電力電子器件分類
1.半控型器件,例如晶閘管;
2.全控型器件,例如GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管);
3.不可控器件,例如電力二極管。
按照驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號的性質(zhì)分類:
1.電壓驅(qū)動型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管);
2.電流驅(qū)動型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。
根據(jù)驅(qū)動電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號波形分類:
1.脈沖觸發(fā)型,例如晶閘管、GTO;
2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。
按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類:
1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR;
2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢壘二極管;
3.復(fù)合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。
電力電子器件的特點(diǎn)
在電氣設(shè)備或電力系統(tǒng)中,直接承擔(dān)電能的變換或控制任務(wù)的電路,稱為主電路( MainPower Circuit),其中的電子器件就是電力電子器件(Power Electronic Device)。廣義上電力電子器件可分為電真空器件和半導(dǎo)體器件兩類。自20世紀(jì)50年代以來,真空管僅還在頻率很高(如微波)的大功率高頻電源中在使用,而電力半導(dǎo)體器件已取代了汞弧整流器( MercuryArc-Rectifier)、閘流管(Thyratron)等電真空器件,成為絕對主力。因此,電力電子器件往往專指電力半導(dǎo)體器件,采用的主要材料仍然是硅。
同處理信息的電子器件相比,電力電子器件有如下一般特征:
(1)處理電功率的能力,即承受電壓和電流的能力,小至毫瓦級,大至兆瓦級,大多都遠(yuǎn)大于處理信息的電子器件。
(2)一般都工作在開關(guān)狀態(tài),即導(dǎo)通時(通態(tài))阻抗很小,接近于短路,管壓降接近于零,而電流由外電路決定;阻斷時(斷態(tài))阻抗很大,接近于斷路,電流幾乎為零,而管子兩端電壓由外電路決定。這些升關(guān)特性和參數(shù),也是電力電子器件的重要特性。
(3)實(shí)際應(yīng)用中,電力電子器件往往需要由信息電子電路來控制。主電路和控制電路之間,需要一定的中間電路對控制電路的信號進(jìn)行放大,這就是電力電子器件的驅(qū)動電路。
(4)為保證損耗產(chǎn)生的熱量不致使器件溫度過高而損壞,不僅要考慮器件封裝上的散熱設(shè)計,在其工作時一般也要安裝散熱器。這是因?yàn)閷?dǎo)通時器件上有一定的通態(tài)壓降,形成通態(tài)損耗,阻斷時器件上有微小的斷態(tài)漏電流流過,形成斷態(tài)損耗,而在器件開通或關(guān)斷過程中會產(chǎn)生開通損耗和關(guān)斷損耗,總稱開關(guān)損耗。對某些器件來講,驅(qū)動電路向其注入的功率也是造成器件發(fā)熱的原因之一。通常電力電子器件的斷態(tài)漏電流極小,因而通態(tài)損耗是器件功率損耗的主要成因。器件開關(guān)頻率較高時,開關(guān)損耗會隨之增大而可能成為器件功率損耗的主要因素。
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