傳中芯國際國產(chǎn)芯片工藝已追上Intel

據(jù)科創(chuàng)板日報報道稱，中芯國際的第二代FinFET已進入小量試產(chǎn)。

科創(chuàng)板中芯國際在互動平臺表示，公司第一代FinFET14納米已于2019年四季度量產(chǎn)；第二代FinFETN+1已進入客戶導入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

此外，中芯國際方面還重申，目前公司營運和采購如常。

其實去年11月就曾有消息稱，中芯國際已經(jīng)啟動了14nm FinFET工藝芯片的量產(chǎn)，且計劃2019年年底前進行12nm FinFET的風險試產(chǎn)。

按照中芯國際當時在2019年Q3季度財報公布的情況，公司第一代FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻有意義的營收；第二代FinFET研發(fā)穩(wěn)步推進，客戶導入進展順利。

12nm工藝相比14nm晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯誤率降低20%。

前不久，中芯國際在互動平臺上也表示，目前公司正常運營，公司和美國相關(guān)政府部門等進行了積極交流與溝通。

公司客戶需求強勁，訂單飽滿，第三季度產(chǎn)能利用率接近滿載。展望2020年全年，公司的收入目標上修為24%至26%的年增長。全年毛利率目標高于去年。
責編AJX