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采用雪崩管級聯(lián)實現(xiàn)UWB脈沖產(chǎn)生電路的設(shè)計

電子設(shè)計 ? 來源:電子技術(shù)應(yīng)用 ? 作者:劉詠華,鄭繼禹,仇 ? 2021-05-22 11:12 ? 次閱讀

作者:劉詠華 , 鄭繼禹 , 仇紅冰

目前,UWB技術(shù)已經(jīng)成為國際無線通信技術(shù)研究的新熱點,日益受到重視和關(guān)注?2002年2月14日,美國FCC(聯(lián)邦通信委員會)首次批準(zhǔn)了UWB產(chǎn)品的民用銷售和使用? UWB即超寬帶,它是一種利用納秒級極窄脈沖發(fā)送信息的技術(shù),其信號相對帶寬即信號帶寬與中心頻率之比大于25%?一個典型的中心頻率為2GHz(即寬度為500ps)的UWB脈沖信號的時域波形及其頻譜圖分別如圖1所示?

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一般通信技術(shù)都是把信號從基帶調(diào)制到載波上,而UWB則是通過對具有很陡上升和下降時間的沖激脈沖進行直接調(diào)制?從而具有GHz量級的帶寬?UWB具有發(fā)射信號功率譜密度低(數(shù)十mW范圍)?難以截獲?抗多徑?低成本?極好的穿透障礙物能力等優(yōu)點,尤其適用于室內(nèi)等密集多徑場所的高速無線接入和通信?雷達?定位?汽車防撞?液面感應(yīng)和高度測量應(yīng)用?

UWB信息調(diào)制方式需結(jié)合UWB傳播特性和脈沖產(chǎn)生方法綜合考慮,通??刹捎妹}沖位置調(diào)制(Pulse Position Modulation)和正反極性調(diào)制(Antipodal Modulation),這里采用PPM調(diào)制?

從本質(zhì)上看,UWB無線技術(shù)是發(fā)射和接收超短電磁能量脈沖的技術(shù),它采用極窄脈沖直接激勵天線?因此,極窄脈沖的產(chǎn)生就顯得尤為重要?目前,UWB極窄脈沖的產(chǎn)生方法主要通過雪崩三極管?隧道二極管或階躍恢復(fù)二極管實現(xiàn)?其中隧道二極管和階躍恢復(fù)二極管所產(chǎn)生的脈沖,上升時間可以達幾十至幾百皮秒,但其幅度較小,一般為毫伏級?采用了利用雪崩三極管的雪崩效應(yīng)的方案,同時采用雪崩三極管級聯(lián)結(jié)構(gòu)來產(chǎn)生極窄脈沖,最后得到輸出脈沖上升時間約為863ps,幅度約為1.2V?

1 雪崩效應(yīng)理論

當(dāng)NPN型晶體管的集電極電壓很高時,收集結(jié)空間電荷區(qū)內(nèi)的電場強度比放大低壓運用時大得多?進入收集結(jié)的載流子被強電場加速,從而獲得很大能量,它們與晶格碰撞時產(chǎn)生了新的電子-空穴對,新產(chǎn)生的電子?空穴又分別被強電場加速而重復(fù)上述過程?于是流過收集結(jié)的電流?quot;雪崩“式迅速增長,這就是晶體管的雪崩倍增效應(yīng)?

晶體管在雪崩區(qū)的運用具有如下主要特點:

(1)電流增益增大到正常運用時的M倍,其中M為雪崩倍增因子?

(2)由于雪崩運用時集電結(jié)加有很高的反向電壓,集電結(jié)空間電荷區(qū)向基區(qū)一側(cè)的擴展使有效基區(qū)寬度大為縮小,因而少數(shù)載流子通過基區(qū)的渡越時間大為縮短?換言之,晶體管的有效截止頻率大為提高?

(3)在雪崩區(qū)內(nèi),與某一給定電壓值對應(yīng)的電流不是單值的?并且隨電壓增加可以出現(xiàn)電流減小的現(xiàn)象?也就是說,雪崩運用時晶體管集電極-發(fā)射極之間呈負(fù)阻特性? (4)改變雪崩電容與負(fù)載電阻,所對應(yīng)的輸出幅度是不同的?換言之,輸出脈沖與雪崩電容和負(fù)載電阻有關(guān)?

下面對雪崩管的動態(tài)過程進行分析?在雪崩管的動態(tài)過程中,工作點的移動相當(dāng)復(fù)雜?現(xiàn)結(jié)合原理圖所示電路(圖4)進行分析(這里主要分析雪崩管Q1的工作過程,其余類同)?

