電磁突破可以降低功耗,提高數(shù)字存儲器的速度??死锼沟侔病け葍?nèi)克(Christian Binek)說,“達(dá)到這一點是一個非常痛苦的過程?!?/p>
由Binek,Peter Dowben和Alexei Gruverman領(lǐng)導(dǎo)的內(nèi)布拉斯加州大學(xué)林肯分校尋求Binek所稱的“圣杯”:一種量子材料,其磁態(tài)可以僅通過電手段改變,并且在高于室溫的條件下。
在化學(xué)雜質(zhì)和更少的頓悟的幫助下,該團(tuán)隊精心設(shè)計了能夠做到這一點的納米材料和微觀結(jié)構(gòu)。正如Binek所看到的那樣,這種材料含少量雜質(zhì)的氧化鉻,可以預(yù)示著數(shù)字存儲器和處理器的出現(xiàn),這些存儲器和處理器的耗電量遠(yuǎn)低于現(xiàn)代同類產(chǎn)品,而運行速度甚至可能更快。
氧化鉻屬于一種專有的材料,具有一種稱為反鐵磁性的現(xiàn)象。
任何磁性材料中的原子都像微小的條形磁鐵一樣工作,每個磁鐵都有一個北極和一個南極。傳統(tǒng)上被認(rèn)為是磁性的大多數(shù)材料實際上都是鐵磁性的,每個原子的磁極指向相同的方向以產(chǎn)生易于測量的磁場。
相反,反鐵磁體具有交替排列的原子列,這些原子的極點指向相反的方向(例如,上下-上下-上下),并且彼此有效地抵消,從而幾乎不產(chǎn)生磁場。
簡化的動畫演示了在鐵磁和反鐵磁材料中如何發(fā)生磁轉(zhuǎn)換。內(nèi)布拉斯加州研究人員開發(fā)的反鐵磁材料的切換速度可能比動畫快10萬億倍,這使其速度比傳統(tǒng)鐵磁材料的切換速度快約10倍。
可以切換鐵磁體和反鐵磁體的內(nèi)部磁狀態(tài),以對二進(jìn)制數(shù)據(jù)的1和0進(jìn)行編碼。但是由于多種原因,反鐵磁體特別吸引電子工程師。它們?nèi)狈ν獠看艌?,消除了?shù)字組件相互干擾的機(jī)會。許多設(shè)備(包括氧化鉻)自然地與數(shù)字設(shè)備內(nèi)部產(chǎn)生的窒息熱量隔絕。
它們的內(nèi)部磁性不僅可以通過外部磁場來切換,還可以通過電場來切換,后者需要的功率大大降低,并且避免了討厭的干擾問題。
盡管氧化鉻在承受熱量和切換磁性狀態(tài)方面是最有力的支持者,但實際上卻失去了超過華氏93度的反鐵磁性,也失去了被電場操縱的意愿。
假設(shè)您想考慮將存儲設(shè)備帶到CPU附近的任何地方。您無法承受設(shè)備在93度時喪失所有功能的負(fù)擔(dān)。
為了解決不那么小的問題,Binek和他的同事們首先采用了一種方法,該方法包括創(chuàng)建納米級的反鐵磁材料薄層-氧化鉻,并在其上面涂上鐵磁材料。他們的邏輯是正確的:使用電場來決定反鐵磁體的狀態(tài),然后會改變其上方的鐵磁體的磁性,然后會產(chǎn)生可被讀取為1或0的磁特征。該方法提高了溫度閾值,這本身就是一項重大成就。即使如此,該團(tuán)隊仍必須施加耗能的磁場。
保持鐵磁體與反鐵磁體耦合的力太弱了。因此我們被迫嘗試其他嘗試。最終使我們受益匪淺。
那是要完全擺脫上面的鐵磁體。研究小組發(fā)現(xiàn),僅反鐵磁體就產(chǎn)生了足夠的表面水平磁信號(由其原子磁體重新定向90度而不是通常的180度產(chǎn)生),可以作為一點數(shù)據(jù)讀取。
它可以在最高華氏260度的高溫下工作。它僅通過施加電壓即可工作,而無需外部磁場的幫助。不僅如此:相同的力量弱點使團(tuán)隊以前的方法受挫,這也使得切換反鐵磁體的內(nèi)部磁性方向變得更加容易。與該團(tuán)隊合作的理論物理學(xué)家估計,轉(zhuǎn)換可能發(fā)生的時間僅為100皮秒,比典型的鐵磁材料所需的納秒速度快約10倍。
反轉(zhuǎn)鐵磁體的磁化所需的時間是設(shè)備的限制因素。納秒聽起來很快速,但是對于現(xiàn)代設(shè)備而言,它太慢了。我們不再需要鐵磁體這一事實意味著現(xiàn)在也消除了這個問題。
Binek表示,預(yù)計的100皮秒速度如何轉(zhuǎn)換為實際設(shè)備尚不確定,但這是一個令人鼓舞的早期信號。不管它實際上是否比鐵磁體更快地存儲和處理數(shù)據(jù),它在節(jié)能方面的主要優(yōu)勢都使其成為通常不受電源束縛的設(shè)備的主力軍。
采用物聯(lián)網(wǎng),指的是具有WiFi功能的設(shè)備。如果您希望對象具有內(nèi)存,那么您就想以低能耗來做所有事情,并且有可能在不忘記系統(tǒng)所處狀態(tài)的情況下將其關(guān)閉。在我們的案例中,這也可以實現(xiàn)。
該小組最近在《自然通訊》雜志上報告了其發(fā)現(xiàn)。Binek,Dowben和Gruverman與內(nèi)布拉斯加州的Ather Mahmood,Will Echtenkamp,Mike Street,Wang-Lei Wang,Shi Cao,Takashi Komesu,Pratyush Buragohain和Haidong Lu以及紐約大學(xué)的Arun Parthasarathy和大學(xué)的Shaloo Rakheja共同撰寫了該研究伊利諾伊州香檳分校的地址。
研究人員得到了陸軍研究辦公室的部分支持;國家科學(xué)基金會,該基金會資助內(nèi)布拉斯加州的材料研究科學(xué)與工程中心;以及內(nèi)布拉斯加州研究計劃。樣品是在內(nèi)布拉斯加州材料與納米科學(xué)中心和內(nèi)布拉斯加州納米規(guī)模的工廠制造的。
編輯:lyn
-
處理器
+關(guān)注
關(guān)注
68文章
19103瀏覽量
228826 -
電磁
+關(guān)注
關(guān)注
15文章
1073瀏覽量
51674 -
數(shù)字存儲器
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
2瀏覽量
2626
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論