0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)效應(yīng)被提出

工程師鄧生 ? 來(lái)源: 《Light: Science & Applic ? 作者:陳昌健 ? 2020-11-11 16:15 ? 次閱讀

近日,廈門(mén)大學(xué)、武漢大學(xué)、中國(guó)計(jì)量大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院城市環(huán)境研究所、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所合作提出了一種應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)(Force-induced charge carrier storage, FICS)效應(yīng),這種效應(yīng)能夠?qū)?yīng)力作用下產(chǎn)生的載流子存儲(chǔ)于應(yīng)力發(fā)光材料較深的能量陷阱中,隨后在熱刺激下讀取出存儲(chǔ)的應(yīng)力信息。相關(guān)研究成果以“ Force-induced charge carrier storage: A new route for stress recording ”為題發(fā)表在Light: Science & Applications。

01導(dǎo)讀

應(yīng)力傳感是電子簽名系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)健康診斷、生物醫(yī)學(xué)工程、人工智能等應(yīng)用的重要支撐。其中,基于應(yīng)力發(fā)光材料的應(yīng)力傳感技術(shù)具有分布傳感和遠(yuǎn)程響應(yīng)的顯著優(yōu)勢(shì),有望用于發(fā)展下一代觸覺(jué)傳感器和應(yīng)力記錄裝置。一般認(rèn)為,應(yīng)力發(fā)光材料在受到機(jī)械刺激的瞬間發(fā)射出光子,需要在線(xiàn)使用光電探測(cè)器對(duì)于光子進(jìn)行實(shí)時(shí)探測(cè),這使得應(yīng)力發(fā)光材料的應(yīng)用被限制于實(shí)時(shí)的應(yīng)力傳感。

近日,廈門(mén)大學(xué)、武漢大學(xué)、中國(guó)計(jì)量大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院城市環(huán)境研究所、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所合作提出了一種應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)(Force-induced charge carrier storage, FICS)效應(yīng),這種效應(yīng)能夠?qū)?yīng)力作用下產(chǎn)生的載流子存儲(chǔ)于應(yīng)力發(fā)光材料較深的能量陷阱中,隨后在熱刺激下讀取出存儲(chǔ)的應(yīng)力信息。

研究團(tuán)隊(duì)基于FICS效應(yīng)構(gòu)建了一種新的應(yīng)力記錄裝置,演示了在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)監(jiān)測(cè)和車(chē)輛碰撞監(jiān)測(cè)等方面的應(yīng)用,顯示出分布傳感、長(zhǎng)期存儲(chǔ)和無(wú)需供電的突出優(yōu)勢(shì)。該研究不僅為應(yīng)力發(fā)光材料在非實(shí)時(shí)應(yīng)力傳感領(lǐng)域的應(yīng)用帶來(lái)了新的突破,同時(shí)也為發(fā)展新型的機(jī)械能存儲(chǔ)-轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供了新的思路。

02研究背景

應(yīng)力記錄包含應(yīng)力作用的探測(cè)和記錄過(guò)程。傳統(tǒng)的應(yīng)力記錄裝置一般由探測(cè)單元和存儲(chǔ)單元組成,在記錄過(guò)程中需要對(duì)于探測(cè)單元和存儲(chǔ)單元持續(xù)提供電源。供電式應(yīng)力記錄裝置的結(jié)構(gòu)較為復(fù)雜,在長(zhǎng)時(shí)間工作中產(chǎn)生較大的能耗。研究人員一直在尋找簡(jiǎn)單高效的、無(wú)需供電的應(yīng)力記錄方式和可靠的應(yīng)力存儲(chǔ)介質(zhì)。

2009年,日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的徐超男研究員等人率先采用應(yīng)力發(fā)光材料與感光材料相結(jié)合的思路設(shè)計(jì)了一種用于無(wú)供電應(yīng)力記錄的雙層薄膜結(jié)構(gòu)。上層應(yīng)力發(fā)光材料受到應(yīng)力作用時(shí)發(fā)射出光子,下層感光材料吸收光子后產(chǎn)生光學(xué)性能(例如吸光度)的變化,光學(xué)性能的改變量與累計(jì)的應(yīng)力作用呈線(xiàn)性關(guān)系【Jpn. J. Appl. Phys. 48, 04C150 (2009)】。

