射頻前端(RFFE, Radio Frequency Front-End)芯片是實(shí)現(xiàn)手機(jī)及各類移動(dòng)終端通信功能的核心元器件,全球市場(chǎng)超過(guò)百億美金級(jí)別。過(guò)去10年本土手機(jī)的全面崛起,為本土射頻前端產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ);而5G在中國(guó)的率先商用化,以及全球貿(mào)易環(huán)境的變化,又給本土射頻行業(yè)加了兩捆柴火。射頻前端芯片產(chǎn)業(yè)在我國(guó)也已經(jīng)有了15年以上的發(fā)展歷史,創(chuàng)新和創(chuàng)業(yè)活動(dòng)非常活躍,各類企業(yè)數(shù)十家,也是市場(chǎng)和資本高度關(guān)注的領(lǐng)域。本文作者有幸在射頻芯片行業(yè)從業(yè)11年,從2G時(shí)代做到今天的5G,也在外企、民企、國(guó)企都工作過(guò),直接開(kāi)發(fā)并大量量產(chǎn)過(guò)射頻的每一類型產(chǎn)品。這篇文章總結(jié)了作者與一些行業(yè)朋友近些年的討論,嘗試對(duì)射頻模組產(chǎn)品的技術(shù)市場(chǎng)及商業(yè)邏輯進(jìn)行梳理。同時(shí),本土射頻發(fā)展了十余年,競(jìng)爭(zhēng)是行業(yè)主線,合作與友誼是非常稀缺的資源。本文將會(huì)重點(diǎn)分享“模組化”的相關(guān)知識(shí),也是希望更多的本土廠商去通過(guò)“合作”分享模組化的巨大機(jī)遇。
引言
根據(jù)魏少軍教授在“2020全球CEO峰會(huì)”的《人間正道是滄桑-關(guān)于大變局下的戰(zhàn)略定力》主題演講,統(tǒng)計(jì)得出對(duì)中國(guó)市場(chǎng)依賴度最高(依營(yíng)收占比計(jì)算)的美國(guó)公司。我們可以看到SKYWORKS、Qualcomm、Qorvo、Broadcom這四家美國(guó)射頻巨頭(其中SKYWORKS和Qorvo以射頻業(yè)務(wù)為主;Qualcomm和Broadcom包含了射頻業(yè)務(wù))恰好占據(jù)了排行榜前4名。
射頻前端的國(guó)際情況
射頻前端技術(shù)主要集中在濾波器(Filter)、功率放大器(PA, Power Amplifier)、低噪聲放大器(Low Noise Amplifier)、開(kāi)關(guān)(RF Switch)。目前全球射頻市場(chǎng)由引言提到的四家美國(guó)射頻公司Skyworks、Qualcomm、Qorvo、Broadcom與日本Murata這五大射頻巨頭寡占。
五家射頻巨頭在PA與LNA等市場(chǎng)占有率超過(guò)九成。濾波器方面,則分為聲表面波(SAW, Surface Acoustic Wave)與體表面波(BAW, Bulk Acoustic Wave)濾波兩種主要技術(shù)。目前,SAW濾波器市場(chǎng)由Murata占據(jù)一半,Skyworks約10%,Qorvo約4%,其余則被太陽(yáng)誘電、TDK等大廠瓜分。BAW濾波器的市場(chǎng)則由美國(guó)企業(yè)占據(jù)9成市場(chǎng)。
由此可見(jiàn),射頻前端是巨大的市場(chǎng),能容納5家國(guó)際巨頭持續(xù)發(fā)展。國(guó)際巨頭的技術(shù)跨度大,模組化能力強(qiáng);模組化產(chǎn)品是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)的主賽道。每家巨頭都擁有BAW技術(shù)或其替代方案。
射頻前端的國(guó)內(nèi)情況
關(guān)于射頻前端的國(guó)內(nèi)情況有很多文章都曾提到,這里不贅述,只給幾個(gè)共識(shí)比較多的結(jié)論:
