基于LinkSwitch-4開關(guān)IC提高基于BJT的方案的可靠性

眾所周知，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管（BJT）在成本上有很大的優(yōu)勢。外部BJT的控制器比包含集成型MOSFET的控制器便宜。但是一般情況下，當(dāng)功率級提高到3W以上時(shí)，BJT中的開關(guān)損失可能就會(huì)成為大問題。

Power Integrations最新推出的LinkSwitch-4系列IC，支持安全地使用低成本的雙極結(jié)型晶體管（BJT）開關(guān)，能夠提供比現(xiàn)有BJT或MOSFET開關(guān)更高的效率。新的系列器件專門適用于要求滿足美國能源部（DoE）和歐盟行為準(zhǔn)則（CoC）嚴(yán)格的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，幫助工程師設(shè)計(jì)出能銷往美國及歐洲地區(qū)且具有更大競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品。

LinkSwitch-4系列恒壓/恒流初級側(cè)調(diào)節(jié)（PSR）開關(guān)IC，采用高級自適應(yīng)基極（Base）-發(fā)射極（Emitter）開關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，該技術(shù)還可消除與BJT相關(guān)的次級擊穿，降低對電流增益變化的敏感度，從而允許使用成本極低的BJT。自適應(yīng)基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)不僅通過大幅優(yōu)化BJT開關(guān)特性來提供設(shè)計(jì)和制造過程中BJT晶體管的選擇靈活性，而且還可極大提高基于BJT的方案的可靠性。

LinkSwitch-4開關(guān)IC采用高級自適應(yīng)基極-發(fā)射極開關(guān)驅(qū)動(dòng)技術(shù)，得以提高效率

隨著美國DOE-6和歐洲COC V5能效標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施的逼近，滿足新標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)方案需求也日益迫切。DoE新標(biāo)準(zhǔn)DoE-6，是主要針對電池充電器與外部電源的節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)，它要求在充電器USB電纜末端進(jìn)行效率合規(guī)測量。而CoC V5著重對空載功耗、效率提出更高的要求。

LinkSwitch-4 IC集成了采用準(zhǔn)諧振開關(guān)策略的多模式PWM/PFM控制器，可提高效率并滿足

LinkSwitch-4適用于要求滿足美國DoE-6和歐盟CoC的新效率標(biāo)準(zhǔn)的充電器和適配器，并能夠用于1.5A和2A大電流智能手機(jī)充電器。

另外，除了智能手機(jī)，LinkSwitch-4 IC還適用于無繩電話、PDA、MP3和其他便攜式音頻設(shè)備的充電器及適配器等應(yīng)用，并提供SOT-23-6和SO-8兩種封裝。

采用LinkSwitch-4 IC的10W 2A充電器設(shè)計(jì)

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