臺積電、聯(lián)電上調今年資本支出 看好半導體需求上漲

隨著晶圓代工需求持續(xù)暢旺，產能供不應求，為因應客戶需求成長，臺積電、聯(lián)電與世界先進，同步上調今年資本支出，臺積電與聯(lián)電更分別大增45-62%、50%，要站穩(wěn)半導體產業(yè)需求爆發(fā)的風口浪尖。

臺積電去年資本支出共172億美元，為因應先進制程與特殊制程技術發(fā)展，與客戶需求成長，今年資本支出將達250-280億美元，遠高于外資原先預期的220億美元，相當于年增45-62%；其中80%將用于3納米、5納米及7納米等先進制程，10%用于先進封裝技術量產需求，10%用于特殊制程。

如今，“臺積正在進入到另一個高成長區(qū)間，”臺積電總裁魏哲家信心十足，強調5G、高效能運算（HPC）讓臺積先進制程需求強勁，其中HPC更會為臺積帶來日益重要且長期成長的驅動力，是營收強勁成長的最大貢獻領域，預估今年起至2025年，臺積每年復合成長率將達10-15%。

魏哲家預期， 2021年半導體（不含存儲器）市場約成長8%，晶圓制造產業(yè)約成長10%。以美元計算，臺積有信心年增中位數(shù)（mid-teens）百分比，優(yōu)于整體市場表現(xiàn)。

技術上，臺積3納米計劃2021年試產，并預計2022下半年量產，“我們有信心，臺積3納米技術會成為另一重要且持久的技術，”魏哲家說。

聯(lián)電今年資本支出為15億美元，較去年大增5成，將用于滿足先進制程強勁需求，其中15%用于8英寸產能、85%用于12英寸，主要用于28納米產能擴充。

聯(lián)電去年底28 納米產能約4.53 萬片，在大舉投入資本支出擴產下，今年28 納米產能將成長20%，目標年底達到5.93 萬片，其中部分來自40 納米制程轉換，部分為新增產能。

隨產能進入全面滿載，聯(lián)電總經理王石表示，2021年將可望透過產線優(yōu)化再提升約3%產能。其中，8英寸廠房受限于無塵室空間有限，產能僅約提升1%；而12英寸廠在廈門廠及日本廠成長貢獻下，產能將可望增加5%，預計在第2季及第4季都有部分產能陸續(xù)增加；至于28納米產能供應將可望增加20%，也不排除透過購并尋求增加產能的機會。

王石指出，今年整體產能將成長3%，其中，8 英寸產能因無塵室空間不足，僅能透過去瓶頸、產能優(yōu)化等方式，提高整體產能，因此產能僅將增加1%；12 英寸產能則將成長5%。

王石表示，今年 28 納米產能將成長 20%，去年底產能約 4.53 萬片，目標今年底將達到 5.93 萬片，其中部分來自 40 納米制程轉換，部分為新增產能。

本文由電子發(fā)燒友綜合報道，內容參考自臺積電、聯(lián)電，轉載請注明以上來源。