1.本土公司普遍以分立器件為主要方向;分立器件是當(dāng)前本土競(jìng)爭(zhēng)的主賽道。2.本土公司缺乏先進(jìn)濾波器技術(shù)及產(chǎn)品,模組化能力普遍不強(qiáng)。
5G模組化挑戰(zhàn)及機(jī)遇的來(lái)源
PCB布線空間及射頻調(diào)試時(shí)間的挑戰(zhàn),下沉到了入門(mén)級(jí)手機(jī),打通了國(guó)產(chǎn)模組芯片的迭代升級(jí)路徑。
射頻模組芯片,不是一個(gè)新生的產(chǎn)品系列。事實(shí)上,射頻模組芯片的使用幾乎與LTE商業(yè)化同時(shí)發(fā)生。過(guò)去10年內(nèi),各種復(fù)雜的射頻模組已經(jīng)普遍應(yīng)用在了各品牌的旗艦手機(jī)中;與此同時(shí),在大量的入門(mén)級(jí)手機(jī)上,分立器件的方案也完全能夠滿足各方面的要求。因此在過(guò)去10年就出現(xiàn)了涇渭分明的兩個(gè)市場(chǎng):旗艦機(jī)型用模組方案;入門(mén)機(jī)型用分立方案。模組方案要求“高集成度和高性能”,因而價(jià)格也很高;而分立方案要求“中低集成度和中等性能”,售價(jià)相對(duì)而言就低不少。兩種方案之間存在巨大的技術(shù)和市場(chǎng)差異,我們可以把這個(gè)稱作4G時(shí)代的“模組鴻溝”。
5G的到來(lái),徹底改變了這個(gè)狀況。
相比于4G入門(mén)級(jí)手機(jī)的2~4根天線,5G入門(mén)級(jí)手機(jī)的天線數(shù)目增加到了8~12根;需要支持的頻段及頻段組合也在4G的基礎(chǔ)上顯著增加。大家知道,射頻元器件的數(shù)目,與天線數(shù)目及頻段強(qiáng)相關(guān),這就意味著射頻元器件的數(shù)目出現(xiàn)了急劇地增長(zhǎng)。與此同時(shí),由于結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的要求,5G手機(jī)留給射頻前端的PCB面積是無(wú)法增加的,因此分立方案的面積大大超過(guò)了可用的PCB面積。這是空間帶來(lái)的約束。
還有一個(gè)挑戰(zhàn),來(lái)自于調(diào)試時(shí)間。4G使用分立器件方案的射頻調(diào)試時(shí)間,一般在一周以內(nèi)。隨著5G射頻復(fù)雜度的顯著提升,假設(shè)使用分立方案,可能會(huì)帶來(lái)3~5倍的調(diào)試時(shí)間增加;從成本上來(lái)講,還需要消耗更貴的5G測(cè)試設(shè)備、熟悉5G測(cè)試的工程師資源。如果使用模組,大部分的調(diào)試已經(jīng)在模組設(shè)計(jì)過(guò)程中在內(nèi)部實(shí)現(xiàn)了,調(diào)試工作量將更多地移到軟件端,因此調(diào)試效率大大提升。這是時(shí)間帶來(lái)的約束。
時(shí)間和空間的約束,強(qiáng)烈而普遍。因此在入門(mén)級(jí)5G手機(jī)中,就天然出現(xiàn)了對(duì)“中低性能和高集成度”模組的需求,與旗艦手機(jī)的“中高性能和高集成度”模組形成了管腳統(tǒng)一。既然都需要高集成度的模組,只是指標(biāo)要求不一樣,這樣國(guó)產(chǎn)的模組芯片就可以從“中低性能”(5G入門(mén)級(jí)手機(jī))向“中高性能”(5G旗艦手機(jī))迭代演進(jìn)。因此,“模組鴻溝”便被填平了。
任何事情都是兩面的?!澳=M鴻溝”被填平以后,分立市場(chǎng)的空間也出現(xiàn)了風(fēng)險(xiǎn);對(duì)專長(zhǎng)于分立芯片的本土企業(yè)來(lái)講,也需要巨大的資源和力量去在模組產(chǎn)品中找到自身的位置;如果不能突破,就會(huì)在不遠(yuǎn)的未來(lái)進(jìn)入到瓶頸階段。
