SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風格，借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。

仿真只是工具，仿真無法替代實驗，仿真只供參考，切勿癡迷迷信。以上寒暄既畢，我們直奔主題：

1、選取仿真研究對象

SiC MOSFET

IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)

Driver IC

1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)

2、仿真電路Setup

如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并聯(lián)的主回路和驅動回路，并設置相關雜散參數(shù)，環(huán)境溫度為室溫。

外部主回路：直流源800Vdc、母線電容Capacitor(含寄生參數(shù))、母線電容與半橋電路之間的雜散電感Ldc_P和Ldc_N、雙脈沖電感Ls_DPT

并聯(lián)主回路：整體為半橋結構，雙脈沖驅動下橋SiC MOSFET，與上橋的SiC MOSFET Body Diode進行換流。下橋為Q11和Q12兩顆IMZ120R045M1，經(jīng)過各自發(fā)射極(源極)電感Lex_Q11和Lex_Q12，以及各自集電極(漏極)電感Lcx_Q11和Lcx_Q12并聯(lián)到一起；同理上橋的Q21和Q22的并聯(lián)結構也是類似連接。

并聯(lián)驅動回路：基于TO247-4pin的開爾文結構，功率發(fā)射極與信號發(fā)射級可彼此解耦，再加上1EDI40I12AF這顆驅動芯片已配備OUTP與OUTN管腳，所以，每個單管的驅動部分都有各自的Rgon、Rgoff和Rgee(發(fā)射極電阻)，進行兩并聯(lián)后與驅動IC的副邊相應管腳連接。

驅動部分設置：通過調(diào)整驅動IC副邊電源和穩(wěn)壓電路，調(diào)整門級電壓Vgs=+15V/-3V，然后設置門極電阻Rgon=15Ω，Rgoff=5Ω，Rgee先近似設為0Ω(1pΩ)，外加單管門極與驅動IC之間的PCB走線電感。

圖1.基于TO247-4Pin的SiC雙管并聯(lián)的雙脈沖電路示意圖

3、并聯(lián)動態(tài)均流仿真

SiC MOSFET并聯(lián)的動態(tài)均流與IGBT類似，只是SiC MOSFET開關速度更快，對一些并聯(lián)參數(shù)會更為敏感。如圖2所示，我們先分析下橋Q11和Q12在雙脈沖開關過程中的動態(tài)均流特性及其影響因素：

圖2.下橋SiC雙管并聯(lián)的雙脈沖電路示意圖

3.1 器件外部功率源極電感Lex對并聯(lián)開關特性的影響

設置Lex_Q11=5nH,Lex_Q12=10nH，其他參數(shù)及仿真結果如下：

圖3.不同Lex電感的并聯(lián)均流仿真結果

3.2 器件外部功率漏極電感Lcx對并聯(lián)開關特性的影響

設置Lcx_Q11=5nH,Lcx_Q12=10nH，其他參數(shù)及仿真結果如下：

圖4.不同Lcx電感的并聯(lián)均流仿真結果

3.3 器件外部門級電感Lgx對并聯(lián)開關特性的影響

設置門級電感Lgx_Q11=20nH,Lgx_Q12=40nH，其中Rgon和Rgoff的門級電感都是Lgx，其他參數(shù)及仿真結果如下：

圖5.不同Lgx電感的并聯(lián)均流仿真結果

3.4器件外部源極環(huán)流電感Lgxe和環(huán)流電阻Rgee對并聯(lián)開關特性的影響

在Lex電感不對稱(不均流)的情況下，設置不同的源極抑制電感和電阻Lgxe=20nH,Rgee=1Ω和3Ω，看看對驅動環(huán)流的抑制與均流效果，其仿真結果如下：

圖6.加源極抑制電感和電阻之前(虛線)和加之后(實線)的均流特性變化

圖7.不同源極抑制電感和電阻(1Ω虛線)和(3Ω實線)的均流特性變化

4、總結

基于以上TO247-4pin的SiC MOSFET兩并聯(lián)的仿真條件與結果，我們可以得到如下一些初步的結論(TO-247-3pin由于源極回路相對復雜，且看下期“仿真看世界”詳細分解)：

1、并聯(lián)單管的源極電感Lex差異，SiC MOSFET的開通與關斷的均流對此非常敏感。因為，源極電感的差異也會耦合影響到驅動回路，以進一步影響均流。如下圖8所示，以關斷為例，由于源極電感Lex不同，造成源極環(huán)流和源極的電位差(VQ11_EE-VQ12_EE)，推高了Q11源極電壓VQ11_EE，間接降低了Q11門級與源極之間的電壓Vgs_Q11。

圖8.不同源極電感時，關斷時的源極環(huán)流與源極電位差

2、并聯(lián)單管的漏極電感Lcx差異，對均流影響的影響程度要明顯低與源極電感。因為漏極電感不會直接影響由輔助源極和功率源極構成的源極環(huán)流回路。

3、門極電感差異對動態(tài)均流的影響不明顯，而且驅動電壓Vgs波形幾乎沒有變化。如果把主回路的總雜散電感減小，同時把門級電阻變小，讓SiC工作在更快的di/dt和dv/dt環(huán)境，此時門級電感對均流的影響可能會稍微明顯一點。

4、輔助源極電阻Rgee，對抑制源極環(huán)流和改善動態(tài)均流的效果也不甚明顯。

行文將盡，去意闌珊；想必大家心中難免困惑：既然Rgee對抑制源極環(huán)流效果一般，那如果給門極增加一點Cge電容呢？為此，又補充了一組仿真，以饗讀者：

圖9 增加1nF門級Cge電容對源極不均流特性的影響(虛線為無Cge，實線為有Cge)

由上述仿真可以看出，Cge電容對于關斷幾乎沒有影響，而Cge之于開通只是以更慢的開通速度，增加了Eon，同時減輕了開通電流振蕩，但是對于開通的均流差異和損耗差異，影響也不大。

原文標題：仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

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責任編輯：haq