2021年伊始,美國國家公路交通安全管理局(NHTSA)要求特斯拉公司召回15.8萬輛Model S和Model X汽車,原因是2018年以前的特斯拉Model S和Model X車款采用的MCUv1單元中,搭載的Nvidia Tegra Arm-based SoC以及8GB容量的eMMC閃存。在車輛每次啟動時,都會使用這8GB存儲容量的一部分,eMMC 的硬件在達到存儲容量極限時會發(fā)生故障,導致MCU失效,觸摸屏無法工作。特斯拉也向NHTSA確認,由于內(nèi)存設(shè)備的存儲容量有限,所有設(shè)備都將不可避免地出現(xiàn)故障。
要弄明白這起“待召回”事件,我們首先要清楚什么是閃存?
閃存(NAND Flash)是一種非易失性存儲設(shè)備,具備寫讀速度快、抗震動以及掉電后數(shù)據(jù)不會丟失的特點,被廣泛應(yīng)用于手機、平板、電視、車機中控等智能終端平臺中。
eMMC是一種將控制器捆綁到閃存模塊的標準化方法,產(chǎn)品內(nèi)部包含了Flash管理技術(shù),包括錯誤探測和糾正,flash平均擦寫,壞塊管理,掉電保護等技術(shù),提供高性能,輕巧,低功耗、高耐用性和成本效益等。
目前車載多媒體系統(tǒng)的內(nèi)部存儲大多數(shù)是采用嵌入式的eMMC存儲。因為閃存本身的物理電氣特性原因,其使用壽命(Terabytes Written,TBW)會受到擦寫次數(shù)(PE Cycle)的限制,同時受到讀干擾(Read disturb)、數(shù)據(jù)保持(Data retention)、工作環(huán)境溫度變化等因素的影響。eMMC NAND閃存設(shè)備的壽命如超過PE Cycle的次數(shù),車載MCU將由于閃存磨損而失效,系統(tǒng)可能無法使用,導致汽車相關(guān)的安全功能失效,隨時是一顆“定時炸彈”。
此次“待召回”事件中的特斯拉Model S和Model X車款采用的8GB eMMC NAND閃存設(shè)備,預(yù)期使用壽命約為3000次PE Cycle,平均只需5到6年就會達到了極限,而一般車輛的預(yù)期使用壽命是要遠大于這個年限。
過去車內(nèi)存儲容量多在8G或64G,主要用于電子儀表盤、數(shù)字圖形等內(nèi)容的存儲。然而,5G和邊緣計算的到來對汽車存儲的需求越來越大。大量的感知數(shù)據(jù)、行為數(shù)據(jù)的分析以及娛樂信息都需要被存儲。同時,數(shù)據(jù)處理的本地化和連網(wǎng)化也對eMMC存儲提出更高要求。
車規(guī)級eMMC使用壽命需要多長
閃存(NAND FLASH)顆粒類型可以分為SLC、MLC、TLC、QLC四種,一般SLC的磨損壽命(PE Cycle)在30000~50000次之間,MLC的磨損壽命(PE Cycle)在2000~3000次之間,TLC的磨損壽命(PE Cycle)在300~1500次之間,QLC的磨損壽命(PE Cycle)則低至300次以內(nèi),超過磨損壽命的存儲單元,將會變得不穩(wěn)定,存儲的數(shù)據(jù)容易丟失。
磨損壽命,也稱為設(shè)備使用壽命,業(yè)內(nèi)以TBW(TerabytesWritten,1TB = 1024GB = 1024*1024MB)表示存儲設(shè)備理論最大支持的數(shù)據(jù)寫入量(理論使用壽命),以MLC閃存顆粒為例,假設(shè)一個MLC物理塊的PE Cycle為3000,那么容量為8G的eMMC,其實際可用容量為7.28GB,其TBW為 7.28*3000 = 21840GB ≈ 21.32T,假設(shè)使用壽命為6年,那么每天能支持寫入的數(shù)據(jù)量為21840GB/(6*365) ≈ 10GB,這是一顆8G eMMC的理論使用壽命。
另外eMMC實際使用壽命會受到內(nèi)部寫入放大(Write Amplification,WAF)的影響,其實際使用壽命比理論使用壽命要低很多。影響WAF的因素很多,比如上面所說的,讀干擾(Read disturb)、數(shù)據(jù)保持(Data retention)、極端高低溫工作環(huán)境影響,都會引起已存儲數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性變差,存儲算法識別到后需要在數(shù)據(jù)變得不可糾錯前進行內(nèi)部數(shù)據(jù)搬移重寫。還有靜態(tài)磨損均衡(Wear-leveling)處理帶來的額外內(nèi)部數(shù)據(jù)搬移,以及垃圾回收(Garbage Collection)處理進行的內(nèi)部數(shù)據(jù)歸集,這些都會引起WAF的增加,從而導致eMMC實際使用壽命減少。
