0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

中芯國(guó)際14nm工藝良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)

如意 ? 來(lái)源:快科技 ? 作者:雪花 ? 2020-11-12 14:00 ? 次閱讀

對(duì)于中芯國(guó)際來(lái)說(shuō),目前困難是有的,不過(guò)他們也積極的克服。

對(duì)于出口管制一事,中芯國(guó)際董事長(zhǎng)周子學(xué)今天表示,當(dāng)前國(guó)際形勢(shì)日趨復(fù)雜,公司合法合規(guī)經(jīng)營(yíng),對(duì)美國(guó)的出口管制表示遺憾,對(duì)公司影響可控。公司持續(xù)評(píng)估影響,目前與美國(guó)方面保持積極溝通。

此外,中芯國(guó)際在業(yè)績(jī)會(huì)上表示,14nm 工藝已在去年四季度量產(chǎn),良率已達(dá)業(yè)界量產(chǎn)水準(zhǔn)??蛻魧?duì)中芯國(guó)際技術(shù)的信心也在逐步增強(qiáng)。

中芯國(guó)際官方還表示,公司只為民用終端用戶服務(wù),沒(méi)有任何軍事終端用戶,不過(guò)受美國(guó)出口管制影響,部分美系設(shè)備、零部件、原材料交付期有所延長(zhǎng)。

官方重申,中芯國(guó)際作為代工企業(yè),面向海內(nèi)外多元化客戶,自成立以來(lái)嚴(yán)格遵守經(jīng)營(yíng)地法律,合法合規(guī)經(jīng)營(yíng)。

昨天,中芯國(guó)際發(fā)布2020年Q3財(cái)報(bào),得益于14nm工藝的爆發(fā),其中單季營(yíng)收首超10億美元,創(chuàng)歷史新高。

值得一提的是,中芯國(guó)際Q3季度不僅產(chǎn)能利用率達(dá)到了97.8%,而且先進(jìn)工藝占比快速提升,14/28nm工藝占比達(dá)到了14.6%,上季度中是9.1%,去年同期是4.3%。
責(zé)編AJX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26331

    瀏覽量

    210081
  • 中芯國(guó)際
    +關(guān)注

    關(guān)注

    27

    文章

    1410

    瀏覽量

    65151
  • 14nm
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    135

    瀏覽量

    82308
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    三星3nm僅20%,仍不放棄Exynos 2500處理器,欲打造“十核怪獸”

    ,導(dǎo)致Exynos 2500不佳的原因是,這顆SoC基于三星第二代3nm GAA制程工藝——SF3工藝,然而目前第二代SF3
    的頭像 發(fā)表于 06-25 00:04 ?3404次閱讀
    三星3<b class='flag-5'>nm</b><b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>僅20%,仍不放棄Exynos 2500處理器,欲打造“十核怪獸”

    半導(dǎo)體工藝之生產(chǎn)力和工藝

    晶圓實(shí)際被加工的時(shí)間可以以天為單位來(lái)衡量。但由于在工藝站點(diǎn)的排隊(duì)以及由于工藝問(wèn)題導(dǎo)致的臨時(shí)減速,晶圓通常在制造區(qū)域停留數(shù)周。晶圓等待的時(shí)間越長(zhǎng),增加了污染的機(jī)會(huì),這會(huì)降低晶圓分選。
    的頭像 發(fā)表于 07-01 11:18 ?463次閱讀
    半導(dǎo)體<b class='flag-5'>工藝</b>之生產(chǎn)力和<b class='flag-5'>工藝</b><b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>

    三星3nm芯片低迷,量產(chǎn)前景不明

    近期,三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域遭遇挑戰(zhàn),其最新的Exynos 2500芯片在3nm工藝上的生產(chǎn)持續(xù)低迷,目前仍低于20%,遠(yuǎn)低于行業(yè)通常要求的60%
    的頭像 發(fā)表于 06-24 18:22 ?1333次閱讀

    三星3nm工藝僅20%無(wú)法實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)

    行業(yè)行業(yè)資訊
    電子發(fā)燒友網(wǎng)官方
    發(fā)布于 :2024年06月24日 11:33:32

    三星第五代DDR產(chǎn)品不達(dá)標(biāo)

    據(jù)報(bào)道,三星電子在最新的半導(dǎo)體技術(shù)探索遭遇了挑戰(zhàn)。其第五代10nm級(jí)(1b)制程DRAM的尚未達(dá)到業(yè)界通常期望的80%~90%的水平,
    的頭像 發(fā)表于 06-13 09:41 ?551次閱讀

