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基于ESD保護器件的高頻數(shù)據(jù)接口保護方案設計

電子設計 ? 來源:泰科電子 ? 作者:泰科電子 ? 2021-05-16 10:38 ? 次閱讀

IC制程技術的不斷發(fā)展、高速數(shù)據(jù)傳輸接口的大行其道,使得相關的ESD防護變得日益困難。對更快處理速度和更高功能密度的強烈需求,推動IC制造者進一步縮減MOS元件的最小尺寸,尤其當制造技術轉向90nm以下時,IC芯片體積越來越小、密度越來越高、功能越來越復雜,而其使用的電磁環(huán)境卻日趨嚴酷,也使其更易遭受ESD、過壓及過流的損害。同時,各種高速接口的持續(xù)發(fā)展,特別是便攜式多媒體設備的高速成長,使得數(shù)據(jù)的高速傳輸成為必然。而怎樣才能在保護接口安全的同時保證數(shù)據(jù)的高速傳輸,已然成為高頻數(shù)據(jù)接口面對的難題。

不同接口的電路保護要求

在目前的主流接口中,USB的使用最為廣泛,最新的USB3.0更是會支持高達5Gbps的傳輸速度。當傳輸速度提升到如此高時,信號的保持時間僅有200ps,此時傳統(tǒng)的高電容MLV、TVS 等器件將無法用于ESD保護,高寄生電容將嚴重引起信號波形失真:它減少了電平保持時間,令信號上升和下降沿大為改變,以至于信號無法達到正常的工作電平。與之相比,HDMI1.3標準將早期HDMI1.0-1.2的數(shù)據(jù)傳輸速率提高了一倍,達到每對差分信號3.4Gbps。要達到如此高的數(shù)據(jù)傳輸速率,低電容和出色的電路板設計將成為充分保證信號完整性的關鍵。

新型DisplayPort接口也正在被許多個人電腦、監(jiān)視器、投影儀以及其他顯示內容(播放)源設計所采用。DisplayPort接口在高達2.7Gbps的速率下工作,這比原來的視頻/多媒體互聯(lián)標準高得多,因此也面臨著同樣的挑戰(zhàn)。硬盤驅動器、電腦和機頂盒廠家正在向E-SATA (外部串行ATA)標準看齊,把它作為在存儲設備之間傳遞視頻的快速方式,最新SATA3.0標準最新定義的最高傳輸帶寬將高達6Gbps。E-SATA 技術對ESD的需求與HDMI及DisplayPort十分相似,E-SATA的熱插拔性質使得高等級ESD保護變得尤為關鍵。

圖1.不同高速接口的信號速度要求比較

可見,對于設計人員來講,高速接口電路保護設計的復雜性及難點來自于工作速度,很多設計人員對于各種各樣的速度表達方式感到無從下手。

以 HDMI1.3和DisplayPort為例,HDMI1.3一般是指在340Mpixel/s下按最高10Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速度工作,這里的最高傳輸速度表示接口將根據(jù)所連接的發(fā)生器和接收器的視頻能力而改變其時鐘速率。被連接的兩種設備的分辨率或顏色深度越高,時鐘頻率就越高。比如,高清視頻在 1,080p模式下就比在1,080i模式下要處理的數(shù)據(jù)信息多,時鐘速率也更快。實際工作時,HDMI的工作速度取決于發(fā)射器和接收器的能力以及播放源的分辨率和顏色深度。圖1所示為常用高速接口的TMDS的最高工作速率。

DisplayPort標準規(guī)定了兩種工作速度:1.62GHz和2.7GHz。設計人員可以根據(jù)具體用途和成本因素選擇較低的工作速度,而較高的速度可以使刷新速度更快、分辨率更高、顏色深度更豐富。

有些情況下也有可能實現(xiàn)具備兩種速度的設計。最新USB 3.0規(guī)范大大增加了對低電容ESD器件的需求。USB 3.0在現(xiàn)有USB 2.0上增加了兩個高速差分信號對。由于收發(fā)差分信號對最高可在5GHz下工作,USB 3.0要求信號比DisplayPort快50%。按照這種速度,任何附加電容都會影響眼圖,從而影響與USB 3.0規(guī)范的相符性。

以上高速數(shù)據(jù)傳輸接口電路保護的主要困難是,保護器件的過大寄生電容會造成一定程度的信號衰減,從而降低顯示質量。因此,ESD器件要根據(jù)其所保護的電路接口的信號頻率,選擇足夠低電容以及穩(wěn)定ESD分流能力的ESD器件,并在元件尺寸、ESD保護性能以及實現(xiàn)的便利性之間進行取舍。在高速數(shù)據(jù)接口電路上添加ESD保護時,必須考慮外加電容和電感對高速差分信號的時序影響。當USB3.0在高達5GHz的速度下工作時,線路上任何額外阻抗都有可能會使信號失真,導致其難以滿足規(guī)定眼圖中的信號上升時間和維持信號電平。

選擇合適的ESD保護器件

高速信號的時序性能一般用眼圖進行測量,眼圖是一種用來精確顯示時序和點評誤差的分析工具。如圖2所示,眼圖中間的灰色部分代表高速差分信號的電氣規(guī)格。當線條逐漸侵占灰色部分,誤差余量變得越來越小。眼寬度是代表數(shù)據(jù)線穩(wěn)定時間以及是否存在誤差的理想指標。眼高度則表示信號電平或振幅。由于TMDS對為差分信號,盡量減小差分電容和信號-對-地電容十分重要,這樣才能保證信號的上升時間和下降時間符合要求。最理想的情況是,電容足夠低,以給設計人員的足夠的設計余量。

