國(guó)內(nèi)傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向

傳感器（Sensor）技術(shù)（Technology）是現(xiàn)代科技的前沿技術(shù)，傳感器產(chǎn)業(yè)也是國(guó)內(nèi)外公認(rèn)的具有發(fā)展前途的高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，它以其技術(shù)含量高、經(jīng)濟(jì)效益好、滲透能力強(qiáng)、市場(chǎng)前景廣等特點(diǎn)為世人矚目。

我國(guó)自動(dòng)化方面的專家呼吁：目前復(fù)雜系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜，自動(dòng)化已經(jīng)陷入低谷，其主要原因之一是傳感技術(shù)的落后，一方面表現(xiàn)為傳感器在感知信息方面的落后;另一方面也表現(xiàn)為傳感器自身在智能化和網(wǎng)絡(luò)化方面的技術(shù)落后。

分析儀器產(chǎn)業(yè)迫切需要新型傳感器。分析儀器是我國(guó)科技、經(jīng)濟(jì)和社會(huì)持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，無(wú)論在工業(yè)過(guò)程控制、設(shè)施農(nóng)業(yè)、生物醫(yī)學(xué)、環(huán)境控制、食品安全乃至航空航天、國(guó)防工程等領(lǐng)域，均迫切需要各類新型傳感器作為信息攝取源的小型化、專用化、簡(jiǎn)用化、家庭化（甚至個(gè)人化）的新一代分析儀器，實(shí)現(xiàn)更靈敏、更準(zhǔn)確、更快速、更可靠地實(shí)時(shí)檢測(cè)，以迅速改變我國(guó)分析儀器的落后狀況。

而技術(shù)推動(dòng)是加速傳感器技術(shù)發(fā)展的保證和機(jī)遇。幾十年來(lái)，以微電子技術(shù)為基礎(chǔ)，促進(jìn)了傳感器技術(shù)的發(fā)展。未來(lái)10～20年，傳統(tǒng)硅技術(shù)將進(jìn)入成熟期（預(yù)測(cè)為2014年～2017年）。屆時(shí)，直徑300mm硅芯片將大量用于生產(chǎn)，使得硅的低成本制造技術(shù)和硅的應(yīng)用（Application）技術(shù)將得到空前的發(fā)展，這無(wú)疑將為研制生產(chǎn)微型傳感器、智能傳感器等新型傳感器提供技術(shù)保障。從總體發(fā)展看，傳統(tǒng)硅技術(shù)將一直延續(xù)到2047年（即晶體管發(fā)明100周年）才趨于飽和（即達(dá)到芯片特征尺寸的極限）和衰退。而當(dāng)前微電子技術(shù)仍將依循“等縮比原理”和“摩爾定律”兩條基礎(chǔ)規(guī)律走下去，在盡力逼近傳統(tǒng)硅技術(shù)極限中，不斷擴(kuò)展硅的跨學(xué)科橫向應(yīng)用（如MEMS等）和突破“非穩(wěn)態(tài)物理器件”（量子、分子器件），而上述微電子技術(shù)發(fā)展中的兩大方向正是當(dāng)前乃至未來(lái)20年傳感器技術(shù)的主要發(fā)展方向。

同時(shí)，多學(xué)科、多種高新技術(shù)的交叉融合，推動(dòng)了新一代傳感器的誕生與發(fā)展。例如：我國(guó)重點(diǎn)開(kāi)發(fā)的MEMS（微電子與微機(jī)械的結(jié)合）、MOMES（MEMS與微光學(xué)的結(jié)合）、智能傳感器（MEMS與CPU、信息控制技術(shù)的結(jié)合）、生物化學(xué)傳感器（MEMS與生物技術(shù)、電化學(xué)的結(jié)合）等以及今后將大力開(kāi)發(fā)的網(wǎng)絡(luò)化傳感器（MEMS網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的結(jié)合）、納米傳感器 （納米技術(shù)與傳感技術(shù)的結(jié)合）均是多學(xué)科、多種學(xué)科技術(shù)交叉融合的新一代傳感器。

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