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晶體管測(cè)試儀的詳細(xì)介紹和使用注意事項(xiàng)

Wildesbeast ? 來源:21IC ? 作者:21IC ? 2020-11-28 10:39 ? 次閱讀

可測(cè)試儀性能穩(wěn)定,能自動(dòng)讀出準(zhǔn)確數(shù)據(jù),使用方便,適用于電子愛好者、電子開發(fā)者、設(shè)計(jì)者、與電子維修者必需小儀器。它可測(cè)各種二極管,三極管,可控硅,MOS場(chǎng)效應(yīng)管;能判斷器件類型,引腳的極性,輸出HFE,閥電壓,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)電容,附加條件可測(cè)電容和電阻等。特別適合晶體管配對(duì)和混雜表貼元件識(shí)別。

一、晶體管測(cè)試儀作用

可測(cè)試儀性能穩(wěn)定,能自動(dòng)讀出準(zhǔn)確數(shù)據(jù),使用方便,適用于電子愛好者、電子開發(fā)者、設(shè)計(jì)者、與電子維修者必需小儀器。它可測(cè)各種二極管,三極管,可控硅,MOS場(chǎng)效應(yīng)管;能判斷器件類型,引腳的極性,輸出HFE,閥電壓,場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)電容,附加條件可測(cè)電容和電阻等。特別適合晶體管配對(duì)和混雜表貼元件識(shí)別。

二、什么是晶體管測(cè)量儀器?

眾所周知,晶體管測(cè)量儀器是以通用電子測(cè)量儀器為技術(shù)基礎(chǔ),以半導(dǎo)體器件為測(cè)量對(duì)象的電子儀器。用它可以測(cè)試晶體三極管(NPN型和PNP型)的共發(fā)射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性;測(cè)試各種反向飽和電流和擊穿電壓,還可以測(cè)量場(chǎng)效管、穩(wěn)壓管、二極管、單結(jié)晶體管、可控硅等器件的各種參數(shù)。

下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。

三、XJ4810型晶體管特性圖示儀面板功能介紹

XJ4810型晶體管特性圖示儀面板示:

1. 集電極電源極性按鈕,極性可按面板指示選擇。

2. 集電極峰值電壓保險(xiǎn)絲:1.5A。

3. 峰值電壓%:峰值電壓可在0~10V、0~50V、0~100V、0~500V之連續(xù)可調(diào),面板上的標(biāo)稱值是近似值,參考用。

4. 功耗限制電阻:它是串聯(lián)在被測(cè)管的集電極電路中,限制超過功耗,亦可作為被測(cè)半導(dǎo)體管集電極的負(fù)載電阻。

5. 峰值電壓范圍:分0~10V/5A、0~50V/1A、0~100V/0.5A、0~500V/0.1A四擋。當(dāng)由低擋改換高擋觀察半導(dǎo)體管的特性時(shí),須先將峰值電壓調(diào)到零值,換擋后再按需要的電壓逐漸增加,否則容易擊穿被測(cè)晶體管。

AC擋的設(shè)置專為二極管或其他元件的測(cè)試提供雙向掃描,以便能同時(shí)顯示器件正反向的特性曲線。

6. 電容平衡:由于集電極電流輸出端對(duì)地存在各種雜散電容,都將形成電容性電流,因而在電流取樣電阻上產(chǎn)生電壓降,造成測(cè)量誤差。為了盡量減小電容性電流,測(cè)試前應(yīng)調(diào)節(jié)電容平衡,使容性電流減至最小。

7. 輔助電容平衡:是針對(duì)集電極變壓器次級(jí)繞組對(duì)地電容的不對(duì)稱,而再次進(jìn)行電容平衡調(diào)節(jié)。

8. 電源開關(guān)及輝度調(diào)節(jié):旋鈕拉出,接通儀器電源,旋轉(zhuǎn)旋鈕可以改變示波管光點(diǎn)亮度。

9. 電源指示:接通電源時(shí)燈亮。

10. 聚焦旋鈕:調(diào)節(jié)旋鈕可使光跡最清晰。

11. 熒光屏幕:示波管屏幕,外有座標(biāo)刻度片。

12. 輔助聚焦:與聚焦旋鈕配合使用。

13. Y軸選擇(電流/度)開關(guān):具有22擋四種偏轉(zhuǎn)作用的開關(guān)??梢赃M(jìn)行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉(zhuǎn)換。

14. 電流/度&TImes;0.1倍率指示燈:燈亮?xí)r,儀器進(jìn)入電流/度&TImes;0.1倍工作狀態(tài)。

15. 垂直移位及電流/度倍率開關(guān):調(diào)節(jié)跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出,放大器增益擴(kuò)大10倍,電流/度各擋IC標(biāo)值&TImes;0.1,同時(shí)指示燈14亮。

