美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達到了創(chuàng)紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
美光、Intel合作時,走的是浮動柵極閃存單元架構(gòu),獨立后轉(zhuǎn)向電荷捕獲(charge-trap)閃存單元架構(gòu),第一代為128層堆疊,但更多的是過渡性質(zhì),用來發(fā)現(xiàn)、解決新架構(gòu)設(shè)計的各種問題。
正因如此,美光全新176層堆疊閃存所取代的,其實是96層堆疊。
據(jù)了解,美光176層閃存其實是基于兩個88層疊加而成,第一批為TLC顆粒,單個Die的容量為512Gb(64GB),當然后期很可能會加入QLC。
得益于新的閃存架構(gòu)和堆疊技術(shù),美光將176層的厚度壓縮在了45微米,基本和早期的64層浮動柵極3D NAND差不多。
這樣,即使在一顆芯片內(nèi)封裝16個Die,做到1TB的單顆容量,厚度也不會超過1.5毫米,可以輕松放入智能手機、存儲卡。
傳輸速率提高至1600MT/s,而此前96/128層的都是1200MT/s,讀寫延遲相比96層改進35%,相比128層改進25%,混合負載性能相比96層改進15%。
美光表示,176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)出貨,并用于一些Crucial英睿達品牌的消費級SSD,明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品,但沒有確認具體產(chǎn)品型號。
責任編輯:gt
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