在5G的早期階段,目前市場(chǎng)上也出現(xiàn)了一種混合方案,即用分立器件和模組混搭的方案。這個(gè)方案的出現(xiàn),有很多客觀的原因,其中就包括歷史上形成的“模組鴻溝”。這種方案是妥協(xié)的產(chǎn)物,犧牲了一些關(guān)鍵指標(biāo),而且面積上也做了讓步。如果沒(méi)有專注做國(guó)產(chǎn)化模組的芯片公司,就不會(huì)有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)模組芯片;如果沒(méi)有優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)模組芯片,模組方案的價(jià)格永遠(yuǎn)高高在上。
濾波器技術(shù)簡(jiǎn)要分類
BAW 濾波器: 即體聲波濾波器。具有插入損耗小、帶外衰減大等優(yōu)點(diǎn),同時(shí)對(duì)溫度變化不敏感,BAW濾波器的尺寸大小會(huì)隨著頻率升高而縮小,因此尤其適用于1.7GHz以上的中高頻通信,在5G與sub-6G的應(yīng)用中有明顯優(yōu)勢(shì)。
SAW濾波器: 即聲表面波濾波器。采用石英晶體、鈮酸鋰、壓電陶瓷等壓電材料,利用其壓電效應(yīng)和表面波傳播的物理特性而制成的一種濾波專用器件。SAW濾波器具有性能穩(wěn)定、使用方便、頻帶寬等優(yōu)點(diǎn),是頻率在1.6GHz以下的應(yīng)用主流。但存在插入損耗大、處理高頻率信號(hào)時(shí)發(fā)熱問(wèn)題嚴(yán)重等缺點(diǎn),因此在處理1.6GHz以上的高頻信號(hào)時(shí)適用性較差。
LC型濾波器: 即電感電容型濾波器。LC濾波器一般是由濾波電容、電抗和電阻適當(dāng)組合而成,電感與電容一起組成LC濾波電路。
射頻模組簡(jiǎn)要分類
射頻前端模組是將射頻開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器、濾波器、雙工器、功率放大器等兩種或者兩種以上的分立器件集成為一個(gè)模組,從而提高集成度和性能,并使體積小型化。根據(jù)集成方式的不同,主集天線射頻鏈路可分為:FEMiD(集成射頻開(kāi)關(guān)、濾波器和雙工器)、PAMiD(集成多模式多頻帶PA和FEMiD)、LPAMiD(LNA、集成多模式多頻帶PA和FEMiD)等;分集天線射頻鏈路可分為:DiFEM(集成射頻開(kāi)關(guān)和濾波器)、LFEM(集成射頻開(kāi)關(guān)、低噪聲放大器和濾波器)等。
主集天線射頻鏈路
分集天線射頻鏈路
射頻前端的“價(jià)值密度”
既然5G手機(jī)PCB面積是受限制的資源,同時(shí)我們需要在5G手機(jī)內(nèi)“擠入”更多的射頻功能器件,因此我們?cè)u(píng)價(jià)每一類型射頻器件時(shí),需要建立一個(gè)參數(shù)來(lái)進(jìn)行統(tǒng)一描述,作為反映其價(jià)值與PCB占用面積的綜合指標(biāo)。
ValueDensity=(平均銷售價(jià)格ASP)/(芯片封裝大?。?/p>
接下來(lái),我們使用VD值這個(gè)工具,分別分析一下濾波器、功率放大器、射頻模組三類產(chǎn)品的情況。
1. 濾波器的VD值
首先說(shuō)明一點(diǎn),由于通常情況下濾波器還需要外部的匹配電路,實(shí)際的VD值比器件的VD值還要再低一些。我們先忽略這個(gè)因素。根據(jù)以上的數(shù)據(jù),我們可以得到一些結(jié)論:從LTCC到四工器,VD值持續(xù)增加,從1.2到10.0,增加比較快速。
2. 功率放大器的VD值
根據(jù)以上數(shù)據(jù),也可以看到: a) 從2G到4G,VD值從0.6增加到了1.5。b) 4G向CAT1演進(jìn)的小型化產(chǎn)品,以及向HPUE或者Phase5N演進(jìn)的大功率PA,VD值增加到了2附近。
