全球閃存芯片競爭格局分析

時至今日，在全球手機(jī)芯片市場，華為、聯(lián)發(fā)科兩家中國企業(yè)順利搶下近半數(shù)份額，擁有了一定的話語權(quán)。

但在全球閃存芯片領(lǐng)域，中國卻仍被美日韓三國企業(yè)壟斷。

韓美日長期壟斷

日前，前瞻產(chǎn)業(yè)研究院公布了一份調(diào)查報告，根據(jù)報告中，2020年全球NAND閃存供給區(qū)域分布圖顯示，韓國占比為44%，位列全球第一。

在閃存行業(yè)，多年來一直是韓國企業(yè)占大頭，例如三星、SK海力士等，都是能夠壟斷一方的頭部供應(yīng)商。

在韓國之后，美國占比為33%。英特爾、美光科技和西部數(shù)據(jù)，都是美國知名NAND閃存領(lǐng)先企業(yè)。

第三名則是日本，而中國無緣前三。更值得一提的是，韓、美、日三國就占據(jù)全球閃存芯片市場高達(dá)91%的份額，留給中國的只剩2%。

資料顯示，半導(dǎo)體存儲的發(fā)展其實只有數(shù)十年時間，NAND閃存業(yè)鏈目前可分為NAND Flash存儲芯片、存儲控制器芯片和存儲模組三大環(huán)節(jié)。

目前我國在存儲芯片領(lǐng)域沒有太多話語權(quán)，但國產(chǎn)廠商一直在堅持追趕國際大廠。例如NAND Flash存儲芯片領(lǐng)域的長江存儲，還有存儲控制芯片領(lǐng)域的華為、國科微等等。

中國企業(yè)突出重圍

其中，長江存儲已經(jīng)成功進(jìn)入全球市場，雖說市場占有率寥寥無幾，但終歸是全球范圍內(nèi)有希望的一股中國力量。

前瞻產(chǎn)業(yè)研究院整理的一組圖表顯示，在2018年到2021年間，長江存儲用短短幾年的時間，從32層推進(jìn)到128層，中間還直接越過96層。

如此激進(jìn)的跨越令人膽戰(zhàn)心驚，好在長江存儲于2020年第一季度，將128層3D NAND樣品移送給存儲控制器廠商。并于第三季度順利進(jìn)入投片、年底實現(xiàn)量產(chǎn)。

令人驕傲的是，長江存儲128層3D NAND的發(fā)布時間，追平了SK海力士、美觀科技等巨頭。這意味著，該公司用短短數(shù)年時間，走完了海外大廠十幾年才走完的路。

自研架構(gòu)成殺手锏

而長江存儲之所以能追上國際巨頭，主要得益于該公司自主研發(fā)的Xtacking架構(gòu)。

Xtacking架構(gòu)，會令存儲單元和邏輯電路在兩片晶圓上分別加工，從而將研發(fā)周期縮短三個月、生產(chǎn)周期縮短20%。

重要的是，Xtacking架構(gòu)還能夠令64層的3D NAND閃存，在存儲密度上與其他廠商96層的閃存相差無幾。

由此可見，Xtacking架構(gòu)已然成為長江存儲彎道超車的利器。利用Xtacking架構(gòu)進(jìn)行不斷升級，長江存儲有望在較短時間內(nèi)躋身行業(yè)前列。
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