新3D TLC和QLC NAND，能夠?yàn)橛脩?hù)提供最完整及最穩(wěn)定的資料保護(hù)。

03 閃存顆粒：Xtacking架構(gòu)的創(chuàng)新和應(yīng)用

至于閃存顆粒方面，致鈦全系產(chǎn)品均采用了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和核心競(jìng)爭(zhēng)力的Xtacking架構(gòu)，這款定位旗艦級(jí)別的PC005 Active也不例外。

Xtacking架構(gòu)源于致鈦母公司長(zhǎng)江存儲(chǔ)，研發(fā)多年的一項(xiàng)存儲(chǔ)底層技術(shù)。它本質(zhì)上一項(xiàng)針對(duì)3D NAND存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的再創(chuàng)新，不同于其他3D NAND閃存架構(gòu)的內(nèi)部一體成型設(shè)計(jì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)通過(guò)對(duì)架構(gòu)的深度定制和迭代，突破性在閃存內(nèi)部通過(guò)鍵合方式連接和串聯(lián)，在保持產(chǎn)品性能和可靠性的同時(shí)，更是進(jìn)一步提升產(chǎn)品容量。

Xtacking架構(gòu)的3D NAND

官方的標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)法，Xtacking架構(gòu)同比于其他3D NAND技術(shù)的突出特點(diǎn)主要是，可在兩片獨(dú)立的晶圓上分開(kāi)加工負(fù)責(zé)I/O傳輸及記憶單元的電路，并通過(guò)成熟的Xtacking工藝進(jìn)行晶圓鍵合，合二為一。這樣的加工方式有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝，降低制造工序的復(fù)雜度，從而以讓NAND獲取更高的I/O傳輸速度，更高的密度，及更小的芯片面積。

在這款1TB容量PC005 Active上，搭載了兩顆源于Xtacking架構(gòu)的3D NAND閃存顆粒，單顆容量512GB。

04 性能實(shí)測(cè)：最大連續(xù)讀取3500MB/S 行業(yè)頂尖水準(zhǔn)

Xtacking架構(gòu)和慧榮2246EN的融合，究竟能夠碰撞出什么火花？進(jìn)入實(shí)測(cè)階段，下面筆者通過(guò)連續(xù)性能、4K隨機(jī)、以及寫(xiě)入穩(wěn)定性等三個(gè)維度，進(jìn)行產(chǎn)品的實(shí)測(cè)。

在連續(xù)性能測(cè)試中，我們引入CrystalDiskMark/ATTO/Txbench等三個(gè)軟件，分別進(jìn)行測(cè)試，最終匯總進(jìn)行交叉比對(duì)，最大限度的反映出PC005 Active的真實(shí)性能。

通過(guò)CrystalDiskMark/ATTO/Txbench三個(gè)軟件的交叉測(cè)試，我們可以看到，PC005 Active 1TB版本的最大連續(xù)讀取速度，基本能夠達(dá)到3500MB/S的標(biāo)稱(chēng)水準(zhǔn)，至于最大連續(xù)寫(xiě)入速度則能維持在2900MB/S左右；相較于512GB版本，在絕對(duì)數(shù)值上，有著一定的提升，這也比較符合存儲(chǔ)產(chǎn)品容量越大，性能相對(duì)越強(qiáng)的基本規(guī)律。

在4K隨機(jī)性能測(cè)試中，我們依舊采用AS SSD benchmark，和連續(xù)性能測(cè)試不同，4K隨機(jī)測(cè)試，主要用于驗(yàn)證固態(tài)硬盤(pán)在面對(duì)細(xì)碎文件，零散任務(wù)時(shí)的并發(fā)性能，這對(duì)于普通用戶(hù)而言，更具有參考價(jià)值和意義。

通過(guò)測(cè)試，PC005 Active 1TB版本的最大隨機(jī)讀取速度到達(dá)319，000+iops，最大隨機(jī)寫(xiě)入速度也到達(dá)364，000+iops，這樣的性能，足以應(yīng)付日常生活中碎片文件以及零散任務(wù)的存儲(chǔ)需求。

最后，在寫(xiě)入穩(wěn)定性測(cè)試上，我們使用老牌存儲(chǔ)軟件HD Tune Pro，這是一款能夠綜合衡量存儲(chǔ)產(chǎn)品性能的經(jīng)典軟件。此次的寫(xiě)入穩(wěn)定性測(cè)試，我們將連續(xù)寫(xiě)入50GB左右數(shù)據(jù)量，模擬日常生活的實(shí)際操作，通過(guò)軟件記錄寫(xiě)入性能的變化曲線，以驗(yàn)證PC005 Active 1TB版本的寫(xiě)入邏輯和緩存機(jī)制，更真實(shí)展現(xiàn)PC005 Active 1TB版本的性能表現(xiàn)。

從測(cè)試結(jié)果上，我們可以看到，在寫(xiě)入量達(dá)到6GB之前，PC005 Active 1TB版本一直維持在高水準(zhǔn)；當(dāng)超過(guò)6GB之后，PC005 Active 1TB版本的速度出現(xiàn)偏移和降速，然后一直維系在穩(wěn)定的數(shù)值，直至測(cè)試完成。這里，我們可以得到兩個(gè)關(guān)鍵結(jié)果，一是PC005 Active 1TB版本采用了SLC緩存機(jī)制，其緩存容量大致為6GB；二是，后半段穩(wěn)定的寫(xiě)入速度，展示了PC005 Active 1TB版本的強(qiáng)悍穩(wěn)定性，能夠安全穩(wěn)定的完成大容量的寫(xiě)入任務(wù)，這對(duì)于用戶(hù)而言，是相當(dāng)具有參考價(jià)值和意義的。

05 總結(jié)：高性能高耐久 PC005 Active 1TB版本未來(lái)可期

從外觀到測(cè)試，PC005 Active 1TB版本相較于512GB的升級(jí)還是肉眼可見(jiàn)的，無(wú)論是緩沖容量的倍增，還是640TBW保修設(shè)計(jì)，都彰顯了致鈦對(duì)于旗艦產(chǎn)品設(shè)計(jì)的考究。

至于在性能上，1TB的PC005 Activ的最大讀取性能已然達(dá)到3500MB/S，幾乎是PCIe3.0時(shí)代的性能天花板，足以應(yīng)付消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)各種復(fù)雜的存儲(chǔ)場(chǎng)景。

兼具高耐久和高性能的致鈦PC005 Activ 1TB版本，未來(lái)可期。

目前，這款產(chǎn)品已經(jīng)全面上架各大電商平臺(tái)，對(duì)于高性能存儲(chǔ)有需求的朋友，可以考慮入手了。
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