2019年,比利時(shí)根特大學(xué)的Smet等人發(fā)表了利用應(yīng)力發(fā)光材料的深陷阱實(shí)現(xiàn)應(yīng)力記錄的工作。他們發(fā)現(xiàn)在紫外光照射后的應(yīng)力發(fā)光薄膜表面施加一定應(yīng)力后,載流子將從較淺的陷阱被轉(zhuǎn)移至較深的陷阱中,從而能夠在室溫下長(zhǎng)期存儲(chǔ)【Light-Sci. Appl. 8, 124 (2019)】。

上述兩個(gè)工作都是基于應(yīng)力發(fā)光材料實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)時(shí)間、無(wú)需供電的應(yīng)力記錄,開(kāi)拓了應(yīng)力發(fā)光材料在非實(shí)時(shí)應(yīng)力傳感的應(yīng)用領(lǐng)域。

一般認(rèn)為,應(yīng)力發(fā)光是應(yīng)力作用下產(chǎn)生的瞬態(tài)發(fā)光,應(yīng)力作用結(jié)束之后發(fā)光即停止。這是由于應(yīng)力發(fā)光研究中關(guān)注的是淺陷阱,預(yù)先光照激發(fā)或者應(yīng)力激發(fā)進(jìn)入淺陷阱中的載流子在應(yīng)力作用下將加速?gòu)南葳逄右莓a(chǎn)生瞬態(tài)發(fā)光(見(jiàn)圖1a)。

廈門(mén)大學(xué)團(tuán)隊(duì)在深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料研究的基礎(chǔ)上提出在具有應(yīng)力發(fā)光響應(yīng)的材料中引入深陷阱的材料設(shè)計(jì)思路,有可能能夠?qū)?yīng)力激發(fā)產(chǎn)生的載流子長(zhǎng)時(shí)間束縛于深陷阱中,從而實(shí)現(xiàn)無(wú)需預(yù)先光照激發(fā)的應(yīng)力存儲(chǔ)(見(jiàn)圖1b),為無(wú)需供電的應(yīng)力記錄應(yīng)用提供一種全新的思路。

03創(chuàng)新研究

3.1 SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中FICS現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)

研究人員將含有深陷阱的SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+材料加熱至600K(317oC)或更高溫度以清空陷阱中殘留的載流子,冷卻至室溫后在黑暗環(huán)境中輕輕研磨SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+粉體,等待一定時(shí)間后(幾分鐘至數(shù)小時(shí))加熱樣品,觀測(cè)到明顯的熱釋發(fā)光(見(jiàn)圖1c-h)。熱釋發(fā)光的強(qiáng)度與研磨的時(shí)間呈線(xiàn)性關(guān)系。

圖1 FICS現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)和可能的能級(jí)模型

3.2 SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中載流子的遷移

為了驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)中觀察到的FICS現(xiàn)象,研究人員以SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+為例對(duì)比了紫外線(xiàn)照射激發(fā)和應(yīng)力激發(fā)(已預(yù)先熱清空)時(shí)載流子的遷移路線(xiàn)。兩種激發(fā)方式下獲得的瞬態(tài)發(fā)光光譜、熱釋發(fā)光曲線(xiàn)、熱釋發(fā)光光譜基本一致(圖2b-i),說(shuō)明應(yīng)力激發(fā)產(chǎn)生的載流子存儲(chǔ)與紫外線(xiàn)激發(fā)的載流子被深陷阱俘獲過(guò)程(即光學(xué)存儲(chǔ))類(lèi)似。

研究人員進(jìn)一步討論了紫外線(xiàn)照射后和無(wú)紫外線(xiàn)照射SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+的應(yīng)力發(fā)光(圖2j-k)。即使沒(méi)有預(yù)先被紫外線(xiàn)照射,SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+也能夠產(chǎn)生應(yīng)力發(fā)光,這證實(shí)了應(yīng)力作用能夠激發(fā)SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中的載流子,其中一部分產(chǎn)生瞬態(tài)的應(yīng)力發(fā)光,另一部分被深陷阱俘獲而暫時(shí)存儲(chǔ)。

研究人員認(rèn)為,應(yīng)力施加過(guò)程中由于應(yīng)力發(fā)光顆粒之間或者發(fā)光顆粒與其他物體(例如研缽或有機(jī)物)之間摩擦產(chǎn)生的電場(chǎng)是導(dǎo)致載流子激發(fā)的可能的原因。盡管如此,應(yīng)力導(dǎo)致的載流子激發(fā)的機(jī)理解釋需要進(jìn)一步研究。

