日前,中國臺灣“內政部 ”公布歸化高級專業(yè)人才審查會審查結果,美國籍的曹敏通過審查,歸化成為臺灣人,這受到各界矚目。 據(jù)報道,曹敏畢業(yè)于上海復旦大學電子工程學系,之后赴美留學,取得美國斯坦福大學物理系博士學位。 臺灣方面的報道指出 ,美國籍的曹敏專長是半導體研發(fā)設計,曾帶領臺灣積體電路制造股份有限公司團隊,開發(fā)20納米及10納米制程技術。最值得一提的是,他帶領臺積電1400人團隊,進行跨部門合作,歷經3年的堅持努力,突破高介電材料/金屬閘技術,并創(chuàng)新采用雙重曝光技術,成功開發(fā)20納米制程技術。
20納米能順利投產的另一個關鍵技術是雙重曝光(double patterning)技術,這也是臺積電首次采用這項技術。曹敏團隊開發(fā)出智能圖案拆解技術及創(chuàng)新的多層蝕刻保護膜,能克服光罩對準問題的限制,使雙曝雙蝕刻制程達到可控制量產的要求。曹敏強調,「在雙重曝光領域,臺積電有大量創(chuàng)新,業(yè)界只有我們能成功運用,遙遙領先競爭對手?!? 這項成果讓臺積電的晶圓密度能夠超越全球芯片巨擘英特爾(Intel),技術大幅領先國際,增強臺積電的競爭力,確保在晶圓代工領域的領先地位,并于2013年獲得經濟部產業(yè)創(chuàng)新獎的年度創(chuàng)新突破獎肯定。 據(jù)臺積電官網介紹,曹敏博士于2018年2月起擔任臺積公司技術發(fā)展Pathfinding副總經理。在此之前,曹敏博士自2016年起擔任Pathfinding處資深處長。曹敏博士于2002年加入臺積公司,成功協(xié)助開發(fā)多項先進的互補金屬氧化物半導體(CMOS)制程技術,包括90納米、65納米、40納米、28納米、20納米以及10納米。
自2006年至2008年,曹敏博士帶領了40納米泛用型制程技術的開發(fā),此項技術也是臺積公司首款利用超密度微縮的納米制程。2009年,首次利用高介電常數(shù)金屬閘極(HKMG)技術,成功帶領了28納米高效能制程的開發(fā)。曹敏博士其后亦帶領研發(fā)團隊開發(fā)20納米及10納米制程技術。 在加入臺積公司之前,曹敏博士自1994年至1999年任職于惠普實驗室(Hewlett-Packard Laboratories),1999年至2000年任職于PDF解決方案公司(PDF Solutions),2000年至2002年任職于百利通半導體公司(Pericom Semiconductor)。 曹敏博士在集成電路技術領域共擁有36項專利。曹博士曾在許多委員會擔任重要職務,包括國際電子元件會議(IEDM)和國際VLSI技術和電路專題研討會。曹敏博士畢業(yè)于上海復旦大學電子工程學系,于舊金山州立大學物理學系取得碩士學位,并于美國斯坦福大學物理學系取得博士學位。 現(xiàn)在,曹敏擔任研究發(fā)展/技術發(fā)展/Pathfinding副總經理。接下來,臺積電在3納米后,技術藍圖要如何發(fā)展,是否要用新方法提高價值,就要靠他研究。
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原文標題:?惋惜!臺積電關鍵人物!復旦高材生入籍臺灣!
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