淺談Flyback電源EE型與EI型磁芯在EMC方面的那點小細節(jié)

Flyback電源EE型與EI型磁芯在EMC方面的那點小細節(jié)

這個問題說簡單也簡單，說不簡單它也比較考驗一個工程師的基礎扎實不扎實。這里面有些技術(shù)細節(jié)還是比較容易被忽視的。

這里我們不必牽扯到太多的磁芯材質(zhì)本身及制造上的問題，關(guān)鍵看應用上的細節(jié)區(qū)別，畢竟我們是應用工程。

可能會有些網(wǎng)友認為只要兩者的材質(zhì)，體積等參數(shù)一樣，處理功率能力一樣應該是可以互換的使用的。但是，實際上不是這樣的，兩者的機構(gòu)決定了其在EMC方面的表現(xiàn)是不一樣的。

我們先來看一下EE型磁芯的反激變壓器結(jié)構(gòu)（為節(jié)省時間，就用畫圖隨手涂鴉一下，將就著看吧）：

眾所周知，F(xiàn)lyback拓撲變壓器是需要在中柱開氣隙的，如上圖所示。磁芯開氣隙后，顯然邊緣漏磁通會增大，假設磁通如黃色所示。搞過EMC的應該都知道漏磁通的威力，此處不必多言。

然而，EE型磁芯有天生的優(yōu)勢，因為其氣隙在中柱中間，氣隙外層有厚厚的繞組屏蔽。由于繞組自身的屏蔽作用，漏磁通輻射到外部空間的可能大大降低。

下面我們看一下EI磁芯的結(jié)構(gòu)：

如上圖可知，EI磁芯的氣隙要加載E片和I片的接觸位置，即氣隙位于邊緣處。這樣一來，繞組本身所起的屏蔽作用就大打折扣，甚至無能為力。

從兩張圖來看，這兩種結(jié)構(gòu)在EMC方面的表現(xiàn)就不言而喻了吧。

因此，本人設計電源時都避免選用氣隙會開在邊緣處的磁芯型號。

編輯：jq