■HC030N10L是一款采用SGT工藝超結(jié)MOS管,低開啟電壓1.5V,低內(nèi)阻,低結(jié)電容,低開啟電壓,溫升低,轉(zhuǎn)換效率高,過電流大,抗沖擊能力強(qiáng)。 |
■HC030N10L可以應(yīng)用于LED驅(qū)動(dòng)電源,電弧打火機(jī)、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、工控電源等產(chǎn)品,高性價(jià)比。 |
■HC030N10L是一款專門為應(yīng)用于電弧打火機(jī)市場設(shè)計(jì)開發(fā)的一款超結(jié)MOS管,低開啟電壓 低內(nèi)阻,特適合應(yīng)用于電弧打火機(jī),其特點(diǎn)是打火猛、溫度低、開啟電壓低、打火時(shí)間長、火花四射。 DEMO演示圖:
|
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
143文章
7039瀏覽量
212482 -
場效應(yīng)管
+關(guān)注
關(guān)注
46文章
1143瀏覽量
63734 -
MOS
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
1237瀏覽量
93348
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
100VMOS管-100V3A/5A/8A/10A/15A/40A N通道MOS管和P通道MOS管 皮實(shí)耐抗 性價(jià)比高
、SOP-8、TO-252等,以及溝槽型和SGT型,適用于多種領(lǐng)域和需求。
綜上所述,100V MOS管在電子電路中具有應(yīng)用前景,特別是在DCDC轉(zhuǎn)換、恒壓供電和恒流照明等領(lǐng)域。惠海作
發(fā)表于 10-28 11:07
30V MOS管 60V MOS管 100V MOS管-5N10N通道MOS管-HC5N10 100V5A 低結(jié)電容 高性價(jià)比
HC5N10** 100V5A****特點(diǎn)**
N通道,5V邏輯電平控制
增強(qiáng)模式
低的接通電阻 @ VGS=4.5 V
快速切換
發(fā)表于 10-11 09:47
什么是N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種通過改變電場來控制半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性能的電子器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道中載流子的類型,場效應(yīng)管可以分為N
N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管有什么區(qū)別
N溝道場效應(yīng)管(N-Channel Field Effect Transistor, N-Channel FET)和P溝道場效應(yīng)管(P-Ch
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的工作原理
N溝道結(jié)型場效應(yīng)管(N-Channel Junction Field Effect Transistor, N-Channel JFET)的
場效應(yīng)管N溝道和P溝道怎樣判斷
場效應(yīng)管(Field-Effect Transistor, FET)的N溝道和P溝道是其兩種主要類型,它們?cè)趯?dǎo)電機(jī)制、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及應(yīng)用場景上存在顯著差異。要準(zhǔn)確判斷一個(gè)
30V MOS管 60VMOS管 100VMOS管 150VMOS管推薦
MOS管,即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管,其工作原理是:在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間形成PN結(jié),當(dāng)加在MOS
發(fā)表于 05-28 15:36
SLD60N02T 規(guī)格書 60A 20V美浦森 貼片TO-252MOS管
深圳市三佛科技有限公司介紹
SLD60N02T : 60A 20VTO-252N溝道 MOS
發(fā)表于 04-30 17:52
SLD60N02T美浦森 TO-252封裝 60A 20V MOS管
深圳市三佛科技有限公司介紹SLD60N02T : 60A 20VTO-252N溝道 MOS
發(fā)表于 04-26 14:37
APG10N10G 100v貼片mos管-PD快充同步整流mos管規(guī)格書參數(shù)
驪微電子供應(yīng)APG10N10G 100v貼片mos管,提供APG10N10GPD快充同步整流mos
發(fā)表于 03-25 15:33
?0次下載
場效應(yīng)管的分類和區(qū)別
變大。
如果在柵源之間加負(fù)向電壓,溝道電阻會(huì)越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道,每一種又分
發(fā)表于 01-30 11:51
結(jié)型場效應(yīng)管和金屬氧化物場效應(yīng)管的分類
電壓時(shí)導(dǎo)電溝道是低阻狀態(tài),加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道
發(fā)表于 01-30 11:38
DCDC應(yīng)用電路方案中MOS管如何選型?30V60V100V150V
產(chǎn)品不適合電動(dòng)車控制器比如80V100A、150A、200A等需要抗大電流沖擊的應(yīng)用領(lǐng)域。最適合用的領(lǐng)域就是芯片+mos管的驅(qū)動(dòng)方式、5
發(fā)表于 01-20 15:30
n溝道mos管和p溝道mos管詳解
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種利用電場效應(yīng)來控制電流的半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道的類型,場效應(yīng)晶體管可以分為
評(píng)論