3. 射頻模組的VD值
根據(jù)以上數(shù)據(jù),可以觀察到: a) 接收模組普遍的VD值在5附近;b) 接收模組中的小封裝H/M/L LFEM,VD值非常突出,大于10;c) 發(fā)射模組(除FEMiD以外),VD值在4~6之間;d) FEMiD具有發(fā)射模組最高的VD值。因此當(dāng)FEMiD與VD值較低的MMMB PA混搭時(shí),也能達(dá)到合理的PCB布圖效率。
表格匯總的同時(shí),我們也增加了技術(shù)國(guó)產(chǎn)化率和市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率的參考數(shù)據(jù)。一般來(lái)講,市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率較低的、或者技術(shù)國(guó)產(chǎn)化率遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)國(guó)產(chǎn)化率數(shù)字的細(xì)分品類,VD值會(huì)虛高一些。在本土相應(yīng)產(chǎn)品市占率提高以后,未來(lái)還會(huì)有比較明顯的降價(jià)空間。
射頻發(fā)射模組的五重山
發(fā)射1: PA與LC型濾波器的集成,主要應(yīng)用在3GHz~6GHz的新增5G頻段,典型的產(chǎn)品是n77、n79的PAMiF或者LPAMiF。這些新頻段的5GPA設(shè)計(jì)非常有挑戰(zhàn),但由于新頻段頻譜相對(duì)比較“干凈”,所以對(duì)濾波器的要求不高,因此LC型的濾波器(IPD、LTCC)就能勝任。綜合來(lái)看,這類產(chǎn)品屬于有挑戰(zhàn)但不復(fù)雜的產(chǎn)品,其技術(shù)和成本均由PA絕對(duì)掌控。
發(fā)射2: PA與BAW(或高性能SAW)的集成,典型產(chǎn)品是n41的PAMiF或者Wi-Fi的iFEM類產(chǎn)品,頻段在2.4GHz附近。這類產(chǎn)品的頻段屬于常見(jiàn)頻段,PA部分的技術(shù)規(guī)格有一定挑戰(zhàn)但并不高。由于工作在了2.4GHz附近,頻段非常擁擠,典型的產(chǎn)品內(nèi)需要集成高性能的BAW濾波器來(lái)實(shí)現(xiàn)共存。這類產(chǎn)品由于濾波器的功能并不復(fù)雜,PA仍有技術(shù)控制力;但在成本方面,濾波器可能超過(guò)了PA。綜合來(lái)講,這類產(chǎn)品屬于有挑戰(zhàn)但不復(fù)雜的產(chǎn)品,PA有一定的控制力。
發(fā)射3: LowBand發(fā)射模組。LB (L)PAMiD通常集成了1GHz以下的4G/5G頻段(例如B5、B8、B26、B20、B28等等),包括高性能功率放大器以及若干低頻的雙工器;在不同的方案里,還可能集成GSM850/900及DCS/PCS的2GPA,以進(jìn)一步提高集成度。低頻的雙工器通常需要使用TC-SAW技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn),以達(dá)到最佳的系統(tǒng)指標(biāo)。根據(jù)系統(tǒng)方案的需要,如果在LB PAMiD的基礎(chǔ)上再集成低噪聲放大器(LNA),這類產(chǎn)品就叫做LB LPAMiD??梢钥吹剑@類產(chǎn)品的復(fù)雜度已經(jīng)比較高:PA方面,需要集成高性能的4G/5GPA,有時(shí)候還需要集成大功率的2GPA Core;濾波器方面,通常需要3~5顆使用晶圓級(jí)封裝(WLP)的TC-SAW雙工器??偝杀镜慕嵌葋?lái)看(假設(shè)需要集成2GPA),PA/LNA部分和濾波器部分占比基本相當(dāng)。LB (L)PAMiD是需要有相對(duì)比較平衡的技術(shù)能力,因此第三級(jí)臺(tái)階出現(xiàn)在了PA和Filter的交界處。
