0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

長(zhǎng)江存儲(chǔ)科普SSD、3D NAND的發(fā)展史

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:上方文Q ? 2020-11-24 10:12 ? 次閱讀

作為國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)行業(yè)的佼佼者,長(zhǎng)江存儲(chǔ)近兩年憑借在3D NAND閃存領(lǐng)域的突飛猛進(jìn),引發(fā)普遍關(guān)注,尤其是獨(dú)創(chuàng)了全新的Xtacking閃存架構(gòu),最近還打造了首個(gè)消費(fèi)級(jí)SSD品牌“致鈦”。

今天,長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)品工程與測(cè)試工程處副總裁陳軼做了一次官方科普,詳細(xì)解讀了致鈦SSD、3D NAND的故事。

首先值得一提的是,長(zhǎng)江存儲(chǔ)公司注冊(cè)成立于2016年,但其實(shí)早在2014年,武漢新芯就已開始研發(fā)3D NAND,所以長(zhǎng)江存儲(chǔ)的歷史已經(jīng)有六年。

產(chǎn)品方面,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的致鈦系列SSD首批有兩款產(chǎn)品,其中SC001寫入壽命170-680TBW不等,PC005則是200-640TBW不等。

參數(shù)上看,致鈦系列的寫入壽命相比同類產(chǎn)品一點(diǎn)也不短,甚至比很多還要更長(zhǎng),而產(chǎn)品所做的測(cè)試認(rèn)證也是完全基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行。

SSD的寫入壽命取決于多個(gè)方面,比如閃存質(zhì)量、固件算法等。

致鈦系列的算法是業(yè)界通用的,不過寫入放大是需要顆粒來承載的,而長(zhǎng)江存儲(chǔ)的Xtacking架構(gòu)確實(shí)可以間接幫助提高寫入壽命。

這是因?yàn)?,Xtacking架構(gòu)將閃存陣列的工藝和CMOS邏輯器件工藝分割隔離,從這一程度上講,利用Xtacking技術(shù)可以更容易地調(diào)整優(yōu)化閃存陣列的工藝,壽命也相對(duì)會(huì)更長(zhǎng)一些。

另外,長(zhǎng)江存儲(chǔ)的磨損均衡管理同業(yè)界使用的方法是一致的,失效模型(defect modeling)同業(yè)界其他友商也是相當(dāng)?shù)?,在有些方面甚至還可能更好一些。長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)使用冗余度更低的方法來進(jìn)行壞塊管理,而冗余度降低了,寫入壽命自然也就提高一些。

未來規(guī)劃方面,PCIe 4.0方興未艾,長(zhǎng)將存儲(chǔ)也在積極籌備,不過因?yàn)镻Cle 4.0還比較新,長(zhǎng)江存儲(chǔ)會(huì)考慮推出低中高端不同系列的產(chǎn)品,會(huì)有性能、價(jià)格上的分割,并盡量降低功耗。

說到3D NAND閃存,如今全球各大閃存廠商都在堆疊更多的層數(shù),美光最近就官宣了176層,長(zhǎng)江存儲(chǔ)也做到了128層。

3D NAND的容量有幾個(gè)指標(biāo),一是看芯片里有多少塊(block),二是看每個(gè)塊里面有多少閃存晶體管,而層數(shù)多了,自然就能讓一個(gè)塊內(nèi)的容量變大。

不過,并不是層數(shù)多了,整體容量就一定變大,因?yàn)榭梢酝瑫r(shí)設(shè)計(jì)更多或者更少的塊。長(zhǎng)江存儲(chǔ)每一個(gè)塊的容量就比業(yè)界其他產(chǎn)品多50%左右。

另外,每一層閃存的容量也沒有統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn),只能說大致統(tǒng)一,所以不同廠商的堆疊層數(shù)沒有直接可比性。

其實(shí),3D NAND層數(shù)的堆疊也面臨一些挑戰(zhàn),比如隨著層數(shù)的增加,越來越難以達(dá)到孔所需要的長(zhǎng)寬比,早先預(yù)計(jì)只能到100層左右,現(xiàn)在已經(jīng)大大突破了這個(gè)僅限,但是難度也越來越高。

這就像半導(dǎo)體工藝,7nm、5nm在十多年前是幾乎不可想象的,但現(xiàn)在已經(jīng)實(shí)現(xiàn),3nm、2nm也在不斷取得重大突破,但挑戰(zhàn)難度是指數(shù)級(jí)增加的。

利用更好的設(shè)備、更好的工藝調(diào)校能力,長(zhǎng)江存儲(chǔ)最終達(dá)到了128層閃存,而未來達(dá)到256層、300層、500層都是有可能的。

當(dāng)然,3D NAND也不可能進(jìn)行無限堆疊,基于目前的堆疊方式,預(yù)計(jì)極限大概在500層左右,但屆時(shí)肯定能找到全新的方法、設(shè)備或是理論,突破到500層以上也是很有可能的。
責(zé)編AJX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1651

    瀏覽量

    135727
  • SSD
    SSD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2791

    瀏覽量

    116645
  • 長(zhǎng)江存儲(chǔ)

    關(guān)注

    5

    文章

    319

    瀏覽量

    37715
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    預(yù)期提前,鎧俠再次加速,3D NAND準(zhǔn)備沖擊1000層

    2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 06-29 00:03 ?4262次閱讀

    簡(jiǎn)述半導(dǎo)體材料的發(fā)展史

    半導(dǎo)體材料的發(fā)展史是一段漫長(zhǎng)而輝煌的歷程,它深刻地影響了現(xiàn)代信息社會(huì)的發(fā)展軌跡。從最初的發(fā)現(xiàn)到如今的廣泛應(yīng)用,半導(dǎo)體材料經(jīng)歷了從第一代到第三代的演變,每一次進(jìn)步都帶來了技術(shù)上的巨大飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 08-15 16:03 ?499次閱讀

    請(qǐng)問3D NAND如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢?

