SK海力士于周三宣布與ASML簽訂了一項為期5年(截至2025年12月1日)的采購合同,總值約為4.8萬億韓元(43.4億美元),用于購置EUV光刻機(jī)。
這次采購成本已經(jīng)近似于SK海力士總資產(chǎn)的7.34%,SK海力士稱這是用于購買光刻機(jī)和安裝的費用預(yù)估,將在未來五年內(nèi)逐臺支付,一臺EUV設(shè)備的價格在1.3億美元到1.5億美元之間。
SK海力士已經(jīng)將現(xiàn)有的兩臺研究用EUV設(shè)備用于商業(yè)生產(chǎn),并安裝至其伊川市M16晶圓廠。該晶圓廠于2月1日竣工,將采用EUV光刻技術(shù)生產(chǎn)第四代10nm(1a)的DRAM,量產(chǎn)將從2021年下半年開始。M16晶圓廠耗資3.5萬億韓元,建筑面積達(dá)57000平方米,SK海力士也將從該廠開始加大EUV技術(shù)的應(yīng)用,鞏固半導(dǎo)體存儲器先進(jìn)加工的領(lǐng)先地位。
在上個月的第四季度財報中,SK海力士也提到2021年的DRAM銷售量將增長16%至20%,主要需求來自數(shù)字中心服務(wù)器和5G智能手機(jī)。
而SK海力士的競爭對手三星已經(jīng)在去年就用上了EUV光刻機(jī),生產(chǎn)第三代的1z DRAM。
本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自路透社、SK海力士,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。
這次采購成本已經(jīng)近似于SK海力士總資產(chǎn)的7.34%,SK海力士稱這是用于購買光刻機(jī)和安裝的費用預(yù)估,將在未來五年內(nèi)逐臺支付,一臺EUV設(shè)備的價格在1.3億美元到1.5億美元之間。
SK海力士已經(jīng)將現(xiàn)有的兩臺研究用EUV設(shè)備用于商業(yè)生產(chǎn),并安裝至其伊川市M16晶圓廠。該晶圓廠于2月1日竣工,將采用EUV光刻技術(shù)生產(chǎn)第四代10nm(1a)的DRAM,量產(chǎn)將從2021年下半年開始。M16晶圓廠耗資3.5萬億韓元,建筑面積達(dá)57000平方米,SK海力士也將從該廠開始加大EUV技術(shù)的應(yīng)用,鞏固半導(dǎo)體存儲器先進(jìn)加工的領(lǐng)先地位。
在上個月的第四季度財報中,SK海力士也提到2021年的DRAM銷售量將增長16%至20%,主要需求來自數(shù)字中心服務(wù)器和5G智能手機(jī)。
而SK海力士的競爭對手三星已經(jīng)在去年就用上了EUV光刻機(jī),生產(chǎn)第三代的1z DRAM。
本文由電子發(fā)燒友綜合報道,內(nèi)容參考自路透社、SK海力士,轉(zhuǎn)載請注明以上來源。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關(guān)注
關(guān)注
40文章
2282瀏覽量
182964 -
SK海力士
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
918瀏覽量
38255 -
EUV光刻機(jī)
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
128瀏覽量
15059
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
SK海力士宣布68億美元半導(dǎo)體園區(qū)投資計劃
韓國SK海力士宣布投資9.4萬億韓元(約合68億美元)用于建設(shè)新的半導(dǎo)體園區(qū),該園區(qū)將擁有四座最先進(jìn)的晶圓廠和一個綜合合作場地。
SK海力士斥資68億美元打造全球AI芯片生產(chǎn)基地
全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項重大投資決策,計劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級工廠。此項目標(biāo)志著
SK海力士計劃斥資68億打造芯片制造基地
全球知名的內(nèi)存芯片制造商SK海力士于周五宣布了一項重大投資決策,計劃斥資約9.4萬億韓元(折合美元約為68億)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座芯片制造基地。這一舉措標(biāo)志著
SK海力士豪擲748億美元加碼存儲器芯片投資,聚焦HBM技術(shù)引領(lǐng)AI未來
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實力,再次成為業(yè)界的焦點。據(jù)最新報道,SK海力士計劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元(
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團(tuán)最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15億美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK
臺積電A16制程采用EUV光刻機(jī),2026年下半年量產(chǎn)
據(jù)臺灣業(yè)內(nèi)人士透露,臺積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī),而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下,英特爾和三星則計劃在此階段使用最新的High-N
SK海力士聯(lián)手TEMC開發(fā)氖氣回收技術(shù),年度節(jié)省400億韓元
SK海力士聯(lián)合 TEMC 研發(fā)出一套氖氣回收裝置,用以收集及分類處理光刻工藝環(huán)境中的氖氣,然后交予 TEMC 進(jìn)行純化處理,最后回流至 SK 海力士
剛剛!SK海力士出局!
在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力
SK海力士斥資逾千億美元建半導(dǎo)體廠
全球知名的存儲器芯片制造商SK海力士日前宣布了一項宏偉計劃,擬在2046年前于其龍仁半導(dǎo)體基地投入超過120兆韓元(約合907億美元)資金,打造全球規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)設(shè)施。
今日看點丨SK海力士砸900多億美元建半導(dǎo)體廠;消息稱聯(lián)發(fā)科天璣 9400 暫定 10 月發(fā)布
1. SK 海力士砸900 多億美元建半導(dǎo)體廠 政府相挺 ? 全球第二大存儲器芯片制造商SK海力士
發(fā)表于 03-22 10:47
?907次閱讀
SK海力士擴(kuò)大對芯片投資
SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的
SK海力士斥資10億美元,加碼先進(jìn)芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求
據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10億美元擴(kuò)充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實現(xiàn)了低功耗、提升性
SK海力士加大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)投入
SK海力士近日宣布,將進(jìn)一步擴(kuò)大高帶寬內(nèi)存生產(chǎn)設(shè)施的投資,以滿足高性能AI產(chǎn)品市場的不斷增長需求。
SK海力士資本支出大增,HBM是重點
SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元(76.2億美元),超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士
三星希望進(jìn)口更多ASML EUV***,5年內(nèi)新增50臺
EUV曝光是先進(jìn)制程芯片制造中最重要的部分,占據(jù)總時間、總成本的一半以上。由于這種光刻機(jī)極為復(fù)雜,因此ASML每年只能制造約60臺,而全球5家芯片制造商都依賴ASML的EUV光刻機(jī),包
評論