華為哈勃布局第二代半導(dǎo)體材料

為應(yīng)對(duì)技術(shù)“卡脖子”的局面，華為除了采用“高庫(kù)存”戰(zhàn)略保證產(chǎn)品的正常交付，并且成立了哈勃科技投資有限公司，在堅(jiān)持自研的前提下投資相關(guān)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。

在哈勃投資成立近兩年的時(shí)間里已經(jīng)陸續(xù)投資多家半導(dǎo)體公司，而這次華為瞄準(zhǔn)的卻是第二代半導(dǎo)體材料。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域一般劃分成三代，第一代半導(dǎo)體材料是以硅為主導(dǎo)，第二代則是以砷化鎵、磷化銦為代表，第三代則是以氮化鎵和碳化硅為主導(dǎo)。而此時(shí)華為哈勃“被迫營(yíng)業(yè)”，這次瞄準(zhǔn)的是一家砷化鎵及磷化銦襯底生產(chǎn)商。

近日根據(jù)工商信息顯示，云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司發(fā)生工商變更，新增股東哈勃科技投資有限公司，公司注冊(cè)資本由9547萬(wàn)元人民幣增加至1.25億元人民幣。在去年12月10日云南鑫耀所屬的云南鍺業(yè)曾發(fā)布公告稱(chēng)，同意控股子鑫耀半導(dǎo)體接受哈勃科技投資有限公司以貨幣方式向其增資人民幣3000萬(wàn)元。

從鑫耀半導(dǎo)體與華為之前的合作看，其試生產(chǎn)的6英寸砷化鎵單晶片、4英寸磷化銦單晶片經(jīng)華為海思半導(dǎo)體有限公司測(cè)試驗(yàn)證，并通過(guò)了華為海思公司現(xiàn)場(chǎng)核查，已成為華為上游產(chǎn)業(yè)鏈的一環(huán)。而華為在未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的發(fā)力，對(duì)于第二代半導(dǎo)體材料的需求會(huì)更加迫切。

華為哈勃此前已經(jīng)投資三家第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)。如今增資鑫耀半導(dǎo)體，對(duì)于此次出手華為定將為日后爭(zhēng)奪芯片制造主動(dòng)權(quán)起到了至關(guān)重要的作用。與其每天幻想光刻機(jī)的到來(lái)不如放棄幻想造芯片，對(duì)此大家怎么看呢？
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