三星發(fā)布870 EVO固態(tài)盤：SATA3接口+TLC閃存
距離860 EVO很長一段時(shí)間后，三星今日正式發(fā)布870 EVO固態(tài)硬盤，入門級(jí)2.5寸SATA3陣容再次得到更新。
870 EVO采用了三星最新一代V-NAND閃存（據(jù)說是同980 PRO的第六代、128層），3D TLC顆粒，通過優(yōu)化自研MKX主控、匹配SLC超高速緩存、LPDDR4內(nèi)存等，其連續(xù)讀寫速度分別提升到了560MB/s和530MB/s。隨機(jī)讀寫速度則提升到98K IOPS和88K IOPS，隨機(jī)讀取速度比860 EVO提高了38%。
容量和耐用性方面，250GB的總寫入字節(jié)數(shù)為150TBW、500GB為300TBW、1TB為600TBW、2TB為12000TBW、4TB為2400TBW，5年保修，也就是日全盤寫入0.3次左右。
三星給出的官方零售價(jià)為250GB 49.99美元（約合323元）、500GB 79.99美元、1TB 139.99美元、2TB 269.99美元和4TB 529.99美元，國行信息尚未公布。
雖然1GB超過1塊錢在當(dāng)下并不算性價(jià)很高，可這畢竟是三星最優(yōu)質(zhì)的TLC顆粒，況且你還記得兩年多前860 EVO的首發(fā)價(jià)嗎？彼時(shí)250GB 95美元、4TB甚至1400美元。
責(zé)任編輯：PSY
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
三星電子
+關(guān)注
關(guān)注
34文章
15796瀏覽量
180664 -
固態(tài)硬盤
+關(guān)注
關(guān)注
11文章
1413瀏覽量
56957 -
TLC閃存
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
6瀏覽量
8103
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
三星發(fā)布旗下首款超大容量固態(tài)硬盤BM1743
，將固態(tài)硬盤的容量上限提升至了一個(gè)全新的高度。BM1743的發(fā)布，不僅標(biāo)志著三星在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破，也預(yù)示著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)行業(yè)即將迎來一場前所未有的變革。
3D NAND閃存來到290層，400層+不遠(yuǎn)了
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）早在2022年閃存芯片廠商紛紛發(fā)布200+層 3D NAND，并從TLC到QLC得以廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。來到2024年5月目前
三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)
近日，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)，這將有助于鞏固其在NAND閃存市場的卓越地位。
三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存
據(jù)韓國業(yè)界消息，三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND（3D NAND）閃存芯片。
芯盛智能：企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤SS2000SE正式上市
4月12日，芯盛智能正式發(fā)布企業(yè)級(jí)SATA固態(tài)硬盤SS2000SE，涵蓋480GB至3.84TB大容量范圍。據(jù)官方介紹，SS2000SE基于自研XT6120控制芯片和長江存儲(chǔ)3D
三星發(fā)布2024年EVO Select系列microSD卡，速度達(dá)160MB/s
目前，三星德國官網(wǎng)上已經(jīng)公開了2024款EVO Plus microSD存儲(chǔ)卡的相關(guān)信息，而這款全新EVO Select系列的產(chǎn)品定位相對更加親民實(shí)惠。
三星研發(fā)CXL混合存儲(chǔ)模組，實(shí)現(xiàn)閃存與CPU數(shù)據(jù)直傳
據(jù)三星展示的圖片顯示，此模組可以通過CXL接口在閃存部分及CPU之間進(jìn)行I/O塊傳輸，也可以運(yùn)用DRAM緩存和CXL接口達(dá)到64字節(jié)的內(nèi)存I/O傳輸。
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%
三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存
三星電子推出990 EVO固態(tài)硬盤
近日，三星電子宣布推出其最新消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤系列——990 EVO。這款產(chǎn)品憑借其強(qiáng)大的性能和高效的能效，為全球消費(fèi)者帶來了前所未有的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
三星推出990 EVO固態(tài)硬盤：提升日常游戲、商業(yè)和創(chuàng)意工作效率
新的NVMe固態(tài)硬盤帶來了性能提升、功率效率和接口靈活性 2024年1月24日——三星電子宣布推出990 EVO固態(tài)硬盤，這是該公司消費(fèi)級(jí)
三星與美光擬提DRAM價(jià)格，以求盈利回暖
部分存儲(chǔ)模組廠已接到三星通知，要求明年年初至少將DRAM價(jià)格上調(diào)15%以上，且該通知并未涉及NAND閃存定價(jià)，故預(yù)計(jì)后者將會(huì)持續(xù)上漲。DRAM價(jià)格在去年年底上漲2%-3%，不及3D
三星推出移動(dòng)固態(tài)硬盤T5 EVO：具有超大可用容量、超快速度， 設(shè)計(jì)緊湊耐用
?容量高達(dá)8TB，傳輸速度是移動(dòng)機(jī)械硬盤的3.8倍即使從高達(dá)兩米的位置跌落仍可保護(hù)數(shù)據(jù)不受影響【4】 韓國首爾2023年11月14日消息 ——三星電子今日推出一款輕型移動(dòng)固態(tài)硬盤T5 EVO，可提供
三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%
三星采取此舉的目的很明確，希望通過此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場，穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格，并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場等目標(biāo)。
三星閃存每個(gè)季度都要漲價(jià)20％
在此之前，三星、sk海力士、美光、皮協(xié)因需求嚴(yán)重疲軟而采取了大規(guī)模減產(chǎn)措施，三星也在今年4月公布了閃存第一次減產(chǎn)計(jì)劃后延長了減產(chǎn)計(jì)劃。
三星移動(dòng)固態(tài)硬盤T9發(fā)布，為專業(yè)人士提供強(qiáng)悍性能和數(shù)據(jù)可靠性
T9是三星首款采用USB 3.2 Gen 2x2接口的移動(dòng)固態(tài)硬盤，順序讀寫速度高達(dá)2000 MB/s 【3】 速度比三星T7系列快約兩倍，
工商網(wǎng)監(jiān)
評論