電流傳感器的檢測裝置和方法說明

創(chuàng)意無極限，儀表大發(fā)明。今天為大家介紹一項國家發(fā)明授權(quán)專利——電流傳感器的檢測裝置和方法。該專利由比亞迪股份有限公司申請，并于2018年9月7日獲得授權(quán)公告。

內(nèi)容說明

本發(fā)明涉及電流傳感器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電流傳感器的檢測裝置和方法。

發(fā)明背景

目前，檢測電流傳感器是否為良品的方法主要通過檢測內(nèi)嵌在電流傳感器磁芯縫隙中的霍爾芯片是否被壓彎來實現(xiàn)。首先，給被測的電流傳感器提供+/-15V的工作電壓，其次用磁性螺絲刀調(diào)節(jié)電流傳感器中的電位器(例如電阻值為200k歐姆的電位器)，觀看萬用表的讀數(shù)是否有正負輸出。如果輸出值不在±20mv范圍內(nèi)，將其調(diào)節(jié)至±20mv以內(nèi)。然后將磁性螺絲刀插入磁芯氣隙內(nèi)，即霍爾芯片的兩側(cè)，使霍爾芯片對磁性螺絲刀的磁場產(chǎn)生感應。此時，觀看萬用表上的數(shù)值是否在±10mv以內(nèi)。當電流傳感器處于靜態(tài)工作時，用磁性螺絲刀當作一塊磁鐵，在電流傳感器中的霍爾芯片處加一磁場。如果萬用表讀數(shù)超過±10mv，說明電流傳感器中的霍爾芯片被壓彎，則可判定該電流傳感器為不良品；如果萬用表讀數(shù)在±10mv以內(nèi)，則可判定該電流傳感器為良品。

現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點是，上述的測試方法通過人工操作進行測試，可能會產(chǎn)生誤差，導致準確性非常差。具體而言，當霍爾芯片所在位置處于磁芯氣隙中磁場強度最強的位置時，可以粗略地反應出電流傳感器的靜態(tài)輸出，并不能準確的檢測出霍爾芯片是否被壓彎。當霍爾芯片所在的位置并不是處于磁芯氣隙中磁場強度最強的位置時，霍爾芯片兩側(cè)的磁場不平衡，所以電流傳感器的靜態(tài)輸出超出范圍。因此，當霍爾芯片所在的位置并不是處于磁芯氣隙中磁場強度最強的位置時，現(xiàn)有的測試方法并不適用，無法準確地檢測霍爾芯片是否被壓彎。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決上述技術(shù)問題。

本發(fā)明一個實施例的待測電流傳感器的模型圖

為此，本發(fā)明的第一個目的在于提出一種電流傳感器的檢測裝置，通過測試電流生成器生成測試電流，并將該測試電流施加在導體上，控制器接收待測電流傳感器生成的輸出電壓，并根據(jù)輸出電壓對待測電流傳感器進行檢測，提高了檢測的準確性和可靠性，使得檢測電流傳感器時更加簡便、智能化，有效地減少了電流傳感器不良品的漏檢。

本發(fā)明的第二個目的在于提出一種電流傳感器的檢測方法。為達上述目的，根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例提出了一種電流傳感器的檢測裝置，包括：導體，所述導體穿插在待測電流傳感器的磁環(huán)內(nèi)；測試電流生成器，用于生成測試電流，并將所述測試電流施加在所述導體之上，以使所述待測電流傳感器通過霍爾芯片對所述測試電流生成的磁場感應，從而生成輸出電壓；以及控制器，所述控制器與所述待測電流傳感器的輸出端相連接，用于接收所述待測電流傳感器生成的輸出電壓，并根據(jù)所述輸出電壓對所述待測電流傳感器進行檢測。

本發(fā)明實施例的電流傳感器的檢測裝置，通過測試電流生成器生成測試電流，并將該測試電流施加在導體上，控制器接收待測電流傳感器生成的輸出電壓，并根據(jù)輸出電壓對待測電流傳感器進行檢測，提高了檢測的準確性和可靠性，使得檢測電流傳感器時更加簡便、智能化，有效地減少了電流傳感器不良品的漏檢。

本發(fā)明第二方面實施例提供了一種電流傳感器的檢測方法，包括以下步驟：將導體穿插在待測電流傳感器的磁環(huán)內(nèi)，并將測試電流生成器生成的測試電流施加在所述導體之上，以使所述待測電流傳感器通過霍爾芯片對所述測試電流生成的磁場感應，從而生成輸出電壓，使所述待測電流傳感器生成輸出電壓；控制與所述導體相連的所述測試電流生成器生成的測試電流；采集所述待測電流傳感器生成的輸出電壓；根據(jù)所述輸出電壓對所述待測電流傳感器進行檢測。

本發(fā)明實施例的檢測方法，通過對測試電流生成器電源的控制，使對待測電流傳感器進行檢測時，實現(xiàn)了控制測試電流生成器的自動開啟或關(guān)閉，有效地防止了電路短接，提高了檢測時的安全性；并通過對測試電流生成器生成的測試電流的自動調(diào)整，代替了手動旋鈕調(diào)整測試電流，為檢測提供了便利，而且提高了檢測的準確性。