發(fā)射4: FEMiD。這類產(chǎn)品通常包含了從低頻到高頻的各類濾波器/雙工器/多工器,以及主通路的天線開(kāi)關(guān);并不集成PA。FEMiD產(chǎn)品通常需要集成LTCC、SAW、TC-SAW、BAW(或性能相當(dāng)?shù)腎.H.PSAW)和SOI開(kāi)關(guān)。村田公司定義了這類產(chǎn)品,并且過(guò)去近8年的時(shí)間內(nèi),占據(jù)了該市場(chǎng)的絕對(duì)主導(dǎo)權(quán)。三星、華為等手機(jī)大廠,曾經(jīng)或正在大量使用這類產(chǎn)品在其中高端手機(jī)中。如前文所述,有競(jìng)爭(zhēng)力的PAMiD供應(yīng)商主要集中在北美地區(qū);出于供應(yīng)鏈多樣化的考慮,一些出貨量非常大的手機(jī)型號(hào),就可能考慮使用MMMB(Multi-Mode Multi-Band) PA加FEMiD的架構(gòu)。MMMB PA的合格供應(yīng)商廣泛分布在北美、中國(guó)、韓國(guó),而日本村田的FEMiD產(chǎn)能非常巨大(主要表現(xiàn)在LTCC和SAW)。又如前文所述,F(xiàn)EMiD的VD值非常高,整體方案的空間利用率也在合理范圍內(nèi)。
發(fā)射5: M/H (L)PAMiD。這類產(chǎn)品是射頻前端最高市場(chǎng)價(jià)值也是綜合難度最大的領(lǐng)域,是射頻前端細(xì)分市場(chǎng)的巔峰。M/H通常覆蓋的頻率范圍是1.5GHz~3.0GHz。這個(gè)頻段范圍,是移動(dòng)通信的黃金頻段。最早的4個(gè)FDDLTE 頻段Band1/2/3/4在這個(gè)范圍內(nèi),最早的4個(gè)TDD LTE頻段B34/39/40/41在這個(gè)范圍內(nèi),TDS-CDMA的全部商用頻段在這個(gè)范圍內(nèi),最早商用的載波聚合方案(Carrier Aggregation)也出現(xiàn)在這個(gè)范圍(由B1+B3四工器實(shí)現(xiàn)),GPS、Wi-Fi 2.4G、Bluetooth等重要的非蜂窩網(wǎng)通信也都工作在這個(gè)范圍??梢韵胂螅@段頻率范圍最大的特點(diǎn)就是“擁擠”和“干擾”,也恰恰是高性能BAW濾波器發(fā)揮本領(lǐng)的廣闊舞臺(tái)。由于這個(gè)頻率范圍商用時(shí)間較長(zhǎng),該頻率范圍內(nèi)的PA技術(shù)相對(duì)比較成熟,核心的挑戰(zhàn)來(lái)自于濾波器件。
先解釋一下為什么這段頻率是移動(dòng)通信的黃金頻率。在很長(zhǎng)的發(fā)展過(guò)程中,移動(dòng)通信的驅(qū)動(dòng)力來(lái)自移動(dòng)終端的普及率,而移動(dòng)終端普及的核心挑戰(zhàn)在于終端的性能和成本。過(guò)高的頻率,例如3GHz以上、10GHz以上,半導(dǎo)體晶體管的特性下降很快,很難做出高性能;而過(guò)低的頻率,例如800MHz以下、300MHz以下,需要天線的尺寸會(huì)非常巨大,同時(shí)用來(lái)做射頻匹配的電感值和電容值也會(huì)很大,在終端尺寸的約束下,超低頻段的射頻性能很難達(dá)到系統(tǒng)指標(biāo)。簡(jiǎn)而言之,從有源器件(晶體管)的性能角度出發(fā),希望頻率低一些;從無(wú)源器件(電容電感和天線)的性能角度出發(fā),希望頻率高一些。有源器件與無(wú)源器件從本質(zhì)上的沖突,到應(yīng)用端的折衷,再到模組內(nèi)的融合,恰如兩股強(qiáng)大的冷暖洋流,在人類最波瀾壯闊的移動(dòng)通信主航道上,相匯于1.5~3GHz的頻段,形成了終端射頻最復(fù)雜也最有價(jià)值的黃金漁場(chǎng):M/HB (L)PAMiD。多么地美妙!