    傳三星電子12nm級(jí)DRAM內(nèi)存不足五成

    近日,據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,三星在其1b nm(即12nm級(jí))DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過(guò)程遇到了不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的
    的頭像 發(fā)表于 06-12 10:53 ?492次閱讀

    臺(tái)積電2nm制程近況佳,N3X、N2P以及A16節(jié)點(diǎn)已在規(guī)劃

    臺(tái)積電聯(lián)合首席運(yùn)營(yíng)官?gòu)垥詮?qiáng)進(jìn)一步指出,2nm制程的研發(fā)正處于“非常順利”的狀態(tài):納米片的“轉(zhuǎn)換效果”已達(dá)預(yù)定目標(biāo)的90%,亦超過(guò)80%
    的頭像 發(fā)表于 05-24 16:38 ?668次閱讀

    三星電子澄清:3nm芯片并非更名2nm,下半年將量產(chǎn)

    李時(shí)榮聲稱,“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求,而4nm工藝已步入成熟階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm
    的頭像 發(fā)表于 03-21 15:51 ?459次閱讀

    三星電子3nm工藝低迷,始終在50%左右徘徊

    據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道稱,三星電子旗下的3納米工藝品比例仍是一個(gè)問(wèn)題。報(bào)道僅提及了“3nm”這一籠統(tǒng)概念,并沒(méi)有明確指出具體的工藝類(lèi)型。知情者透
    的頭像 發(fā)表于 03-07 15:59 ?589次閱讀

    深康佳:混合式巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)已達(dá)到99.999%

    近日,深康佳在投資者關(guān)系活動(dòng)公布了其在Micro LED領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Micro LED技術(shù)以其低功耗、高亮度、快速響應(yīng)、無(wú)縫拼接和長(zhǎng)壽命等顯著優(yōu)勢(shì),正逐漸成為顯示技術(shù)的主流。深康佳在此領(lǐng)域取得了一系列重大突破,尤其在混合式巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)方面,其
    的頭像 發(fā)表于 02-05 17:01 ?1028次閱讀

    三星3nm 0%!

    來(lái)源:EETOP,謝謝 編輯:感知視界 Link 近期韓媒DealSite+報(bào)道,表示三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題,在嘗試生產(chǎn)適用于Galaxy S25 /S25+手機(jī)的Exynos
    的頭像 發(fā)表于 02-04 09:31 ?633次閱讀

    臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn)

    12 月 14 日消息,臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議(IEDM)的小組研討會(huì)上透露,其 1.4nm 級(jí)工藝制程研發(fā)已經(jīng)全面展開(kāi)。同時(shí),臺(tái)積電重申,2
    的頭像 發(fā)表于 12-18 15:13 ?405次閱讀

    今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn);消息稱字節(jié)跳動(dòng)將取消下一代 VR 頭顯

    1. 臺(tái)積電首次提及 1.4nm 工藝技術(shù),2nm 工藝按計(jì)劃 2025 年量產(chǎn) ? 臺(tái)積電在近日舉辦的 IEEE
    發(fā)表于 12-14 11:16 ?922次閱讀

    三星突破4nm制程瓶頸,臺(tái)積電該有危機(jī)感了

    三星已將4nm制程提升到了70%左右,并重點(diǎn)在汽車(chē)芯片方面尋求突破。特斯拉已經(jīng)將其新一代FSD芯片交由三星生產(chǎn),該芯片將用于特斯拉計(jì)劃于3年后量產(chǎn)的Hardware 5(HW 5.
    的頭像 發(fā)表于 12-01 10:33 ?1590次閱讀
    三星突破4<b class='flag-5'>nm</b>制程<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>瓶頸,臺(tái)積電該有危機(jī)感了

    廣立微發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先的可測(cè)性設(shè)計(jì)自動(dòng)化和診斷解決方案

    解決痛點(diǎn) 隨著集成電路工藝越漸復(fù)雜,芯片設(shè)計(jì)規(guī)模越來(lái)越大,在生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生缺陷和出現(xiàn)問(wèn)題的概率也就越來(lái)越高。為了達(dá)到DPPM(百萬(wàn)分比的缺陷)的嚴(yán)格要求,需要通過(guò)多道測(cè)試來(lái)剔除有
    的頭像 發(fā)表于 11-26 09:07 ?815次閱讀
    廣立微發(fā)布<b class='flag-5'>業(yè)界</b>領(lǐng)先的可測(cè)性設(shè)計(jì)自動(dòng)化和<b class='flag-5'>良</b><b class='flag-5'>率</b>診斷解決方案