eMMC實際使用壽命也會受到終端設(shè)備OS每日的數(shù)據(jù)寫入量級的影響,該影響主要體現(xiàn)在設(shè)備的壽命年限上,在同等TBW下,如果OS使用過程中所需存儲的數(shù)據(jù)量越大,設(shè)備的可使用壽命年限越短。
我們通過一款非智能汽車的中控設(shè)備(基于Android系統(tǒng),具備通用的音樂播放、導航等功能),針對其常用的使用場景過程中,OS對eMMC的數(shù)據(jù)寫入做一下分析。
圖二:開機過程數(shù)據(jù)寫入分布
圖二為汽車中控設(shè)備一次開機過程的數(shù)據(jù)寫入分布情況,整個開機過程數(shù)據(jù)寫入量為29.26MB,其中小于16K的寫命令總共1185次(5.72MB),大于等于16K的寫命令總共320次(23.54MB)。
圖三:導航過程數(shù)據(jù)寫入分布
圖三為汽車中控設(shè)備使用車載導航3H的數(shù)據(jù)寫入分布情況,整個導航過程數(shù)據(jù)寫入量為593.95MB,其中小于16K的寫命令總共39578次(172.22MB),大于等于16K的寫命令總共11667次(421.73MB)。
圖四:播放音樂過程數(shù)據(jù)寫入分布
圖四為汽車中控設(shè)備使用車載音樂播放3H的數(shù)據(jù)寫入分布情況,整個播放音樂過程數(shù)據(jù)寫入量為188.58MB,其中小于16K的寫命令總共6402次(30.48MB),大于等于16K的寫命令總共2916次(158.10MB)。
這是常規(guī)汽車中控平臺在一次啟動汽車并開車導航+播放音樂3個小時的應(yīng)用場景,我們監(jiān)控到OS總共需要寫入eMMC的數(shù)據(jù)量為811.79MB。在自動駕駛汽車的中控平臺上,OS除了需要照顧常用的行車使用場景,同時還需要不斷記錄汽車的各個傳感器、行車影像等數(shù)據(jù),往eMMC中記錄數(shù)據(jù)的量級將會大幅增加,如果選用的eMMC容量太小,那么eMMC的使用壽命將無法與汽車的壽命相匹配。
目前市面上常用的存儲設(shè)備種類眾多,不管是eMMC、UFS或者SSD,其核心都是使用閃存作為存儲介質(zhì),應(yīng)用在各種不同類型的終端設(shè)備中,所以UFS或者SSD也并非能夠作為eMMC的替代方案,來解決存儲設(shè)備壽命有限的問題。
隨著車內(nèi)交互功能越來越多,承載的功能越來越復(fù)雜,交互程度越來越高等因素,數(shù)據(jù)寫入量越來越大,選用大容量的車規(guī)級eMMC,來擴大存儲設(shè)備容量,延長使用壽命,可能是當前汽車廠商緩解問題的主要方法。
車規(guī)級eMMC存儲,如何為安全保駕護航
汽車電子不同于消費電子,要承受更為嚴酷的操作環(huán)境,例如極端的低溫和高溫,持續(xù)的振動,強烈的沖擊等更多其他因素。出于對汽車安全性的考慮,所有車載產(chǎn)品都需要獲得車規(guī)級認證。軟硬件設(shè)計也需充分考慮到汽車存儲的需求,適應(yīng)于未來汽車應(yīng)用的發(fā)展。
車規(guī)級的產(chǎn)品有著比傳統(tǒng)工業(yè)級產(chǎn)品更高的標準,對于NAND Flash閃存顆粒有著更為嚴格的挑選和測試標準,品質(zhì)要求更高。即使在極高和極低的溫度下,系統(tǒng)性能也很穩(wěn)定,確保汽車系統(tǒng)的可靠。
圖五:主控芯片關(guān)鍵功能模塊結(jié)構(gòu)圖
從存儲控制芯片的性能來看,車規(guī)級eMMC控制芯片需要提供低壓保護(Low Power Control),確保電壓波動不會對eMMC存儲數(shù)據(jù)穩(wěn)定性、一致性造成影響。強大的LDPC糾錯能力有助于eMMC在不同極端工作溫度環(huán)境下都能確保數(shù)據(jù)正確性,同時能有效的延長閃存的最大磨損壽命。
在車規(guī)級控制芯片的FW固件設(shè)計上,也需要從多個方面來確保eMMC數(shù)據(jù)穩(wěn)定性以及提升eMMC使用壽命。
圖六:算法固件示意圖