這類高端產(chǎn)品的市場(chǎng),目前主要由美商Broadcom、Qorvo、RF360等廠商占據(jù)。Qorvo公司在其官方公眾號(hào)上提供的芯片開(kāi)蓋分析。可以看到,該類產(chǎn)品包含10顆以上的BAW,2~3顆的GaAs HBT,以及3~5顆SOI和1顆CMOS控制器,具有射頻產(chǎn)品最高的技術(shù)復(fù)雜度。該類產(chǎn)品通常需要集成四工器或者五/六工器這類超高VD值的器件。
射頻接收模組的五重山
接收1: 使用RF-SOI工藝在單顆die上實(shí)現(xiàn)了射頻Switch和LNA。雖然僅僅是單顆die,但從功能上也屬于復(fù)合功能的射頻模組芯片。這類產(chǎn)品主要的技術(shù)是RF-SOI,在4G和5G都有一些應(yīng)用。
接收2 :使用RF-SOI工藝實(shí)現(xiàn)LNA和Switch的功能,然后與一顆LC型(IPD或者LTCC)的濾波器芯片實(shí)現(xiàn)封裝集成。LC型濾波器適合3~6GHz大帶寬、低抑制的要求,適用于5G NR部分的n77/n79頻段。這類產(chǎn)品也是SOI技術(shù)主導(dǎo),主要應(yīng)用在5G。
接收3: 從接收3往上走,接收模組開(kāi)始需要集成若干SAW濾波器,集成度越來(lái)越高。通常需要集成單刀多擲(SPnT)或者雙刀多擲(DPnT)的SOI開(kāi)關(guān),以及若干通路支持載波聚合(CA)的SAW濾波器。封裝方式上,由于“接收3”的集成程度還不極限,因此有多種可能的路徑。其中國(guó)際廠商的產(chǎn)品主要以WLP技術(shù)為主,除了在可靠度及產(chǎn)品厚度方面有優(yōu)勢(shì),主要還是可以在更高集成度的其他產(chǎn)品中進(jìn)行復(fù)用。
接收4: 這類產(chǎn)品叫做MIMO M/H LFEM。主要是針對(duì)M/H Band的頻段(例如B1/3/39/40/41/7)應(yīng)用了MIMO技術(shù),增加通信速率,在一些中高端手機(jī)是屬于入網(wǎng)強(qiáng)制要求??雌饋?lái)通信業(yè)對(duì)M/H這個(gè)黃金頻段果然是真愛(ài)啊。技術(shù)角度出發(fā),這類產(chǎn)品以RF-SOI技術(shù)實(shí)現(xiàn)的LNA加Switch為基礎(chǔ),再集成4~6個(gè)通路的M/H高性能SAW濾波器。國(guó)際廠商在這些頻段已經(jīng)開(kāi)始普遍使用TC-SAW的技術(shù),以達(dá)到最好的整體性能。
接收5: 接收芯片的最高復(fù)雜度,就是H/M/L的LFEM。這類產(chǎn)品以非常小的尺寸,實(shí)現(xiàn)了10~15路頻段的濾波(SAW Filter)、通路切換(RF-Switch)以及信號(hào)增強(qiáng)(LNA),具有超高的Value Density值(10左右),在5G項(xiàng)目上能幫助客戶極大地壓縮Rx部分占用的PCB面積,把寶貴的面積用在發(fā)射/天線等部分,提升整體性能。這類產(chǎn)品需要的綜合技能最高,也基本必須要用WLP形式的先進(jìn)封裝方式才能滿足尺寸、可靠度、良率的要求。
總結(jié)
1.射頻模組的核心要求是多種元器件的小型化及模組集成。