在電路中近似地將雪崩管靜態(tài)負(fù)載電阻認(rèn)為是Rc,當(dāng)基極未觸發(fā)時,基極處于反偏,雪崩管截止?根據(jù)電路可列出雪崩管過程的方程為:

pIYBAGCod5KAarsuAAAGTzB57rI815.png

式中:i為通過雪崩管的總電流,ic為通過靜態(tài)負(fù)載Rc的電流,ia為雪崩電流,uc(0)為電容C初始電壓,R為動態(tài)負(fù)載電阻,C為雪崩電容,tA為雪崩時間?Vce為雪崩管Q1集-射級電壓,Vcc為電路直流偏置電壓?

從(1)式可求解出雪崩過程動態(tài)負(fù)載線方程式為:

pIYBAGCod4qAQhRMAAAFsc_8Ax0577.png

在具體的雪崩管電路中,Rc為幾千歐(本實驗中取為6.8kΩ),而R則為幾十歐(本實驗中取為51Ω),因此Rc》》R?雪崩時雪崩電流ia比靜態(tài)電流ic大得多,即ia》》ic,所以i≈ia?于是(2)式可簡化為?

pIYBAGCod4KAT10EAAAEFQD8QPo295.png

因為0~tA這段雪崩時間很短,因此可以略去,即得

o4YBAGCod3mAFxJSAAAEF2KlYgM253.png

式(3)和式(4)表明雪崩狀態(tài)下,動態(tài)負(fù)載線是可變的?

雪崩管在雪崩區(qū)形成負(fù)阻特性,負(fù)阻區(qū)處于BVCEO與BVCBO之間,當(dāng)電流再繼續(xù)加大時,則會出現(xiàn)二次擊穿現(xiàn)象,如圖2所示?

pIYBAGCod2-ALvtpAAALtvqUfyo106.png

圖2中,電阻負(fù)載線I貫穿了兩個負(fù)阻區(qū)?若加以適當(dāng)?shù)耐苿?,工作點a會通過負(fù)阻區(qū)交點b到達c,由于雪崩管的推動能力相當(dāng)強,c點通常不能被封鎖,因而通過第二負(fù)阻區(qū)交點d而推向e點?工作點從a到e一共經(jīng)過兩個負(fù)阻區(qū),即電壓或電流信號經(jīng)過兩次正反饋的加速?因此,所獲得的信號其電壓或電流的幅度相當(dāng)大,其速度也相當(dāng)快?

當(dāng)負(fù)載線很陡時,如圖2中負(fù)載線II所示,它沒有與二次擊穿曲線相交而直接推到飽和區(qū),這時就不會獲得二次負(fù)阻區(qū)的加速?

本文介紹的超寬帶UWB極窄脈沖發(fā)生器即是利用雪崩管的二次負(fù)阻區(qū)加速作用,來達到產(chǎn)生極窄脈沖的目的?

2 UWB脈沖產(chǎn)生電路及分析

2.1 電路原理

UWB發(fā)射機系統(tǒng)的簡化框圖如圖3所示,系統(tǒng)的信息調(diào)制采用PPM調(diào)制?本文主要討論UWB脈沖產(chǎn)生電路的設(shè)計,電路原理圖如圖4所示?

2.2 電路分析

當(dāng)觸發(fā)脈沖尚未到達時,雪崩管截止,電容C2?C4在Vcc的作用下分別通過電阻R1?R和R2?R3充電?電容C通過Rc充電(充電后其電壓近似等于電源電壓Vcc)?當(dāng)一個足夠大的觸發(fā)脈沖到來后,使晶體管工作點運動到不穩(wěn)定的雪崩負(fù)阻區(qū),Q1雪崩擊穿,產(chǎn)生快速增大的雪崩電流,導(dǎo)致電容C經(jīng)由晶體管Q1快速放電,從而在負(fù)載電阻R上形成一個窄脈沖?由于雪崩電流很大,因此獲得的窄脈沖有較高的峰值;又由于電容C儲存的電荷很有限(一般電容量只有幾皮法至幾百皮法),因此脈沖寬度也有限?也就是說,當(dāng)開始雪崩以后,由于晶體管本身以及電路分布參數(shù)的影響,使得雪崩電流即電容C的放電電流只能逐漸增大;而到達某一峰值后,又由于電容C上電荷的減少使得放電電流逐漸減小?前者形成了脈沖的前沿,而后者則形成了脈沖的后沿? Q1雪崩擊穿后,電容C放電注入負(fù)載R?這個電壓經(jīng)過電容C2,導(dǎo)致Q2過壓并且雪崩擊穿?同理Q3也依次快速雪崩擊穿?由于雪崩過程極為迅速,因此這種依次雪崩的過程還是相當(dāng)快的,從宏觀上可以把它看作是同時觸發(fā)的?因此,在負(fù)載上就可以得到一個上升時間非常短的UWB極窄脈沖?