16. Y軸增益:校正Y軸增益。

17. X軸增益:校正X軸增益。

18.顯示開關(guān):分轉(zhuǎn)換、接地、校準(zhǔn)三擋,其作用是:

⑴轉(zhuǎn)換:使圖像在Ⅰ、Ⅲ象限內(nèi)相互轉(zhuǎn)換,便于由NPN管轉(zhuǎn)測(cè)PNP管時(shí)簡化測(cè)試操作。

⑵接地:放大器輸入接地,表示輸入為零的基準(zhǔn)點(diǎn)。

⑶校準(zhǔn):按下校準(zhǔn)鍵,光點(diǎn)在X、Y軸方向移動(dòng)的距離剛好為10度,以達(dá)到10度校正目的。

19. X軸移位:調(diào)節(jié)光跡在水平方向的移位。

20. X軸選擇(電壓/度)開關(guān):可以進(jìn)行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉(zhuǎn)換,共17擋。

21. “級(jí)/簇”調(diào)節(jié):在0~10的范圍內(nèi)可連續(xù)調(diào)節(jié)階梯信號(hào)的級(jí)數(shù)。

22. 調(diào)零旋鈕 :測(cè)試前,應(yīng)首先調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)零電平的位置。當(dāng)熒光屏上已觀察到基極階梯信號(hào)后,按下測(cè)試臺(tái)上選擇按鍵“零電壓”,觀察光點(diǎn)停留在熒光屏上的位置,復(fù)位后調(diào)節(jié)零旋鈕,使階梯信號(hào)的起始級(jí)光點(diǎn)仍在該處,這樣階梯信號(hào)的零電位即被準(zhǔn)確校正。

23. 階梯信號(hào)選擇開關(guān):可以調(diào)節(jié)每級(jí)電流大小注入被測(cè)管的基極,作為測(cè)試各種特性曲線的基極信號(hào)源,共22擋。一般選用基極電流/級(jí),當(dāng)測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)選用基極源電壓/級(jí)。

24. 串聯(lián)電阻開關(guān):當(dāng)階梯信號(hào)選擇開關(guān)置于電壓/級(jí)的位置時(shí),串聯(lián)電阻將串聯(lián)在被測(cè)管的輸入電路中。

25. 重復(fù)--關(guān)按鍵:彈出為重復(fù),階梯信號(hào)重復(fù)出現(xiàn);按下為關(guān),階梯信號(hào)處于待觸發(fā)狀態(tài)。

26. 階梯信號(hào)待觸發(fā)指示燈:重復(fù)按鍵按下時(shí)燈亮,階梯信號(hào)進(jìn)入待觸發(fā)狀態(tài)。

27. 單簇按鍵開關(guān):單簇的按動(dòng)其作用是使預(yù)先調(diào)整好的電壓(電流)/級(jí),出現(xiàn)一次階梯信號(hào)后回到等待觸發(fā)位置,因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測(cè)管的各種極限特性。

28. 極性按鍵:極性的選擇取決于被測(cè)管的特性。

29. 測(cè)試臺(tái)。

30. 測(cè)試選擇按鍵:

⑴“左”、“右”、“二簇”:可以在測(cè)試時(shí)任選左右兩個(gè)被測(cè)管的特性,當(dāng)置于“二簇”時(shí),即通過電子開關(guān)自動(dòng)地交替顯示左右二簇特性曲線,此時(shí)“級(jí)/簇”應(yīng)置適當(dāng)位置,以利于觀察。二簇特性曲線比較時(shí),請(qǐng)不要誤按單簇按鍵。

⑵“零電壓”鍵:按下此鍵用于調(diào)整階梯信號(hào)的起始級(jí)在零電平的位置,見(22)項(xiàng)。

⑶“零電流”鍵:按下此鍵時(shí)被測(cè)管的基極處于開路狀態(tài),即能測(cè)量ICEO特性。

31、32. 左右測(cè)試插孔:插上專用插座(隨機(jī)附件),可測(cè)試F1、F2型管座的功率晶體管。

33、34、35.晶體管測(cè)試插座

36. 二極管反向漏電流專用插孔(接地端)。

37. 二簇移位旋鈕:在二簇顯示時(shí),可改變右簇曲線的位置,更方便于配對(duì)晶體管各種參數(shù)的比較。

38. Y軸信號(hào)輸入:Y軸選擇開關(guān)置外接時(shí),Y軸信號(hào)由此插座輸入。

39. X軸信號(hào)輸入:X軸選擇開關(guān)置外接時(shí),X軸信號(hào)由此插座輸入。

40. 校準(zhǔn)信號(hào)輸出端:1V、0.5V校準(zhǔn)信號(hào)由此二孔輸出。

四、測(cè)試前注意事項(xiàng)

