0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Microchip最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管功率器件

Microchip微芯 ? 來(lái)源:Microchip微芯 ? 作者:Microchip微芯 ? 2020-11-18 16:22 ? 次閱讀

汽車電氣化浪潮正席卷全球,電動(dòng)汽車搭載的電機(jī)、車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器高壓汽車系統(tǒng)都需要碳化硅(SiC)等創(chuàng)新電源技術(shù)Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)今日宣布推出最新通過(guò)認(rèn)證的700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)功率器件,為電動(dòng)汽車(EV)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了符合嚴(yán)苛汽車質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的解決方案,同時(shí)支持豐富的電壓、電流和封裝選項(xiàng)。

Microchip新推出的器件通過(guò)了AEC-Q101認(rèn)證,對(duì)于需要在提高系統(tǒng)效率的同時(shí)保持高質(zhì)量的電動(dòng)汽車電源設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō),可以最大限度地提高系統(tǒng)的可靠性和耐用性,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定和持久的應(yīng)用壽命。新器件卓越的雪崩整流性能使設(shè)計(jì)人員可以減少對(duì)外部保護(hù)電路的需求,降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。

Microchip分立產(chǎn)品業(yè)務(wù)部副總裁Leon Gross表示:“作為汽車行業(yè)的長(zhǎng)期供應(yīng)商,Microchip持續(xù)拓展車用電源解決方案,引領(lǐng)汽車電氣化領(lǐng)域的電源系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。我們一直專注于提供汽車解決方案,幫助客戶輕松過(guò)渡到碳化硅(SiC),同時(shí)將質(zhì)量、供應(yīng)和支持挑戰(zhàn)的風(fēng)險(xiǎn)降至最低?!?/p>

Microchip作為汽車行業(yè)供應(yīng)商的歷史已經(jīng)超過(guò)25年。公司擁有碳化硅(SiC)技術(shù)以及多個(gè)通過(guò)IATF 16949:2016認(rèn)證的制造工廠,可通過(guò)靈活的制造方案提供高質(zhì)量器件,幫助最大限度地降低供應(yīng)鏈風(fēng)險(xiǎn)。

經(jīng)過(guò)Microchip內(nèi)部以及第三方測(cè)試,關(guān)鍵可靠性指標(biāo)已經(jīng)證明,與其他廠商生產(chǎn)的SiC器件相比,Microchip 的器件性能更加卓越。與其他在極端條件下出現(xiàn)性能下降的碳化硅( SiC) 器件不同,Microchip 器件性能保持穩(wěn)定,有助于延長(zhǎng)應(yīng)用壽命。Microchip 碳化硅(SiC)解決方案的可靠性和耐用性在業(yè)界處于領(lǐng)先水平。其耐用性測(cè)試表明,Microchip 的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)在非箝位電感開(kāi)關(guān)(UIS)中的能量承受能力提升20%,在高溫下電流泄漏水平最低,從而可以延長(zhǎng)系統(tǒng)壽命,實(shí)現(xiàn)更可靠的運(yùn)行。

Microchip 的 SiC 汽車功率器件進(jìn)一步拓展了其豐富的控制器模擬和連接解決方案產(chǎn)品組合,為設(shè)計(jì)人員提供電動(dòng)汽車和充電站的整體系統(tǒng)解決方案。Microchip還利用最新一代碳化硅(SiC)裸片,提供700、1200和1700V 碳化硅肖特基二極管(SiC SBD)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET功率模塊的廣泛產(chǎn)品組合。此外,Microchip推出的dsPIC數(shù)字信號(hào)控制器可提供高性能、低功耗和靈活的外設(shè)。Microchip的AgileSwitch系列數(shù)字可編程驅(qū)動(dòng)器進(jìn)一步加快了從設(shè)計(jì)階段到生產(chǎn)的進(jìn)程。這些解決方案還可應(yīng)用于可再生能源、電網(wǎng)、工業(yè)、交通、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、航空航天和國(guó)防系統(tǒng)。

開(kāi)發(fā)工具

Microchip 通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證的碳化硅肖特基二極管(SiC SBD) 器件支持 SPICE 和 PLECS 仿真模型以及 MPLAB Mindi 模擬仿真器。同時(shí)還提供Microchip SBD(1200V, 50A)作為功率級(jí)的一部分的PLECS參考設(shè)計(jì)模型,即Vienna三相功率因數(shù)校正(PFC)參考設(shè)計(jì)。

供貨與定價(jià)

Microchip車用的700和1200V SiC SBD器件(也可作為功率模塊的裸片)已經(jīng)通過(guò)AEC-Q101認(rèn)證,現(xiàn)已開(kāi)始接受批量訂單。如需了解更多信息,請(qǐng)聯(lián)系Microchip銷售代表、全球授權(quán)經(jīng)銷商或訪問(wèn)Microchip網(wǎng)站。