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2.3 元件參數(shù)選擇

雪崩晶體管電路中應(yīng)選擇的電路參數(shù)主要為雪崩晶體管Vcc?C?RC及加速電容等?

①雪崩晶體管:雪崩晶體管的選擇依據(jù)主要是雪崩管的輸出振幅及邊沿應(yīng)滿足要求?

②偏置電壓Vcc:必須適當(dāng)選擇偏置電壓Vcc,使雪崩晶體管能夠發(fā)生雪崩效應(yīng),同時還應(yīng)當(dāng)滿足Vcc≤BVcbo?

③雪崩電容:雪崩電容C不應(yīng)選擇太大,C太大,輸出脈沖寬度加寬,電路恢復(fù)期太長;但也不能太小,C太小,輸出脈沖振幅減小,而且影響電容分布?通常取為幾皮法到幾十皮法?一般應(yīng)選用瓷片電容或云母電容?

在一定范圍內(nèi),電容C值越小,脈沖寬度也越小,但幅度也會變得越小?這個結(jié)果由仿真和實驗均得到驗證如表1所示?

o4YBAGCod1-AAkhNAAASpg2yVfQ052.png

當(dāng)電容C值小于3皮法時,由于其他寄生參數(shù)的影響,寬度的減小已不明顯?

④集電極電阻RC:集電極電阻RC應(yīng)保證雪崩電路能夠在靜止期內(nèi)恢復(fù)完畢,即(3~5)(RC+RL)C≤TS,式中TS為觸發(fā)脈沖重復(fù)周期?

通常RC選為幾千歐姆到幾十千歐姆?若取RC=5kΩ?C=50pF,則TS≈1μs即觸發(fā)脈沖重復(fù)頻率應(yīng)小于1MHz?若取RC=50kΩ,則TS≈10μs,觸發(fā)脈沖重復(fù)頻率應(yīng)小于100kHz?RC不能選得太小,否則雪崩晶體管可能長時間處于導(dǎo)通狀態(tài),導(dǎo)致溫度過高而燒壞? ⑤加速電容:電路中C3?C5為加速電容,它們的主要作用是幫助加速基帶脈沖,減少脈沖的延遲時間和上升時間?

另外,電路還采用了雪崩管級聯(lián)的設(shè)計,原理上可以看作是一個Marx發(fā)生器?這樣可以增加所產(chǎn)生脈沖的幅度,同時還可以使脈沖的寬度變得更窄?首先,通過雪崩管的級聯(lián),使加在各級雪崩管集電極的電壓遞增(每級的增量約為Vcc)?而集電極電壓的增大可以使雪崩管的導(dǎo)通內(nèi)阻減小,從而縮短脈沖的上升時間tr?其次,基極注入電流Ib會隨之增大,tr也將減小?另外,雪崩管的級聯(lián)結(jié)構(gòu)還可以相當(dāng)于對各級的輸出脈沖進行了乘積,這樣也會使脈沖的上升時間tr得到進一步的減小?這里關(guān)鍵是解決好雪崩管觸發(fā)的同時性問題?由于脈沖很窄,這一點就尤為突出?如果雪崩管不能很好地同時觸發(fā),反而會增加輸出脈沖的寬度?為了獲得同時觸發(fā),就必須要盡量選用觸發(fā)參數(shù)相同的雪崩管?如果有的雪崩管觸發(fā)參數(shù)不同,則需要調(diào)整電路中的元件參數(shù),使其同時觸發(fā)?實驗中A?B?C各點輸出脈沖的寬度分別為:2.43ns?1.76ns?1.22ns;上升時間分別為1.2ns?1.12ns?863ps?與理論分析所得結(jié)論相符?

2.4 實驗結(jié)果

實驗中采用兩級級聯(lián)結(jié)構(gòu),最后得到輸出脈沖波形,如圖5所示?

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從圖5中可以看到輸出脈沖的幅度約為1.2V,寬度約為1.22ns(半寬度),上升時間約為863ps?采用的雪崩三極管為3DB2B3DB2B型(tr≤2ns)?觸發(fā)脈沖的周期為1μs,占空比為50%?該波形是用Agilent公司的Infiniium 600MHz示波器測得的?

采用雪崩管級聯(lián)的方法,成功地完成了一種超寬帶(UWB)脈沖產(chǎn)生電路的設(shè)計,最后得到的輸出脈沖其寬度和上升時間均較好地符合了要求?今后的工作將致力于提高輸出脈沖的幅度,進一步減小脈沖的寬度和上升時間?

責(zé)任編輯:gt

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