為保證儀器的合理使用,既不損壞被測(cè)晶體管,也不損壞儀器內(nèi)部線路,在使用儀器前應(yīng)注意下列事項(xiàng):

1. 對(duì)被測(cè)管的主要直流參數(shù)應(yīng)有一個(gè)大概的了解和估計(jì),特別要了解被測(cè)管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。

2. 選擇好掃描和階梯信號(hào)的極性,以適應(yīng)不同管型和測(cè)試項(xiàng)目的需要。

3. 根據(jù)所測(cè)參數(shù)或被測(cè)管允許的集電極電壓,選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下,應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零,更改掃描電壓范圍時(shí),也應(yīng)先將峰值電壓調(diào)至零。選擇一定的功耗電阻,測(cè)試反向特性時(shí),功耗電阻要選大一些,同時(shí)將X、Y偏轉(zhuǎn)開關(guān)置于合適擋位。測(cè)試時(shí)掃描電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。

4. 對(duì)被測(cè)管進(jìn)行必要的估算,以選擇合適的階梯電流或階梯電壓,一般宜先小一點(diǎn),再根據(jù)需要逐步加大。測(cè)試時(shí)不應(yīng)超過被測(cè)管的集電極最大允許功耗。

5. 在進(jìn)行ICM的測(cè)試時(shí),一般采用單簇為宜,以免損壞被測(cè)管。

6. 在進(jìn)行IC或ICM的測(cè)試中,應(yīng)根據(jù)集電極電壓的實(shí)際情況選擇,不應(yīng)超過本儀器規(guī)定的最大電流。

7. 進(jìn)行高壓測(cè)試時(shí),應(yīng)特別注意安全,電壓應(yīng)從零逐步調(diào)節(jié)到需要值。觀察完畢,應(yīng)及時(shí)將峰值電壓調(diào)到零。

五、基本操作步驟

1. 按下電源開關(guān),指示燈亮,預(yù)熱15分鐘后,即可進(jìn)行測(cè)試。

2. 調(diào)節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦,使光點(diǎn)清晰。

3. 將峰值電壓旋鈕調(diào)至零,峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關(guān)置于測(cè)試所需位置。

4. 對(duì)X、Y軸放大器進(jìn)行10度校準(zhǔn)。

5. 調(diào)節(jié)階梯調(diào)零。

6. 選擇需要的基極階梯信號(hào),將極性、串聯(lián)電阻置于合適擋位,調(diào)節(jié)級(jí)/簇旋鈕,使階梯信號(hào)為10級(jí)/簇,階梯信號(hào)置重復(fù)位置。

7. 插上被測(cè)晶體管,緩慢地增大峰值電壓,熒光屏上即有曲線顯示。

六、測(cè)試實(shí)例

1. 晶體管hFE和β值的測(cè)量

以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊(cè)得知3DK2 hFE的測(cè)試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點(diǎn)移至熒光屏的左下角作座表零點(diǎn)。

2.晶體管反向電流的測(cè)試

以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊(cè)得知3DK2 ICBO、ICEO的測(cè)試條件為VCB、VCE均為10V。測(cè)試時(shí),儀器部件的置位詳見表A-5。

逐漸調(diào)高“峰值電壓”使X軸VCB=10V,讀出Y軸的偏移量,即為被測(cè)值。

PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試方法相同。可按測(cè)試條件,適當(dāng)改變擋位,并把集電極掃描電壓極性改為“—”,把光點(diǎn)調(diào)到熒光屏的右下角(階梯極性為“+”時(shí))或右上角(階梯極性為“—”時(shí))即可。

3.晶體管擊穿電壓的測(cè)試

以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊(cè)得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測(cè)試條件IC分別為100μA、200μA和100μA。

逐步調(diào)高“峰值電壓”,被測(cè)管的接法,Y軸IC=0.1mA時(shí),X軸的偏移量為BVCEO值;被測(cè)管按圖A-30(b)的接法,Y軸IC=0.2m A時(shí),X軸的偏移量為BVCEO值;被測(cè)管按圖A-30(c)的接法,Y軸IC=0.1mA時(shí),X軸的偏移量為BVEBO值。

