中國突破碳基晶圓技術(shù),或?qū)崿F(xiàn)彎道超車

近年來我國在科技領(lǐng)域取得了一系列不菲的成就。尤其是在通信領(lǐng)域，由華為，中興等企業(yè)主導(dǎo)的中國5G技術(shù)領(lǐng)先事件，使中國第一次在重大科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了領(lǐng)跑。然而中國科技的高速發(fā)展讓美國感受到了威脅，為了維護(hù)自身在科技領(lǐng)域的優(yōu)勢，繼續(xù)保持自己的科技“霸權(quán)”，美國對中國高科技企業(yè)和科研機構(gòu)進(jìn)行了一系列的制裁。這些制裁雖然沒有阻止中國科技前進(jìn)的腳步，但給中國科技企業(yè)發(fā)展帶來了實實在在的阻礙，并且也暴露出了我國目前的一些產(chǎn)業(yè)缺陷。

半導(dǎo)體之殤

在美國幾輪制裁中，半導(dǎo)體行業(yè)成為了美國精準(zhǔn)打擊的對象，其中尤以芯片最盛，由于我國在半導(dǎo)體領(lǐng)域長期落后的原因，我國的芯片長期依賴于進(jìn)口，在這次美國的制裁中，就通過技術(shù)限制掐斷了華為等企業(yè)的芯片來源，以至于華為雖然研發(fā)出了性能優(yōu)越的手機5G芯片麒麟9000，但卻因為沒有芯片代工企業(yè)可以接單，而面臨著缺芯的無奈局面。

但是從建國以來，中國人最不害怕的就是技術(shù)封鎖，以往的歷史證明了，西方越是封鎖，越能激起中國人的斗志，最終使中國依靠自己的力量在被封鎖領(lǐng)域闖出一片天空，從原子武器到航空航天都是如此，半導(dǎo)體也不例外。

中國突破碳基晶圓技術(shù)

據(jù)俄羅斯媒體報道，中國國際石墨烯創(chuàng)新大會上中科院宣布由上海微系統(tǒng)研究所研發(fā)的8英寸石墨烯單晶晶圓已經(jīng)研發(fā)成功，這將中國在半導(dǎo)體領(lǐng)域獲得的突破性的進(jìn)展。這款石墨烯單晶晶圓將幫助我國在芯片領(lǐng)域盡快趕上世界領(lǐng)先水平，從而實現(xiàn)中國半導(dǎo)體行業(yè)的飛躍發(fā)展。

這塊八英寸石墨烯單晶晶圓是目前世界上能夠制造出的最大的碳基晶圓，同時也是最接近量產(chǎn)的碳基晶圓。相較于硅基晶圓，碳基晶圓有著很多明顯的優(yōu)勢，比如中國使用的石墨烯材料，本身具有高導(dǎo)熱性，高導(dǎo)電性以及高硬度和高彈性的優(yōu)勢，以其作為材料制作的碳基晶圓性能是普通硅基晶圓的十倍以上。有了這樣性能強大的晶圓，我國就可以在芯片領(lǐng)域的實現(xiàn)彎道超車。

雖然目前離碳基芯片的完全使用還有兩三年的時間，但是我們已經(jīng)站在了更好的平臺，日后也會有更高的成就。就如俄媒評論所說：中國已經(jīng)走出了自己的方向，自己的道路，未來必會打破西方鼓吹的“歷史終結(jié)論”。
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