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臺積電STT-MRAM技術(shù)細(xì)節(jié)講解

電子設(shè)計(jì) ? 來源:電子設(shè)計(jì) ? 作者:電子設(shè)計(jì) ? 2020-12-24 15:51 ? 次閱讀

在ISSCC 2020上臺積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT-MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度,1M個循環(huán)的寫入耐久性,在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場干擾能力。

ULL 22nm STT-MRAM的動機(jī)

與閃存相比,TSMC的嵌入式STT-MRAM具有明顯的優(yōu)勢。閃存需要12個或更多額外的掩模,只能在硅基板上實(shí)現(xiàn),并且以頁面模式寫入。而STT-MRAM在后段(BEOL)金屬層中實(shí)現(xiàn),如圖1所示,僅需要2-5個額外的掩模,并且可以字節(jié)模式寫入。

該STT-MRAM基于臺積電的22nm ULL (Ultra-Low-Leakage)CMOS工藝平臺,具有10ns的極高讀取速度,讀取功率為0.8mA /MHz/bit。對于32Mb數(shù)據(jù),它具有100K個循環(huán)的寫入耐久性,對于1Mb數(shù)據(jù),具有1M個循環(huán)的耐久性。它支持在260°C下進(jìn)行90s的IR回流焊,在150°C下10年的數(shù)據(jù)保存能力。它以1T1R架構(gòu)實(shí)現(xiàn)單元面積僅為0.046平方微米,25度下的32Mb陣列的漏電流僅為55mA,相當(dāng)于在低功耗待機(jī)模式(LPSM,Low Power Standby Mode)時為1.7E-12A / bit。。它利用帶有感應(yīng)放大器微調(diào)和1T4R參考單元的讀取方案。

圖1. M1和M5之間的BEOL金屬化層中的STT-MRAM位單元的橫截面。

1T1R MRAM的操作和陣列結(jié)構(gòu)

為減小寫電流路徑上的寄生電阻,采用了兩列公共源極線(CSL,common source line )陣列結(jié)構(gòu),如圖所示。

圖2.1T1R單元在帶有2列CSL的512b列的陣列示意圖

字線由電荷泵過驅(qū)動,以提供足夠的數(shù)百毫安的開關(guān)電流用于寫操作,要求將未選擇的位線偏置在“寫禁止電壓”(VINHIBIT,write-inhibit voltage)上,以防止訪問時在所選行中未選中列的晶體管上產(chǎn)生過高的電應(yīng)力。為了減少未選中的字線上的存取晶體管的位線漏電流,該字線具有負(fù)電壓偏置(VNEG)。用于讀取,寫入-0和寫入-1的陣列結(jié)構(gòu)的偏置如圖3所示。

圖3.讀,寫0和寫1操作的字線和位線的單元陣列電壓表。

MRAM讀取操作

為了從LPSM快速,低能耗喚醒以實(shí)現(xiàn)高速讀取訪問,它采用了細(xì)粒度的電源門控電路(每128行一個),分兩步進(jìn)行喚醒(如圖4所示)。電源開關(guān)由兩個開關(guān)組成,一個開關(guān)用于芯片電源VDD,另一個開關(guān)用于從低壓差(LDO, Low Drop-Out )穩(wěn)壓器提供VREG的穩(wěn)定電壓。首先打開VDD開關(guān)以對WL驅(qū)動器的電源線進(jìn)行預(yù)充電,然后打開VREG開關(guān)以將電平提升至目標(biāo)電平,從而實(shí)現(xiàn)<100ns的快速喚醒,同時將來自VREG LDO的瞬態(tài)電流降至最低。

圖4.具有兩步喚醒功能的細(xì)粒度電源門控電路(每128行一個)。

圖5所示的隧道磁電阻比(TMR)House曲線是反平行狀態(tài)Rap與平行狀態(tài)Rp之間的比率隨電壓的變化,在較高溫度下顯示出較低的TMR和較小的讀取窗口。

圖5 TMR的House曲線顯示了在125°C時減小的讀取窗口

Rap和Rp狀態(tài)的電阻分布,當(dāng)計(jì)入位線金屬電阻和訪問晶體管電阻時,總的讀取路徑上的電阻,在兩個狀態(tài)之間的差值減小,如圖6所示。

圖6.Rap和Rp的電阻分布間距在計(jì)入寄生電阻時變小

為了感測MTJ的電阻,必須在讀取期間將其兩端的電壓通過晶體管N1和N2鉗位到一個低值,以避免讀取干擾,并對其進(jìn)行微調(diào)以消除感測放大器和參考電流偏移。參考電阻是1T4R配置R?(R p + R ap)/ 2 + R1T,如圖7所示。

圖7.具有微調(diào)能力的感測放大器顯示了晶體管N1和N2上的讀取鉗位電壓,以防止讀取干擾。參考R(R p + Rap)/ 2 + R1T

如圖8,讀取時序圖和shmoo圖所示,這種配置在125°C時能夠?qū)崿F(xiàn)小于10ns的讀取速度。

圖8. 125°C時的讀取時序圖和讀取shmoo圖。

審核編輯:符乾江
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