Snapdragon的875將采用5納米節(jié)點(diǎn)的制造

高通技術(shù)峰會計劃于12月1日開始，該公司將發(fā)布其下一代旗艦智能手機(jī)芯片組-高通Snapdragon875?，F(xiàn)在，在正式宣布發(fā)布的幾周前，即將發(fā)布的SoC的詳細(xì)信息已在網(wǎng)上泄露。

一個新的報告來自中國聲稱，Snapdragon的875將采用5納米節(jié)點(diǎn)的制造。值得注意的是，這不是新信息，因為它早些時候已經(jīng)被揭示出來。此外，由于已經(jīng)發(fā)布了Apple A14 Bionic和華為HiSilicon Kirin 9000，因此它將不是第一個使用5nm工藝制造的芯片組。

報告顯示，即將推出的八核芯片組將配備一個時鐘頻率為2.84GHz的超大內(nèi)核，三個時鐘頻率為2.42GHz的Cortex-A78內(nèi)核以及四個時鐘頻率為1.8GHz的Cortex-A55內(nèi)核。據(jù)說還包裝了Adreno 660 GPU，以增強(qiáng)圖形性能。

以前，有報道稱，對于SD875芯片組，高通公司選擇了“超大尺寸”內(nèi)核，即Cortex-X1，據(jù)稱其性能比Cortex-A78提高了23%。

至于連通性支持，預(yù)計SoC將與Snapdragon X60 5G調(diào)制解調(diào)器一起提供，但是該公司是否選擇使其成為集成調(diào)制解調(diào)器（與之前的產(chǎn)品類似）還有待觀察。

就在幾天前，在AnTuTu基準(zhǔn)測試平臺上發(fā)現(xiàn)了由Qualcomm SD875 SoC驅(qū)動的原型設(shè)備，該芯片組獲得899，401分，CPU得分333，246分，GPU得分342，225分。

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