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三安集成:加速技術(shù)突破,化合物半導(dǎo)體廣泛布局

NSFb_gh_eb0fee5 ? 來源:半導(dǎo)體投資聯(lián)盟 ? 作者:小如 ? 2021-01-12 09:24 ? 次閱讀

【編者按】2021中國IC風(fēng)云榜“年度最佳技術(shù)突破獎”征集現(xiàn)已啟動!入圍標準深耕半導(dǎo)體某一細分領(lǐng)域,從技術(shù)產(chǎn)品主要性能和指標(20%)、技術(shù)突破創(chuàng)新性(30%)、應(yīng)用市場(20%)、銷售情況(30%)四個維度進行。評選將由中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟129家會員單位及400多位半導(dǎo)體行業(yè)CEO共同擔(dān)任評選評委。獎項的結(jié)果將在2021年1月份中國半導(dǎo)體投資聯(lián)盟年會暨中國IC風(fēng)云榜頒獎典禮上揭曉。

本期候選企業(yè):廈門市三安集成電路有限公司(以下簡稱“三安集成”)

伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)等市場興起,化合物半導(dǎo)體也迎來新的風(fēng)口。三安光電于2014年5月投資30億元成立的三安集成,主要從事化合物半導(dǎo)體微波集成電路、光技術(shù)芯片和功率電子元件的研發(fā)、制造和服務(wù)。

將化合物半導(dǎo)體制造平臺從LED外延片、芯片,橫向拓展到射頻、光技術(shù)和電力電子領(lǐng)域,三安光電有其先天優(yōu)勢。

三安光電具備20多年的化合物半導(dǎo)體制造經(jīng)驗,擁有規(guī)?;庋由L的管理經(jīng)驗與優(yōu)勢?;趯II-V族化合物材料的熟悉,得以將砷化鎵、氮化鎵等LED芯片主要的材料和工藝,快速拓展到微波射頻集成電路(MMIC)代工制造和光通訊芯片制造領(lǐng)域,并成功進入國內(nèi)龍頭企業(yè)的供應(yīng)鏈。作為三安光電的全資子公司,三安集成是中國首家6英寸化合物半導(dǎo)體晶圓代工廠。也正是三安集成,將三安光電帶入全新的第二賽道。

三安集成預(yù)見第三代半導(dǎo)體材料尤其是碳化硅的市場潛力,于2020年7月在湖南長沙布局第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù),總投資160億元,總占地面積1000畝,主要建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的襯底(碳化硅)、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項目建成達產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,并帶動上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計逾千億元。由此建立起橫跨材料和市場的化合物半導(dǎo)體大制造平臺。

目前,三安集成已通過ISO9001國際質(zhì)量管理體系認證和IATF16949汽車行業(yè)質(zhì)量管理體系認證,并積極投身國際行業(yè)標準制定,是JEDEC JC-70寬禁帶功率半導(dǎo)體標準委員會成員。

在迎接新機遇的同時,三安集成也在積極打磨自身技術(shù),筑高護城河。截至目前,三安集成專利和核心技術(shù)主要集中在制造工藝層面,擁有近百項覆蓋外延生長、芯片制造授權(quán)專利。

2020年,三安集成在多個技術(shù)領(lǐng)域也取得了突破。

RF(射頻)領(lǐng)域,三安集成開發(fā)了H20HG6 砷化鎵HBT制程工藝,該技術(shù)可應(yīng)用于3G/4G, Sub-6G, WLAN 功放器件,目前已成功應(yīng)用在手持通訊終端的功放器件。同時,2020年四季度Duplexer濾波器出貨量超過10kk。

在光技術(shù)領(lǐng)域,三安集成今年還推出了25G CWDM DFB芯片系列,其在外延結(jié)構(gòu)等重要技術(shù)環(huán)節(jié)做了特殊的設(shè)計,使得25G DFB 在高溫條件下具備更好的可靠性,結(jié)合高帶寬特性,三安集成成為世界上少數(shù)可以提供100G/200G LR4 的25G DFB應(yīng)用的供應(yīng)商之一。

在電力電子領(lǐng)域,三安集成碳化硅MPS肖特基二極管全系列650V和1200V產(chǎn)品采用混合PiN肖特基二極管(MPS)設(shè)計,能提供更好的可靠性和魯棒性;今年12月更完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺的打造,首發(fā)1200V 80mΩ MOSFET產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試。得益于其產(chǎn)品特性,三安集成碳化硅功率器件產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于牽引驅(qū)動、車載充電、新能源逆變、工業(yè)電源、數(shù)據(jù)中心PFC、UPS等多領(lǐng)域。

在2021年,三安集成會持續(xù)產(chǎn)能擴張,以滿足市場的增速需求,泉州基地和長沙項目都會在未來支撐起三安大規(guī)模制造平臺的優(yōu)勢地位。

原文標題:【中國IC風(fēng)云榜年度技術(shù)突破公司候選3】三安集成:加速技術(shù)突破,化合物半導(dǎo)體廣泛布局

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責(zé)任編輯:haq

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