PNP型晶體管的測(cè)試方法與NPN型晶體管的測(cè)試法相似。

4.穩(wěn)壓二極管的測(cè)試

以2CW19穩(wěn)壓二極管為例,查手冊(cè)得知2CW19穩(wěn)定電壓的測(cè)試條件IR=3mA。測(cè)試時(shí)。

逐漸加大“峰值電壓”,即可在熒光屏上看到被測(cè)管的特性曲線。

讀數(shù):正向壓降約0.7V,穩(wěn)定電壓約12.5V。

5.整流二極管反向漏電電流的測(cè)試

以2DP5C整流二極管為例,查手冊(cè)得知2DP5的反向電流應(yīng)≤500nA。。

逐漸增大“峰值電壓”,在熒光屏上即可顯示被測(cè)管反向漏電電流特性。

讀數(shù):IR=4div&TImes;0.2μA×0.1(倍率)=80 nA

測(cè)量結(jié)果表明,被測(cè)管性能符合要求。

七、晶體管測(cè)試儀使用注意事項(xiàng)

①使用儀器前,應(yīng)檢查儀器有關(guān)旋鈕位置, “測(cè)試選擇”開關(guān)置于“關(guān)”, “峰值電壓”旋鈕調(diào)至零, “階梯作用”置于“關(guān)”。

②開啟電源,指示燈亮,預(yù)熱5min。調(diào)整“標(biāo)尺亮度”,觀察時(shí)用紅色標(biāo)尺,攝影時(shí)用黃色標(biāo)尺。調(diào)整“輝度”,使屏幕上光點(diǎn)和線條至適中的亮度。調(diào)整“聚焦”及“輔助聚焦”旋鈕,使屏幕上顯示清晰的線條或亮點(diǎn)。

③進(jìn)行基極階梯信號(hào)調(diào)零。將光點(diǎn)移至屏幕左下角作為坐標(biāo)零點(diǎn),進(jìn)行基極階梯信號(hào)調(diào)零。當(dāng)熒光屏上出現(xiàn)基極階梯信號(hào)后,按下測(cè)試臺(tái)上的“零電壓”鍵,觀察光點(diǎn)停留在熒光屏上的位置。復(fù)位后調(diào)節(jié)“階梯調(diào)零”旋鈕,使階梯信號(hào)的起始級(jí)光點(diǎn)仍在該處,則基極階梯信號(hào)的零位即被校準(zhǔn)。

④根據(jù)被測(cè)管的類型(PNP型或NPN型)和接地形式(E接地或B接地),選擇“極性”開關(guān)位置,然后插上被測(cè)晶體管。

⑤根據(jù)需要顯示的醢線和需要測(cè)試的參數(shù),選擇相應(yīng)的作用開關(guān)以及合適的量程,即可進(jìn)行有關(guān)圖形顯示和參數(shù)測(cè)定。

大家都知道晶體管測(cè)量儀是各種家電維修的利器 電橋萬用表級(jí)別好工具,維修時(shí)候經(jīng)常判斷已知損壞元件后 在更換新元件的同時(shí) 還不能解決故障 很多維修人員苦惱不堪,用這種儀器可以輕松判斷電容 電阻 等元件 品質(zhì)等 自動(dòng)檢測(cè)三極管 NPN PNP 晶體管 N P 溝道場(chǎng)效應(yīng)管,可控硅自動(dòng)顯示在顯示屏上以及放大倍數(shù),在應(yīng)用的過程中,你喜歡用哪款晶體管測(cè)量儀器呢?

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    晶體管測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試晶體管的電子設(shè)備,也被稱為晶體管特性圖示。其主要工作原理是利用
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    <b class='flag-5'>晶體管</b><b class='flag-5'>測(cè)試儀</b>電路圖分享

    晶體管測(cè)試儀的主要作用

    晶體管測(cè)試儀是一種專門用于測(cè)試晶體管的電子設(shè)備,也被稱為晶體管特性圖示。它的主要工作原理是利用
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    晶體管測(cè)試儀的使用方法和注意事項(xiàng)

    確保晶體管測(cè)試儀的電源已接通并處于工作狀態(tài)。將待測(cè)試晶體管正確插入測(cè)試儀測(cè)試座,并確保與
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    電阻測(cè)試儀的使用方法和注意事項(xiàng)

    注意事項(xiàng)仍然是確保測(cè)試準(zhǔn)確度和設(shè)備安全的關(guān)鍵。本文將對(duì)電阻測(cè)試儀的使用方法和注意事項(xiàng)進(jìn)行詳細(xì)闡述,以期為使用者提供參考。
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    晶體管測(cè)試儀的工作原理和主要作用

    在現(xiàn)代電子技術(shù)領(lǐng)域中,晶體管作為核心電子器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。為了確保晶體管的質(zhì)量和性能符合規(guī)格,晶體管測(cè)試儀成為了必不可少的工具。本文將
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