圖2 在3.4GHz下工作的泰科電子0.25pF PESD器件的眼圖

為滿足高速數(shù)據(jù)通信接口既使得ESD保護有效、又不影響高速信號傳輸?shù)囊?。近年來,市場上推出了多種專門適用于此類保護要求的器件,例如泰科電子瑞侃電路保護部推出的高分子ESD抑制器件PESD,以及低電容硅類ESD器件SESD。PESD器件的電容極低,典型值0.25pF,漏電流極?。ā?.001A);ESD防護快速有效, 價格低于低電容硅器件。泰科電子推出的低電容硅類ESD器件包括0201封裝,典型電容為0.6pF的SESD0201C-006-058, 0402封裝,典型電容為0.5pF的SESD0402S-005-054。

圖2展示了泰科電子0.25pF PESD器件在3.4GHz下工作(HDMI 1.3)的眼圖性能,如圖所示,當接口傳輸速度高達HDMI1.3定義的最高3.4GHz時,采用泰科電子PESD靜電保護元件的信號在傳輸過程中,在信號上升時間、下降時間以及信號電平上都有足夠裕量,能夠保證數(shù)據(jù)正常傳輸不受影響。

覆蓋較寬頻率范圍的低插入損耗和穩(wěn)定的電容,也對實現(xiàn)保護充分、節(jié)省成本和信號衰減最小這一最終目標具有重要影響。插入損耗是衡量信號衰減-頻率關系的一個重要指標。插入損耗過高會降低設備和系統(tǒng)帶寬,對滿足眼圖電平帶來額外的設計約束。

ESD保護器件的電容與頻率特性也可能影響高速端口的設計性能,從而增加設計約束。在高速系統(tǒng)中,針對某特定電容而設計的電路可能因采用的ESD保護方法不同而表現(xiàn)不同,這就迫使設計人員在構思HDMI電路保護機制時不得不使用復雜的軟件過程改進與能力測定(SPICE)模型和仿真手段。圖3,圖4展示了泰科電子兩種用于高速數(shù)據(jù)傳輸接口保護E的SD器件在高頻傳輸速率下的插入損耗。

圖3 泰科電子瑞侃PESD器件的插入損耗曲線

圖4 泰科電子瑞侃SESD器件的插入損耗曲線

泰科電子的PESD相對于其它的聚合物ESD保護器件,具有較低觸發(fā)電壓和箝位電壓、耐受ESD沖擊、壽命長等特點;SESD相對于聚合物PESD 元件,電容略高(0.6pF),但其觸發(fā)電壓與箝位電壓相對更低,對于極其敏感的IC具有更好的防護作用。泰科電子推出的這兩款產(chǎn)品可以完全覆蓋高速數(shù)據(jù)傳輸接口的保護,設計者可以根據(jù)保護等級、接口電路的工作頻率、元件尺寸、成本以及實現(xiàn)的便利性等進行選擇。這兩個系列的產(chǎn)品采用了電子工業(yè)中最為流行的 0603、0402以及目前最小的0201封裝,符合RoHS嚴格要求,能夠幫助機頂盒敏感電路、手提電腦、手機和其它便攜式設備免ESD侵害。

PPTC 過流保護

出于安全和調整考慮,HDMI、USB和DisplayPort規(guī)范也要求終端用戶可接觸的供電連接器實現(xiàn)過流保護。過流保護器件必須可以復位而無須用戶機械干預,為防止誤動作,其預設動作極限必須高于允許的瞬變電流,同時要求保護元件的常態(tài)電阻足夠低,以免造成太多的壓降。聚合正溫度系數(shù)(PPTC)器件在各種高速接口應用中的效果已經(jīng)得到證明。與傳統(tǒng)熔斷器一樣,當電流超過規(guī)定極限電流時它們將限制回路電流。但是,與熔斷器不同的是,PPTC可以在故障清除、電源重新上電后復位。PPTC器件具有電阻低、動作時間快和外形尺寸小的特點,使其成為許多供電總線架構中過流保護的首選方法。

不同于HDMI和DisplayPort,USB接口通常用來為便攜電子產(chǎn)品提供電源、充電等功能。因此,對于采用USB接口供電或充電的下游設備,會受到感應式電壓尖峰,錯誤充電器,反向偏壓導致的危害。泰科電子的polyZen元件是聚合物保護的精密齊納二極管微型集成模塊,由一個穩(wěn)定的箝位電壓精準的齊納二極管和一個非線性聚合物PTC(正溫度系數(shù))組合而成,PTC通過由低阻態(tài)向高阻態(tài)轉換,從而對二極管過熱或過電流故障作出響應。PolyZen元件具有可復位式防止大功率故障事件的特點,同時只有0.7W功耗。二極管過熱或過電流發(fā)生時,PTC“動作”從而限制電流并產(chǎn)生壓降,幫助保護齊納二極管及其后面的電子設備,從而有效提高該二極管的功率處理能力。

圖 5、圖6和圖7展示了采用泰科電子ESD器件、MLV器件,PolySwitch過流保護器件,PolyZen過流過壓保護器件設計的HDMI1.3、 USB3.0和Display port接口保護電路示意圖。

圖5 典型HDMI接口電路保護方案設計-ESD與過流保護

圖6 典型DisplayPort接口電路保護方案設計-ESD與過流保護

圖7 典型USB3.0 電路保護方案設計-ESD,過流越過壓保護

責任編輯:gt

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