    3D NAND的制造過程中,一般會(huì)有3個(gè)工序會(huì)用到干法蝕刻,即:臺(tái)階蝕刻,channel蝕刻以及接觸孔蝕刻。
    的頭像 發(fā)表于 04-01 10:26 ?594次閱讀
    請(qǐng)問<b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>如何進(jìn)行臺(tái)階刻蝕呢?

    有了2D NAND,為什么要升級(jí)到3D呢?

    2D NAND3D NAND都是非易失性存儲(chǔ)技術(shù)(NVM Non-VolatileMemory),屬于Memory(
    的頭像 發(fā)表于 03-17 15:31 ?757次閱讀
    有了2<b class='flag-5'>D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>,為什么要升級(jí)到<b class='flag-5'>3D</b>呢?

    電阻柜的發(fā)展史

    電阻柜發(fā)展史
    的頭像 發(fā)表于 03-08 15:22 ?298次閱讀

    提供3D打印材料與解決方案,助力3D打印產(chǎn)業(yè)發(fā)展

    提供3D打印材料與解決方案,助力3D打印產(chǎn)業(yè)發(fā)展
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:12 ?388次閱讀

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)TiPlus7100 4TB SSD評(píng)測(cè)

    其實(shí)早在年初,就有不少搭載長(zhǎng)江存儲(chǔ)閃存顆粒的國(guó)產(chǎn)4TB SSD,不過長(zhǎng)江存儲(chǔ)的自有品牌致態(tài),直到現(xiàn)在才推出這款致態(tài)TiPlus7100 4T
    的頭像 發(fā)表于 12-12 11:07 ?1229次閱讀
    <b class='flag-5'>長(zhǎng)江</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>致態(tài)TiPlus7100 4TB <b class='flag-5'>SSD</b>評(píng)測(cè)

    你不知道的FPC,它的發(fā)展史竟然是這樣的!

    你不知道的FPC,它的發(fā)展史竟然是這樣的!
    的頭像 發(fā)表于 11-15 10:48 ?847次閱讀

    8項(xiàng)專利被侵權(quán)!美光與長(zhǎng)江存儲(chǔ)陷入專利之爭(zhēng)

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)與美光芯片戰(zhàn)升級(jí)。3D NAND閃存制造商長(zhǎng)江存儲(chǔ),已于9日在美國(guó)加州北區(qū)地方法院對(duì)美國(guó)
    的頭像 發(fā)表于 11-13 17:24 ?833次閱讀

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光!

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書中稱,長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀(upstart),而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的
    的頭像 發(fā)表于 11-13 16:53 ?813次閱讀
    <b class='flag-5'>長(zhǎng)江</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>起訴美光!

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)起訴美光 涉及專利侵權(quán)

    在起訴書中,長(zhǎng)江存儲(chǔ)聲稱自己目前是全球3D NAND技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,并得到了行業(yè)和第三方機(jī)構(gòu)的廣泛認(rèn)可。長(zhǎng)江
    的頭像 發(fā)表于 11-13 16:03 ?653次閱讀

    起訴美光!長(zhǎng)江存儲(chǔ)反擊

    訴訟旨在解決以下問題的一個(gè)方面:美光試圖通過迫使長(zhǎng)江存儲(chǔ)退出3D NAND Flash(閃存)市場(chǎng)來阻止競(jìng)爭(zhēng)和創(chuàng)新。
    的頭像 發(fā)表于 11-13 15:47 ?532次閱讀

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)在美起訴美光 指控侵犯8項(xiàng)3D NAND專利

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)在專利侵害訴訟場(chǎng)主張說:“此次訴訟是為了中斷美光公司廣泛而無許可地使用長(zhǎng)江低利的專利革新。”長(zhǎng)江存儲(chǔ)訴訟稱,美光使用
    的頭像 發(fā)表于 11-12 14:26 ?556次閱讀

    東京電子3D NAND蝕刻新技術(shù)或挑戰(zhàn)泛林市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

    據(jù)悉,東京電子新技術(shù)的目標(biāo)是能夠長(zhǎng)時(shí)間儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法,該方法是將垂直孔快速深插入存儲(chǔ)單元。3D n
    的頭像 發(fā)表于 10-16 14:39 ?671次閱讀

    長(zhǎng)江存儲(chǔ)致態(tài)Ti600 2TB SSD評(píng)測(cè)分析

    致態(tài)Ti600系列SSD采用了長(zhǎng)江存儲(chǔ)最新一代NAND閃存顆粒,基于晶棧Xtacking 3.0架構(gòu), 再配合優(yōu)秀主控解決方案,可以達(dá)到7000MB/s的讀取速度和6000MB/
    發(fā)表于 09-27 10:49 ?994次閱讀
    <b class='flag-5'>長(zhǎng)江</b><b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>致態(tài)Ti600 2TB <b class='flag-5'>SSD</b>評(píng)測(cè)分析