圖2 SrSi2O2N2:Eu2+,Dy3+中載流子的遷移

3.3 其他材料的FICS效應(yīng)

研究人員在其他材料中也發(fā)現(xiàn)了FICS效應(yīng),包括BaSi2O2N2:Eu2+,Dy3+、ZnS:Cu、(Sr0.5Ba0.5)Si2O2N2:Eu2+,Dy3+和SrSi2O2N2:Yb2+,Dy3+等,發(fā)光波長(zhǎng)覆蓋藍(lán)、綠、黃、紅(見(jiàn)圖3),說(shuō)明FICS效應(yīng)具有一定的普適性。目前的結(jié)果表明,BaSi2O2N2:Eu2+,Dy3+和ZnS:Cu兩種材料的FICS效應(yīng)較為明顯,在應(yīng)力作用后能夠獲得較大的熱釋發(fā)光強(qiáng)度。

圖3 其他材料的FICS現(xiàn)象

3.4 FICS效應(yīng)在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)記錄、汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用

研究人員將具有FICS效應(yīng)的材料制備成應(yīng)力記錄薄膜,演示了在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)記錄和汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用(圖4)。應(yīng)用過(guò)程包括應(yīng)力記錄、存放和讀取三個(gè)過(guò)程。以汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)為例,研究人員在一輛模型汽車(chē)后部貼上應(yīng)力記錄薄膜,這輛汽車(chē)被后車(chē)撞擊(追尾)后受力信息將被記錄在薄膜中。存儲(chǔ)一段時(shí)間后,通過(guò)加熱的方式能夠?qū)⑹芰π畔ⅲㄎ恢?、分布和相?duì)大?。┮詿後尠l(fā)光成像方式解讀出來(lái)(見(jiàn)圖4j-k)。研究表明,應(yīng)力記錄和讀取過(guò)程是非破壞性的,可以使用同一張薄膜實(shí)現(xiàn)多次的應(yīng)力記錄和讀取。

除了應(yīng)力記錄以外,這項(xiàng)工作中提出的FICS效應(yīng)也可能用于開(kāi)發(fā)新一代的機(jī)械能轉(zhuǎn)換和存儲(chǔ)系統(tǒng)。

圖4 FICS效應(yīng)在電子簽名系統(tǒng)、落點(diǎn)記錄、汽車(chē)碰撞監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用

04應(yīng)用與展望

綜上所述,研究人員在包含深陷阱的多種應(yīng)力發(fā)光材料中報(bào)道了一種應(yīng)力誘導(dǎo)載流子存儲(chǔ)(FICS)效應(yīng)。FICS效應(yīng)將施加的部分機(jī)械能記錄并存儲(chǔ)于深陷阱中,通過(guò)后續(xù)的熱釋發(fā)光成像方式還原受力狀態(tài)。

詳細(xì)的光譜研究表明,F(xiàn)ICS過(guò)程中的載流子遷移與光照射下深陷阱長(zhǎng)余輝發(fā)光材料的載流子存儲(chǔ)相似,F(xiàn)ICS的機(jī)理可能與摩擦產(chǎn)生的電場(chǎng)有關(guān)。FICS效應(yīng)在應(yīng)力記錄如電子簽名、落點(diǎn)監(jiān)測(cè)和車(chē)輛碰撞監(jiān)測(cè)等方面具有重要應(yīng)用前景,基于FICS效應(yīng)的應(yīng)力記錄系統(tǒng)無(wú)需連續(xù)供電、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、能夠?qū)崿F(xiàn)分布式記錄。

同時(shí),F(xiàn)ICS效應(yīng)也為機(jī)械能轉(zhuǎn)換和儲(chǔ)存提供了一種新的思路,有望應(yīng)用于分布式能量的收集和利用領(lǐng)域。

文章信息

Zhuang, Y., Tu, D., Chen, C. et al. Force-induced charge carrier storage: a new route for stress recording. Light Sci Appl 9, 182 (2020)。

本文第一作者為廈門(mén)大學(xué)材料學(xué)院莊逸熙,通訊作者為莊逸熙和廈門(mén)大學(xué)的解榮軍教授。合作者包括武漢大學(xué)的涂東研究員、中國(guó)計(jì)量大學(xué)的王樂(lè)教授、中國(guó)科學(xué)院城市環(huán)境研究所的張洪武研究員、中國(guó)科學(xué)院北京納米能源與系統(tǒng)研究所的潘曹峰研究員和廈門(mén)大學(xué)的戴李宗教授。

