中芯國(guó)際:將于年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片

據(jù)最新消息，我國(guó)芯片生產(chǎn)巨頭中芯國(guó)際在互動(dòng)平臺(tái)公開(kāi)表示，該司即將在2020年底小批量試產(chǎn)第二代FinFET N+1芯片，目前這一芯片已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。去年年底，中芯國(guó)際率先完成任務(wù)，完成了第一代FinFET 14nm芯片的量產(chǎn)工作。

資料顯示，對(duì)比起一代14nm芯片，二代FinFET N+1芯片的工藝將提升至12nm，晶體管尺寸將進(jìn)一步縮減，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%。據(jù)悉，此前業(yè)界曾“誤傳”，中芯國(guó)際N+1、N+2工藝項(xiàng)目的可以媲美臺(tái)積電的7nm芯片工藝。

今年3月，中芯國(guó)際也對(duì)此澄清道，該司N+1、N+2工藝項(xiàng)目與臺(tái)積電7nm芯片還有差距，只能說(shuō)，在功耗以及穩(wěn)定性能與其相提并論。不過(guò)，雖然與國(guó)際最先進(jìn)的芯片代工產(chǎn)商還有距離，但是中芯國(guó)際當(dāng)前取得的成績(jī)實(shí)屬來(lái)之不易。據(jù)悉，目前全球能生產(chǎn)14nm芯片的企業(yè)僅有6家，中芯國(guó)際就是其中之一。

除了中國(guó)企業(yè)試圖趕超國(guó)際高端芯片的先進(jìn)制程，美國(guó)芯片巨頭英特爾（Intel）也在加緊行動(dòng)。截至目前，作為美國(guó)第一大芯片生產(chǎn)商，英特爾芯片工藝僅發(fā)展至10nm，7nm工藝的進(jìn)展還屢次被延遲。近期，已經(jīng)有不少業(yè)界人士猜測(cè)，由于本土產(chǎn)能受限，英特爾很有可能會(huì)將美國(guó)本土的芯片訂單轉(zhuǎn)交給臺(tái)積電等幫忙代工。

此外，我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)也在不斷傳來(lái)重磅利好。就在今日（12月4日），中芯國(guó)際宣布旗下子公司中芯控股將和國(guó)家集成電路基金II、亦莊國(guó)聯(lián)手成立合資企業(yè)。據(jù)天眼查公布的報(bào)告，我國(guó)已有超過(guò)20000家芯片相關(guān)企業(yè)擁有自家獨(dú)有的專利，占比相關(guān)企業(yè)總量的8.45%。這意味著，我國(guó)日后將在芯片專利領(lǐng)域擁有更多話語(yǔ)權(quán)。

就連我國(guó)北京市也送來(lái)了一則“好消息”。據(jù)報(bào)道，北京市多名代表人士“公開(kāi)放話”，接下來(lái)將力爭(zhēng)突破集成電路、關(guān)鍵新材料等“卡脖子”技術(shù)，加快推進(jìn)世界一流重大科技基礎(chǔ)設(shè)施集群建設(shè)。不難想象，當(dāng)我們集全國(guó)的力量攻克生產(chǎn)難題，芯片產(chǎn)業(yè)迎來(lái)“彎道超車”的一天也就不遠(yuǎn)了。
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