英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實(shí)現(xiàn)最高效率

英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET，導(dǎo)通電阻從 30m?到 350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。

了解使用此 SMD 封裝從而提高應(yīng)用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長使用壽命等等。

CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過優(yōu)化，將性能與可靠性相結(jié)合，并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著改善。相比標(biāo)準(zhǔn)封裝的連接技術(shù)，.XT 連接技術(shù)可多消散 30%的額外損耗。該全新 CoolSiC? .XT 產(chǎn)品系列表現(xiàn)出一流的熱性能和循環(huán)能力：與標(biāo)準(zhǔn)連接技術(shù)相比，輸出電流最多提高 14％，開關(guān)頻率提高一倍，工作溫度則降低 10-15°C。

特 性

開關(guān)損耗極低

短路時(shí)間 3μs

完全可控 dV/dt

典型柵極閾值電壓，VGS(th) =4.5V

不易寄生導(dǎo)通，可選用 0V 關(guān)斷柵極電壓

堅(jiān)固耐用的體二極管，實(shí)現(xiàn)硬開關(guān)

.XT 連接技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

為 1200V 優(yōu)化的 SMD 封裝，其爬電距離和電氣間隙在 PCB 上>6.1mm

Sense 引腳，可優(yōu)化開關(guān)性能

應(yīng)用示意圖

優(yōu) 勢

效率提升

實(shí)現(xiàn)更高頻率

增大功率密度

減少冷卻設(shè)計(jì)工作量

降低系統(tǒng)復(fù)雜性并降低成本

SMD 封裝能直接集成于 PCB，采用自然對(duì)流冷卻方式，無需額外的散熱器

目標(biāo)應(yīng)用

電機(jī)驅(qū)動(dòng)

基礎(chǔ)設(shè)施 - 充電樁

發(fā)電 - 太陽能組串式逆變器和優(yōu)化器

工業(yè)電源–工業(yè) UPS

競爭優(yōu)勢

無風(fēng)扇驅(qū)動(dòng)

實(shí)施被動(dòng)冷卻

最高效率，無需散熱器

通過減少零件數(shù)量并減小外形尺寸實(shí)現(xiàn)緊湊型解決方案

SMD 集成于 PCB，采用自然對(duì)流冷卻方式，僅有熱通孔

電機(jī)和逆變器一體化

采用具備大爬電距離和電氣間隙的 SMD 封裝的 1200V 器件符合安全要求

編輯：hfy