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半導(dǎo)體研發(fā)投入TOP10出爐 臺積電8成資本支出將投向先進(jìn)工藝

21克888 ? 來源:電子發(fā)燒友整合 ? 作者:綜合報道 ? 2021-01-20 11:40 ? 次閱讀

根據(jù)IC Insights于2021年出版的最新版(McClean Report)報告顯示,全球半導(dǎo)體公司的研發(fā)支出預(yù)計將在2020年增長5%,達(dá)到684億美元的歷史新高。到2021年,研發(fā)支出將增長4%,達(dá)到714億美元,再創(chuàng)新高。按照他們對集成電路產(chǎn)業(yè)的前景展望,預(yù)計2021年至2025年之間,半導(dǎo)體公司的研發(fā)總支出將以5.8%的復(fù)合年均增長率(CAGR)增長,整個行業(yè)的研發(fā)支出屆時將達(dá)到893億美元。

2020年,全球受到Covid-19病毒健康危機的打擊,盡管致命的大流行帶來了經(jīng)濟影響,但半導(dǎo)體行業(yè)的總收入在這一年中驚人地增長了8%,但謹(jǐn)慎的半導(dǎo)體供應(yīng)商還是限制了研發(fā)支出的增長。

統(tǒng)計顯示,半導(dǎo)體研發(fā)支出占全球行業(yè)銷售額的百分比從2019年的14.6%下降到2020年的14.2%,而研發(fā)支出下降了1%,半導(dǎo)體總收入下降了12%。。圖1繪制了過去20年的半導(dǎo)體研發(fā)支出水平和支出銷售額比以及IC Insights對2025年的預(yù)測。

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在1970年代末以來,半導(dǎo)體研發(fā)總支出僅四年時間內(nèi)就急速下降。在經(jīng)濟放緩期間也有下滑,例如2019年為-1%,在該行業(yè)受到全球主要經(jīng)濟衰退打擊后,2009年為-10%,背靠背下降)在2002年為-1%,在2001年為-10%,當(dāng)時經(jīng)濟下滑與世紀(jì)之交的互聯(lián)網(wǎng)“ .com”泡沫破裂同時發(fā)生。

在2008年至2009年全球經(jīng)濟衰退之后,研發(fā)支出在2010年和2011年強勁恢復(fù),但隨后的支出在過去十年的時間內(nèi)由于各種原因而放緩,其中包括全球經(jīng)濟持續(xù)不確定性和歷史性波動。芯片行業(yè)的收購。

自2000年以來,除五年(2000年,2010年,2017年,2018年和2020年)以外,半導(dǎo)體研發(fā)支出總額占全球銷售額的百分比已超過四個十年的歷史平均水平14.6%。在這五年中,較低的研發(fā)與銷售比率更多地與總收入增長的優(yōu)勢有關(guān),而不是半導(dǎo)體供應(yīng)商在研發(fā)支出方面的劣勢。

英特爾在2020年的研發(fā)支出上繼續(xù)位居所有其他半導(dǎo)體供應(yīng)商之首,約占該行業(yè)總支出的19%。但是,成本削減,淘汰了某些產(chǎn)品類別以及追求最大效率的努力,導(dǎo)致英特爾2020年的研發(fā)支出減少了4%,至129億美元,而該公司的支出在2019年下降了1%,當(dāng)時占其市場份額的22%行業(yè)總數(shù)。

2019-2020年英特爾研發(fā)支出下降是該公司自2008年和2009年以來連續(xù)第一個年度下降。2020年下降4%是英特爾自1990年代中期以來最大的研發(fā)下降。排名第二的三星在2020年將其研發(fā)支出增加了19%,達(dá)到56億美元。

報告顯示,前10大研發(fā)支出(英特爾,三星,博通,高通,英偉達(dá),臺積電,聯(lián)發(fā)科,美光,SK海力士和AMD)在2020年的研發(fā)支出總計增加了11%,達(dá)到435億美元,占行業(yè)總數(shù)的64%。2020年R&D排名前十的公司分別是Nvidia(排名提升一位至第五),MediaTek(排名提升兩位至第七)和Advanced Micro Devices(排名提升一位到第十)。新的IC Insights報告顯示,前十名的研發(fā)/銷售的研發(fā)投資比例在2020年為14.5%,而在2019年為15.0%。


英文媒體的報道顯示,在最近的一次產(chǎn)品發(fā)布會上,聯(lián)發(fā)科表示他們增加2021年的研發(fā)投入,會高于2020年超過20億美元的水平。

臺積電是目前全球最大的芯片代工商,也是在芯片工藝方面走在行業(yè)前列的廠商,他們在工藝研發(fā)和量產(chǎn)方面將投入大量的資金。在1月14日發(fā)布的2020年第四季度財報中,臺積電管理層預(yù)計今年的資本支出在250億美元到280億美元。

消息人士透露,在臺積電計劃的今年的資本支出中,80%將投向3nm、5nm和7nm制程工藝,10%將投向特殊制程工藝,余下10%將投向封裝等領(lǐng)域。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自IT之家、聯(lián)發(fā)科,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。

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