Microchip Technology Inc. 簡(jiǎn)介

Microchip Technology Inc.(納斯達(dá)克股市代號(hào):MCHP)是致力于智能、互聯(lián)和安全的嵌入式控制解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商。其易于使用的開(kāi)發(fā)工具和豐富的產(chǎn)品組合讓客戶能夠創(chuàng)建最佳設(shè)計(jì),從而在降低風(fēng)險(xiǎn)的同時(shí)減少系統(tǒng)總成本,縮短上市時(shí)間。Microchip的解決方案為工業(yè)、汽車、消費(fèi)、航天和國(guó)防、通信以及計(jì)算市場(chǎng)中12萬(wàn)多家客戶提供服務(wù)。Microchip總部位于美國(guó)亞利桑那州Chandler市,提供出色的技術(shù)支持、可靠的產(chǎn)品交付和卓越的質(zhì)量。詳情請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.microchip.com 。

注:Microchip的名稱和徽標(biāo)組合、Microchip徽標(biāo)、AgileSwitch、dsPIC和MPLAB均為Microchip Technology Incorporated在美國(guó)和其他國(guó)家或地區(qū)的注冊(cè)商標(biāo)。Mindi為Microchip Technology Inc.在美國(guó)和其他國(guó)家或地區(qū)的商標(biāo)。在此提及的所有其他商標(biāo)均為各持有公司所有。

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 二極管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    147

    文章

    9444

    瀏覽量

    164546
  • microchip
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    1492

    瀏覽量

    117366
  • 肖特基
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    620

    瀏覽量

    62879

原文標(biāo)題:Microchip推出最新一代汽車用700和1200V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)

文章出處:【微信號(hào):MicrochipTechnology,微信公眾號(hào):Microchip微芯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

    SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢(shì)二極管,也被稱為SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 09-10 14:55 ?366次閱讀

    STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書(shū)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《STPSC12C065-Y汽車650V功率肖特基碳化硅二極管規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 09-05 11:36 ?0次下載

    肖特基二極管與其他二極管的區(qū)別

    肖特基二極管(Schottky Diode),也被稱為肖特基勢(shì)壘二極管,是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件。它與其他類型的二極管(如普
    的頭像 發(fā)表于 07-24 15:05 ?2813次閱讀

    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件

    碳化硅(SiC)肖特基二極管是一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基肖特基二極管的半導(dǎo)體器件。
    的頭像 發(fā)表于 04-11 10:27 ?543次閱讀
    瑞能半導(dǎo)體推出一種帶隙大于傳統(tǒng)硅基<b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>的半導(dǎo)體<b class='flag-5'>器件</b>

    肖特基勢(shì)壘二極管的特征有什么

    肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)是一種基于金屬-半導(dǎo)體接觸的二極管,而非傳統(tǒng)的PN結(jié)。這種特殊的結(jié)構(gòu)賦予了SBD獨(dú)特的電氣特性,使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應(yīng)用。 Si-SBD(硅
    的頭像 發(fā)表于 02-23 11:30 ?721次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>的特征有什么

    20 V,1 A低VF肖特基勢(shì)壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V,1 A低VF肖特基勢(shì)壘二極管PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-19 14:15 ?0次下載
    20 <b class='flag-5'>V</b>,1 A低VF<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>PMEG2010EA數(shù)據(jù)手冊(cè)

    肖特基勢(shì)壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊(cè)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《肖特基勢(shì)壘二極管RB751S40數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-19 13:45 ?0次下載
    <b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>RB751S40數(shù)據(jù)手冊(cè)

    具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢(shì)壘二極管設(shè)計(jì)

    北京工業(yè)大學(xué)和中國(guó)北京大學(xué)報(bào)道了碳化硅襯底(GaN/SiC)上由氮化鎵制成的全垂直結(jié)構(gòu)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的性能
    的頭像 發(fā)表于 02-19 11:23 ?951次閱讀
    具有低導(dǎo)通電阻的GaN-on-SiC<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>設(shè)計(jì)

    碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有巨大潛力。其中,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-29 09:54 ?504次閱讀

    碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析

    碳化硅二極管的優(yōu)點(diǎn)和局限性分析 碳化硅(SiC)二極管是一種新型半導(dǎo)體材料,在高頻電源電子裝置中得到了廣泛應(yīng)用。與傳統(tǒng)的硅(Si)材料相比,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-21 11:31 ?1679次閱讀

    【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)?

    【科普小貼士】什么是肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)?
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:43 ?1281次閱讀
    【科普小貼士】什么是<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>(SBD)?

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的反向恢復(fù)特性
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:42 ?656次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>(SBD)的反向恢復(fù)特性

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異

    【科普小貼士】肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)的金屬差異
    的頭像 發(fā)表于 12-13 14:40 ?535次閱讀
    【科普小貼士】<b class='flag-5'>肖特基勢(shì)壘二極管</b>(SBD)的金屬差異

    肖特基二極管基本原理

    肖特基二極管 肖特基二極管(Schottky BarrierDiode SBD),也稱肖特基勢(shì)壘二極管,與PN結(jié)
    的頭像 發(fā)表于 11-20 17:20 ?1508次閱讀
    <b class='flag-5'>肖特基</b><b class='flag-5'>二極管</b>基本原理

    國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

    1200V/10A SiC-SBD(碳化硅-肖特基二極管器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證
    的頭像 發(fā)表于 10-25 18:28 ?638次閱讀
    國(guó)星光電的<b class='flag-5'>1200V</b>/80mΩSiC-MOSFET<b class='flag-5'>器件</b>成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)<b class='flag-5'>認(rèn)證</b>