2021年內(nèi)存芯片有望迎來漲價?

魔性的2020終于過去，對于半導體供應鏈從業(yè)者，缺貨漲價估計會是他們這一年中最深刻的回憶。疫情爆發(fā)、停工停產(chǎn)、醫(yī)療設(shè)備需求暴增、代工廠產(chǎn)能不足、線上辦公在家上學需求持續(xù)。..。..這一系列連鎖反應徹底打亂了2020年初的既定計劃，整個產(chǎn)業(yè)在措手不及的應對中經(jīng)歷著一波又一波的缺貨漲價風潮。

但這其中，存儲芯片價格一直持續(xù)穩(wěn)定，甚至在年中還小有下降。但從11月開始，全行業(yè)的漲價潮流終于刮到內(nèi)存這里了，部分內(nèi)存價格開始上漲，內(nèi)存相關(guān)廠商也紛紛看漲明年的市場。國內(nèi)廠商能否乘著這波趨漲行情，迎來國產(chǎn)替代的春天呢？

暴漲引發(fā)的大跌觸底反彈，2021年內(nèi)存芯片有望迎來漲價？

存儲芯片主要分為DRAM內(nèi)存、NAND/NOR Flash閃存等產(chǎn)品，在半導體總體營收中，占比高達1/3。受廠商投資，產(chǎn)能以及市場需求的多方因素影響，存儲芯片價格常呈現(xiàn)周期性的波動變化。

上一波存儲芯片漲價潮起于2016年，一直持續(xù)到2018年，三星公司甚至憑借這波大漲價而在2017年營收首次超越英特爾，一舉成為全球第一大半導體公司。但這波暴漲也為其后續(xù)的降價埋下伏筆，到2019年存儲需求供大于求導致價格大跌，直到年底才出現(xiàn)止跌回穩(wěn)。進入2020年，雖然有小幅回升，但在疫情爆發(fā)，手機市場低迷的大環(huán)境下，再一次讓存儲芯片價格維持在欲升還降的層面上。直到2020年底，這種趨勢終于迎來改變。

據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket的最新報價顯示，近一個月（12月）以來，內(nèi)存市場漲價明顯，部分渠道內(nèi)存條價格累積漲幅已超過10%，行業(yè)內(nèi)存條價格漲幅則在5%左右。

存儲器IC設(shè)計廠晶豪科技也公開表示，利基型DRAM與NOR Flash均已漲價。晶豪科技指出，利基型DRAM部分價格已開始調(diào)高，合約價方面則將從明年第一季起開始調(diào)漲，上半年價格有望一路走漲；NOR Flash 市場情況相同，同樣已漲價，明年有望進一步調(diào)漲。據(jù)晶豪科技透露，漲價原因主要是近期的產(chǎn)能供不應求，晶圓代工與封測成本上漲，如果產(chǎn)能持續(xù)緊張，明年第一、二季價格將持續(xù)走高。而據(jù)TrendForce的最新預測，2021年第一季整體DRAM均價將止跌回穩(wěn)。

存儲芯片大廠中，三星、海力士和美光仍然持謹慎態(tài)度。據(jù)韓媒消息，三星2021年DRAM資本支出計劃與2020年持平，但會將一些DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)為圖像傳感器產(chǎn)線，這意味著，三星實際上消減了2021年的DRAM資本支出。SK海力士也同樣持保守態(tài)度，不會增加DRAM晶圓代工和NAND資本支出。另外，華為被美國制裁，美光作為華為的重要客戶，頗受影響，為此，美光此前曾向外界警告稱，由于一些公司客戶的需求疲弱，預測明年的關(guān)鍵市場恐出現(xiàn)DRAM供應過剩的情況。

一方面，存儲市場已給出漲價信號，另一方面，國外芯片大廠仍然持保守態(tài)度，消減或維持原有產(chǎn)能，減少供應量，這讓2021年的存儲市場充滿了山雨欲來的漲價味道。

趨漲行情下，國內(nèi)廠商機會幾何？

在存儲芯片市場上，三星、海力士、美光、Kioxia、西部數(shù)據(jù)等頭部廠商占據(jù)了90%的市場份額。雖然留下的空間不大，但是，中國龐大的市場需求仍然孕育出了本土的存儲芯片廠商，例如，紫光國芯、合肥長鑫、長江存儲、兆易創(chuàng)新等廠商。

內(nèi)存產(chǎn)品方面，長鑫存儲于2019年三季度成功量產(chǎn)19nm工藝的DDR4/LPDDR4X芯片，接下來，長鑫存儲規(guī)劃將推出17nm DDR5/LPDDR5等下一代內(nèi)存產(chǎn)品。前不久，長鑫存儲又獲得了156億投資，這無疑將加速其在DRAM先進技術(shù)及產(chǎn)能方面的推進。TrendForce公布的2020-2021年全球內(nèi)存廠商晶圓投片量的預估數(shù)據(jù)顯示，長鑫存儲今年一季度投片量為1萬片/月，但到四季度其投片量已經(jīng)快速提升到了4.5萬片/月，到2021年四季度，預計長鑫存儲的投片量將達到8.5萬片/月，將超越目前排名第四的南亞科技（7.1萬片/月）。

閃存方面，長江存儲一枝獨秀，已實現(xiàn)國際先進閃存技術(shù)的突破。長江存儲堅持走創(chuàng)新差異化路線，于2018年8月推出了自研Xtacking架構(gòu)，又創(chuàng)新性地跳過國際廠商的慣例96層堆疊閃存技術(shù)，率先推出了128層堆棧的QLC 3D NAND閃存。據(jù)長江存儲CEO楊士寧透露，目前長江存儲的技術(shù)已經(jīng)處于全球一流的水準，下一步就是解決128層閃存產(chǎn)品的產(chǎn)能問題。TrendForce公布的今年三季度全球NAND Flash閃存市場數(shù)據(jù)顯示，三星作為閃存老大，占有33.1%的全球份額，其他六家依次為Kioxia、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、美光和Intel。雖然留給其他閃存廠商的份額只有1.5%，但其中長江存儲份額最高，預計超過1%。

在這波趨漲的行情驅(qū)動下，國內(nèi)存儲芯片無疑將更易加速進入目標市場。另外，在國家芯片自給率提升的有力政策指導下，國產(chǎn)替代正逐步深入到各級廠商意識中。但歸根結(jié)底，要想實現(xiàn)國產(chǎn)替代，首要的保證是自身產(chǎn)品質(zhì)量，不僅要滿足行業(yè)標準，性能需求，還要滿足用戶成本要求。據(jù)悉，在長江存儲的Xtacking閃存生態(tài)圈中，目前已有20多家廠商和100多款產(chǎn)品，其中，華為Mate40手機就使用了長江存儲的64層閃存產(chǎn)品。而長鑫存儲的DRAM產(chǎn)品，目前也已經(jīng)獲得了威剛科技、江波龍、光威等主流內(nèi)存品牌廠商的采用，從長鑫存儲官網(wǎng)可以看到，長鑫存儲目前供應的DDR4/LPDDR4X芯片以及DDR4模組，可應用于PC、筆記本電腦、服務(wù)器、消費電子類產(chǎn)品等領(lǐng)域。

公開數(shù)據(jù)顯示，中國每年進口的芯片高達3000多億美元，這其中將近1/3是存儲芯片，在國產(chǎn)替代之路上，國內(nèi)存儲芯片廠商尚任重道遠，但未來可期。
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