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英特爾推出三款六款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品,助力企業(yè)應(yīng)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型

牽手一起夢(mèng) ? 來(lái)源:C114通信網(wǎng) ? 作者:佚名 ? 2020-12-17 14:15 ? 次閱讀

在今日舉行的2020英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上,英特爾重磅發(fā)布了六款全新內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品,旨在幫助客戶駕馭數(shù)字化轉(zhuǎn)型的重大機(jī)遇。為進(jìn)一步推動(dòng)內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新,英特爾宣布推出兩款新的傲騰固態(tài)盤(pán)產(chǎn)品,即全球運(yùn)行速度最快的數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤(pán)英特爾?傲騰?固態(tài)盤(pán)P5800X,以及能夠?yàn)橛螒蚝蛢?nèi)容創(chuàng)作提供高性能和主流生產(chǎn)力,面向客戶端的英特爾?傲騰?H20混合式固態(tài)盤(pán)。通過(guò)使內(nèi)存更靠近處理器,英特爾傲騰能夠滿足現(xiàn)代計(jì)算的需求。此外,英特爾還透露即將面向云和企業(yè)級(jí)用戶發(fā)布代號(hào)為“ Crow Pass”的第三代英特爾?傲騰?持久內(nèi)存。

英特爾數(shù)據(jù)平臺(tái)事業(yè)部副總裁兼傲騰事業(yè)部總經(jīng)理Alper Ilkbahar指出:“對(duì)于英特爾內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)來(lái)說(shuō),今天是頗具里程碑意義的一天。隨著幾款全新傲騰產(chǎn)品的發(fā)布,我們不僅延續(xù)創(chuàng)新,進(jìn)一步強(qiáng)化了我們的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合,還將持續(xù)賦能客戶更好地應(yīng)對(duì)數(shù)字化轉(zhuǎn)型的復(fù)雜性?,F(xiàn)階段,傲騰產(chǎn)品和技術(shù)正日益成為計(jì)算業(yè)務(wù)中的主流應(yīng)用。而作為英特爾重要的組成部分,這些領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品將進(jìn)一步推動(dòng)包括AI5G網(wǎng)絡(luò)、智能和自主邊緣計(jì)算等重點(diǎn)增長(zhǎng)領(lǐng)域的長(zhǎng)足發(fā)展?!?/p>

本次大會(huì)上,英特爾還宣布推出三款采用144層存儲(chǔ)單元的全新NAND固態(tài)盤(pán),包括適用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層QLC 3D NAND固態(tài)盤(pán)——英特爾固態(tài)盤(pán)670p;全球首個(gè)推向市場(chǎng)的144層TLC NAND設(shè)計(jì)的英特爾固態(tài)盤(pán)D7-P5510;采用業(yè)內(nèi)首個(gè)144層QLC NAND并具備更高密度、更強(qiáng)持久性的英特爾固態(tài)盤(pán)D5-P5316。

隨著今日傲騰技術(shù)的發(fā)布,英特爾繼續(xù)在數(shù)據(jù)中心內(nèi)存和存儲(chǔ)金字塔中構(gòu)建融合了DRAM和NAND特性的新的層級(jí)。其中,英特爾傲騰固態(tài)盤(pán)通過(guò)高速緩存和高速存儲(chǔ)的性能,突破數(shù)據(jù)供應(yīng)瓶頸并加速應(yīng)用,提高每臺(tái)服務(wù)器的性能可擴(kuò)展性,并降低時(shí)延敏感型工作負(fù)載的交易成本。

英特爾傲騰持久內(nèi)存是英特爾打造兼具持久性、大容量、經(jīng)濟(jì)性、低延遲和近內(nèi)存速度性能的內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案愿景的最好體現(xiàn)。通過(guò)傲騰持久內(nèi)存,英特爾重構(gòu)了內(nèi)存和存儲(chǔ)層級(jí),建立了以其為基礎(chǔ)的容量和性能都有所不同的內(nèi)存和存儲(chǔ)層。這種方式同時(shí)使建立雙層內(nèi)存架構(gòu)成為可能,其中以DRAM作為性能層,持久內(nèi)存作為容量層。而從存儲(chǔ)角度來(lái)看,傲騰持久內(nèi)存可被用作基于NAND大容量存儲(chǔ)層之上的性能層。

同時(shí),英特爾傲騰持久內(nèi)存通過(guò)雙倍數(shù)據(jù)速率總線連接CPU,能夠以DRAM的速度直接進(jìn)行加載和存儲(chǔ)訪問(wèn),同時(shí)它也兼具非易失性,融合了內(nèi)存和存儲(chǔ)的最佳特性。

此外,英特爾將通過(guò)其代號(hào)為“ Crow Pass”的第三代英特爾?傲騰持久內(nèi)存和代號(hào)為Sapphire Rapids的英特爾?至強(qiáng)?可擴(kuò)展處理器進(jìn)一步增強(qiáng)和擴(kuò)展其獨(dú)特的內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合。

值得一提的是,今天發(fā)布的三款全新NAND固態(tài)盤(pán)代表著TLC和QLC作為大容量固態(tài)盤(pán)的主流技術(shù)正式邁入全新時(shí)代。其中,英特爾?3D NAND 固態(tài)盤(pán)670p是用于主流計(jì)算的英特爾下一代144層(QLC)3D NAND固態(tài)盤(pán)。英特爾固態(tài)盤(pán)D7-P5510是全球首個(gè)推向市場(chǎng)的144層TLC NAND固態(tài)盤(pán),而英特爾固態(tài)盤(pán)D5-P5316則是業(yè)內(nèi)首個(gè)采用了144層QLC NAND的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)。過(guò)去十余年間,英特爾始終致力于推動(dòng)和發(fā)展領(lǐng)先的內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)。

責(zé)任編輯:gt

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