該項(xiàng)工作得到國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃2017YFB0404300、2017YFB0404301,國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目51832005、面上項(xiàng)目51872247、11804255,福建省自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目2018J01080及中國(guó)科協(xié)“青年人才托舉工程”項(xiàng)目2018QNRC001支持。

責(zé)任編輯:PSY

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 機(jī)械
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    1504

    瀏覽量

    40423
  • 存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    13

    文章

    4228

    瀏覽量

    85580
  • 應(yīng)力傳感器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    9

    瀏覽量

    11095
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    多通道應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

    有重要意義。 應(yīng)力測(cè)試的方法有以下幾類(lèi): ? 電阻應(yīng)變測(cè)量法:利用電阻應(yīng)變計(jì)測(cè)量應(yīng)力; ? 光彈性方法:利用光的彈性效應(yīng)測(cè)量應(yīng)力; ? X 射線(xiàn)衍射法:利用 X 光的衍射現(xiàn)象來(lái)測(cè)量
    的頭像 發(fā)表于 11-11 16:31 ?64次閱讀
    多通道<b class='flag-5'>應(yīng)力</b>測(cè)量系統(tǒng)

    機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力下的BGA焊點(diǎn)可靠性

    的影響,導(dǎo)致開(kāi)裂或脫落,從而影響電路的正常工作。本文將分析應(yīng)力作用下BGA焊點(diǎn)開(kāi)裂的原因,并提出相應(yīng)的控制方法。
    的頭像 發(fā)表于 11-06 08:55 ?138次閱讀
    機(jī)械<b class='flag-5'>應(yīng)力</b>和熱<b class='flag-5'>應(yīng)力</b>下的BGA焊點(diǎn)可靠性

    磁阻效應(yīng)與霍爾效應(yīng)的聯(lián)系與區(qū)別

    磁阻效應(yīng)和霍爾效應(yīng)都是與磁場(chǎng)和導(dǎo)體中的電荷載流子相互作用的現(xiàn)象。它們?cè)诎雽?dǎo)體和金屬的電子性質(zhì)研究中都非常重要,但它們描述的是不同的物理過(guò)程。 磁阻效應(yīng)(Magnetoresistanc
    的頭像 發(fā)表于 10-15 09:51 ?915次閱讀

    什么是N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道場(chǎng)效應(yīng)

    場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱(chēng)FET)是一種通過(guò)改變電場(chǎng)來(lái)控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類(lèi)型,場(chǎng)效應(yīng)管可以分為N溝道場(chǎng)效應(yīng)管和
    的頭像 發(fā)表于 09-23 16:41 ?538次閱讀

    襯底量子效應(yīng)簡(jiǎn)介

    隨著器件的特征尺寸減少到90mm 以下,柵氧化層厚度也不斷減小,載流子的物理特性不再遵從經(jīng)典理論,其量子效應(yīng)會(huì)變得非常顯著。納米器件的溝道摻雜濃度高達(dá)3*1017cm-2以上,柵氧化層的厚度小于
    的頭像 發(fā)表于 08-07 11:40 ?494次閱讀
    襯底量子<b class='flag-5'>效應(yīng)</b>簡(jiǎn)介

    應(yīng)力記憶技術(shù)介紹

    應(yīng)力記憶技術(shù)(Stress Memorization Technique, SMT),是一種利用覆蓋層Si3N4單軸張應(yīng)力提高90nm 及以下工藝制程中 NMOS速度的應(yīng)變硅技術(shù)。淀積覆蓋層
    的頭像 發(fā)表于 07-29 10:44 ?1186次閱讀
    <b class='flag-5'>應(yīng)力</b>記憶技術(shù)介紹

    正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)的聯(lián)系和區(qū)別

    壓電效應(yīng)是材料科學(xué)和物理學(xué)中的一個(gè)重要現(xiàn)象,它涉及到材料在機(jī)械應(yīng)力和電場(chǎng)之間的相互作用。壓電效應(yīng)有兩種基本形式:正壓電效應(yīng)和逆壓電效應(yīng)。這兩
    的頭像 發(fā)表于 07-26 14:47 ?952次閱讀