2.無(wú)論是發(fā)射模組還是接收模組,純5G的模組是困難但不復(fù)雜,最有挑戰(zhàn)也最具價(jià)值的是4G/5G同時(shí)支持的高復(fù)雜度模組。
本土替代是黃金機(jī)遇,不需要賽道創(chuàng)新,核心是技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)4G/5G射頻芯片的產(chǎn)品化、小型化、模組化。開(kāi)元通信專注于射頻模組芯片的開(kāi)發(fā),在廈門(mén)、上海和臺(tái)北建立了研發(fā)中心,“all-in模組”,以射頻模組為目標(biāo)配置關(guān)鍵資源,堅(jiān)定地推進(jìn)最高性價(jià)比和最實(shí)惠價(jià)格的模組芯片,以加速國(guó)產(chǎn)模組產(chǎn)品的量產(chǎn),助力中國(guó)通信產(chǎn)業(yè)的健康發(fā)展。
射頻模組的產(chǎn)業(yè)化率先發(fā)端在西方企業(yè),比中國(guó)早5到10年;如本文篇頭的圖片,國(guó)外射頻模組大量在中國(guó)市場(chǎng)銷售,中國(guó)還停留在分立器件產(chǎn)業(yè)的階段。中國(guó)產(chǎn)業(yè)當(dāng)然應(yīng)該奮起直追,而奮起直追的第一步,就是先要深入分析5G模組的相關(guān)知識(shí),結(jié)合自身競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),尋找合適的切入點(diǎn),最終全身心地?fù)肀=M化的產(chǎn)業(yè)潮流。只要全身心地?fù)肀С绷?,我們有充分信心,用五年十年左右的時(shí)間,完成本土射頻模組的飛躍。
舉一個(gè)類似的成功例子。近代的工業(yè)革命率先發(fā)端在西歐,西歐已經(jīng)開(kāi)始工業(yè)化,而俄國(guó)還是落后的封建農(nóng)業(yè)國(guó)家。1703年,羅曼諾夫王朝沙皇彼得一聲令下,要在波羅的海的港口建造新的首都,盡管眾人反對(duì),哪怕萬(wàn)千爭(zhēng)議,這位俄國(guó)歷史上數(shù)一數(shù)二的君王,這位喬裝成工匠在西歐游歷學(xué)習(xí)的君王,力排萬(wàn)難要建造一個(gè)通往歐洲通往世界的俄國(guó)新首都(圣彼得堡),全面地?fù)肀W洲、擁抱海洋、擁抱工業(yè)革命。歐洲、海洋、工業(yè)革命,就是18世紀(jì)國(guó)家的潮流;國(guó)產(chǎn)替代、5G、射頻模組,就是今天射頻前端行業(yè)的潮流。
彼得大帝出生時(shí),俄國(guó)是砧板上的魚(yú)肉,去世時(shí)俄國(guó)已然是切肉之刃。在本土手機(jī)行業(yè)已經(jīng)全面崛起的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)上,希望我們中國(guó)的射頻行業(yè)能夠奮勇前行,擁抱國(guó)產(chǎn)替代、5G信息化、射頻模組化的歷史浪潮。如果說(shuō)在我們?nèi)胄袝r(shí),中國(guó)的射頻行業(yè)還如砧板上的魚(yú)肉,那么希望在我們大家打算“退休”時(shí),中國(guó)的射頻行業(yè)已經(jīng)是切肉之刃。與諸君共勉!
責(zé)任編輯:tzh
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