臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)遇瓶頸，量產(chǎn)時(shí)間恐將推遲

據(jù) Digitimes 報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)積電 FinFET 和三星 GAA 在 3nm 制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)過(guò)程中都遇到了不同但關(guān)鍵的瓶頸。報(bào)道稱，臺(tái)積電和三星因此將不得不推遲 3nm 制程工藝的開(kāi)發(fā)進(jìn)度。

按臺(tái)積電計(jì)劃，3nm 將于今年完成認(rèn)證與試產(chǎn)，2022 年投入大規(guī)模量產(chǎn)，甚至業(yè)界曾表示蘋果已率先包下臺(tái)積電 3 納米初期產(chǎn)能，成為臺(tái)積電 3 納米第一批客戶。

3nm 工藝推進(jìn)延期意味著這兩家半導(dǎo)體的 5nm 工藝壽命延長(zhǎng)，但目前第一代 5nm 工藝似乎均出現(xiàn)了不同程度的不良現(xiàn)象，這將給兩家廠商 5nm 優(yōu)化留出足夠時(shí)間。

同時(shí)，考慮到英特爾先進(jìn)制程目前最先進(jìn)工藝是 10nm，這也給英特爾工藝追趕提供了機(jī)會(huì)。不過(guò)距離 2022 年投產(chǎn)還有充足時(shí)間，具體情況仍需觀察。

IT之家了解到，此前業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電和三星的 3nm 工藝都會(huì)在 2022 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，但臺(tái)積電有望領(lǐng)先三星至少半年。

此前臺(tái)積電曾宣稱，其 3 納米工藝會(huì)比最近的 5 納米工藝性能提升 10% 至 15%，3nm 芯片將提供 20% 至 25% 的節(jié)能提升。

此外，臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音此前表示，臺(tái)積電今年?duì)I收持續(xù)創(chuàng)新高，在 3nm 領(lǐng)先布局，于南科的累計(jì)投資將超過(guò) 2 萬(wàn)億元新臺(tái)幣，目標(biāo)是 3nm 量產(chǎn)時(shí)，12 英寸晶圓月產(chǎn)能超過(guò) 60 萬(wàn)片。相對(duì)的，三星晶圓代工業(yè)務(wù)準(zhǔn)備投入 1160 億美元，以實(shí)現(xiàn)在 3nm 工藝上趕超臺(tái)積電。

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