    氧化誘導(dǎo)期測(cè)試儀

    氧化誘導(dǎo)期測(cè)試儀是一款用于測(cè)量材料的氧化誘導(dǎo)期的儀器,通過(guò)使用氧化誘導(dǎo)期測(cè)試儀,可以測(cè)量材料的氧化誘導(dǎo)時(shí)間,這對(duì)于評(píng)估材料的耐熱性和穩(wěn)定性至關(guān)重要,尤其是在材料科學(xué)、工程應(yīng)用以及產(chǎn)品質(zhì)
    的頭像 發(fā)表于 07-12 14:48 ?203次閱讀
    氧化<b class='flag-5'>誘導(dǎo)</b>期測(cè)試儀

    了解壓電傳感器:壓電效應(yīng)

    壓電加速度計(jì)的個(gè)關(guān)鍵方面是壓電效應(yīng)。一般來(lái)說(shuō),壓電材料在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)可以產(chǎn)生電力。 相反,對(duì)壓電材料施加電場(chǎng)可以使其變形并產(chǎn)生小的機(jī)械力。盡管大多數(shù)電子工程師都熟悉壓電效應(yīng),但有時(shí)并沒(méi)有完全理解
    發(fā)表于 06-17 11:59

    半導(dǎo)體應(yīng)變片的應(yīng)變效應(yīng)?

    半導(dǎo)體應(yīng)變片的應(yīng)變效應(yīng),通常指的是壓阻效應(yīng),這是半導(dǎo)體材料在受到機(jī)械應(yīng)力作用時(shí)表現(xiàn)出來(lái)的一種特性。
    的頭像 發(fā)表于 05-16 16:15 ?969次閱讀

    鎖相放大器用于霍爾效應(yīng)測(cè)量

    霍爾效應(yīng)是電磁效應(yīng)的一種,當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過(guò)半導(dǎo)體時(shí),載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn),垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng),從而在半導(dǎo)體的兩端產(chǎn)生電勢(shì)差,這一現(xiàn)象就是霍爾效應(yīng)。霍爾
    的頭像 發(fā)表于 04-29 06:38 ?361次閱讀
    鎖相放大器用于霍爾<b class='flag-5'>效應(yīng)</b>測(cè)量

    氧化誘導(dǎo)期如何檢測(cè)?

    氧化誘導(dǎo)期(OIT)是測(cè)定材料在高溫(通常為200℃)氧氣條件下開(kāi)始發(fā)生自動(dòng)催化氧化反應(yīng)的時(shí)間,是衡量材料在成型加工、儲(chǔ)存、焊接和使用中耐熱降解能力的指標(biāo)。以下是氧化誘導(dǎo)期的檢測(cè)方法:上海和晟
    的頭像 發(fā)表于 02-27 11:19 ?892次閱讀
    氧化<b class='flag-5'>誘導(dǎo)</b>期如何檢測(cè)?

    SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

    本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱(chēng)為柵極開(kāi)關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器件對(duì)負(fù)偏壓過(guò)應(yīng)力 (NBO) 效應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 12-22 09:37 ?816次閱讀
    SiC MOSFET中的交流<b class='flag-5'>應(yīng)力</b>退化

    氧化誘導(dǎo)期分析儀具備哪些優(yōu)勢(shì)

    氧化誘導(dǎo)期分析儀是一款用于測(cè)量材料在氧化過(guò)程中的誘導(dǎo)期的儀器。它通過(guò)測(cè)量材料在氧化過(guò)程中產(chǎn)生的熱量變化,從而確定材料的氧化誘導(dǎo)期。氧化誘導(dǎo)期分析儀具備哪些優(yōu)勢(shì)?1、準(zhǔn)確性高。該儀器采用
    的頭像 發(fā)表于 12-14 13:33 ?343次閱讀
    氧化<b class='flag-5'>誘導(dǎo)</b>期分析儀具備哪些優(yōu)勢(shì)

    季豐電子激光誘導(dǎo)擊穿光譜元素分析儀介紹

    為滿(mǎn)足客戶(hù)分析需求的多樣性,季豐電子在張江實(shí)驗(yàn)室配備了激光誘導(dǎo)擊穿光譜元素分析設(shè)備,采用355nm的YAG激光誘導(dǎo)測(cè)材料產(chǎn)生光譜;
    的頭像 發(fā)表于 11-21 10:15 ?1006次閱讀
    季豐電子激光<b class='flag-5'>誘導(dǎo)</b>擊穿光譜元素分析儀介紹