SGT-MOS結(jié)構(gòu)
屏蔽柵側(cè)壁氧化層厚度:0.7um
屏蔽柵底部氧化層厚度:0.5um
屏蔽柵隔離氧化層厚度:0.3um
屏蔽柵寬度:0.4um
屏蔽柵縱向長度:3.4um
(2)SGTMOS轉(zhuǎn)移特性
SGT(split-gate-trench,分裂柵極溝槽)結(jié)構(gòu)因其具有電荷耦合效應(yīng),在傳統(tǒng)溝槽mosfet垂直耗盡(p-body/n-epi結(jié))基礎(chǔ)上引入了水平耗盡,將器件電場由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植?。在采用同樣摻雜濃度的外延規(guī)格情況下,器件可以獲得更高的擊穿電壓,該結(jié)構(gòu)在中低壓功率器件領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。
MOS器件第一個(gè)深溝槽(Deep Trench)作為“體內(nèi)場板”在反向電壓下平衡漂移區(qū)電荷,這樣可以降低漂移區(qū)的電阻率,從而降低器件的比導(dǎo)通電阻(RSP)和柵極電荷(Qg)。
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