Read disturb處理,通過建立全盤Block讀監(jiān)控機制,及時對可能出現(xiàn)讀干擾的塊進行監(jiān)控,對已受干擾的塊進行數(shù)據(jù)重寫,在確保數(shù)據(jù)穩(wěn)定性的同時,減少內(nèi)部數(shù)據(jù)重寫頻度,減少WAF,最大限度的降低對eMMC使用壽命的影響。
圖七:閃存基本單元浮柵晶體管的截面圖
針對閃存中長時間沒有被訪問的有效靜態(tài)數(shù)據(jù)塊,通過定時監(jiān)控算法,一旦發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)穩(wěn)定性出現(xiàn)變化,及時對該數(shù)據(jù)塊的全部數(shù)據(jù)進行重寫,確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定性。
圖八:磨損差值與TBW的關(guān)系
在靜態(tài)磨損均衡處理算法設(shè)計上,重點考慮閃存模塊的磨損均衡與靜態(tài)磨損均衡處理所帶來的寫放大這兩者之間的平衡,即允許閃存數(shù)據(jù)塊之間存在一定的磨損差值,以求減少靜態(tài)磨損均衡處理的頻率,從而減少內(nèi)部數(shù)據(jù)搬移對寫放大的影響。
第三代LDPC糾錯算法,對比BCH 72Bit,糾錯能力有超過60%的提升,結(jié)合高速Read retry算法設(shè)計,在有效延長閃存磨損壽命的同時,也保證Read CMD的及時響應(yīng),確保eMMC在極端溫工作環(huán)境下的數(shù)據(jù)正確性。
總之,通過對車規(guī)級eMMC存儲控制芯片的優(yōu)化,不斷提高車規(guī)級eMMC產(chǎn)品的性能和高可靠性,提升對數(shù)據(jù)收集、傳輸和處理的高效率能力,保障eMMC使用壽命最大化。
優(yōu)質(zhì)的NAND Flash閃存顆粒和存儲主控決定著eMMC的品質(zhì),成熟嚴苛的生產(chǎn)驗證規(guī)范是eMMC質(zhì)量的保證。從車規(guī)級eMMC的生產(chǎn)和驗證要求來看,通過對產(chǎn)品高低溫測試和可靠性的驗證,模擬高振動沖擊、惡劣環(huán)境、長周期、連續(xù)工作等條件,確保產(chǎn)品的高可靠性和穩(wěn)定性;按照符合零失效(Zero Defect)的供應(yīng)鏈品質(zhì)管理標準 ISO/TS 16949 規(guī)范進行生產(chǎn)管理,減少在汽車零部件供應(yīng)鏈中容易產(chǎn)生的質(zhì)量波動;針對車規(guī)級eMMC的高可靠性要求,按照AEC-Q100的汽車認證標準,對每一款產(chǎn)品都進行嚴苛測試。
此外,從供應(yīng)鏈來看,車規(guī)級eMMC需要3至10年的長期穩(wěn)定供貨,質(zhì)保3年。當前汽車芯片缺貨在汽車行業(yè)愈演愈烈,危機讓汽車廠商更加重視汽車芯片的供應(yīng)鏈,也讓業(yè)界意識到擁有自主和可控的供應(yīng)鏈是非常有必要的。
結(jié)語
綜合來看,車規(guī)級eMMC供應(yīng)商的全棧式解決方案的能力將至關(guān)重要。芯片廠商不僅要和閃存原廠建立有穩(wěn)定且長期的合作,自主擁有eMMC存儲控制技術(shù),還要獲得供應(yīng)鏈多項體系和規(guī)范標準認證。從存儲介質(zhì)顆粒篩選,到存儲控制器及固件的開發(fā),模組設(shè)計、封裝、生產(chǎn)、測試和售后服務(wù)各個環(huán)節(jié),都要嚴苛把關(guān),滿足車規(guī)級eMMC領(lǐng)域的技術(shù)以及規(guī)范標準要求。
目前,國內(nèi)僅有少數(shù)廠商在該領(lǐng)域有多年的經(jīng)驗積累,擁有車規(guī)級eMMC In-house主控芯片的研發(fā)能力,可以提供車規(guī)級eMMC的一站式存儲解決方案及服務(wù)。
隨著我國新能源汽車快速發(fā)展,5G、車聯(lián)網(wǎng)、AI等新興技術(shù)加速與汽車產(chǎn)業(yè)融合,車聯(lián)網(wǎng)、智能駕駛、ADAS、邊緣計算等成為汽車電子重要的組成,由此也帶動汽車半導體用量的大幅上升??梢哉f,巨大的汽車半導體市場機遇,國產(chǎn)汽車存儲芯片廠商不容錯過。
原文標題:15.8萬輛特斯拉待召回,如何解決汽車存儲痛點
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