UFS和NVME協(xié)議有什么不同？

電腦上的硬盤等同于手機(jī)上的閃存，本質(zhì)上都是一種存儲(chǔ)介質(zhì)，只不過日常的稱呼有點(diǎn)區(qū)別。電腦硬盤分為固態(tài)硬盤和機(jī)械硬盤，而手機(jī)上的閃存也有速度快慢之分。手機(jī)上安裝App的數(shù)據(jù)和緩存都會(huì)保存在ROM里，ROM速度越快，App加載和運(yùn)行的速度自然也就越快。第一款商業(yè)性閃存是由Intel推出的NOR Flash芯片，后來東芝發(fā)布了NAND Flash。NAND Flash具有較快的讀寫速度，每個(gè)存儲(chǔ)單元的面積也較小，逐漸占據(jù)了存儲(chǔ)市場(chǎng)的主流，如今廣泛用于PC上的SSD和手機(jī)的ROM以及U盤、內(nèi)存卡等，本質(zhì)上都是NAND閃存。閃存采用多種協(xié)議規(guī)范，目前手機(jī)上較常見的是UFS和NVME協(xié)議。

關(guān)于閃存

手機(jī)上經(jīng)常提到的ROM，指的就是閃存（Flash Memory），手機(jī)上的文件、安裝的App數(shù)據(jù)和緩存都會(huì)保存到ROM也就是閃存里，手機(jī)閃存一般都集成到主板上不可以隨意更換，目前主流電腦上的硬盤還是可以更換，但是未來會(huì)趨向更高的集成度。

閃存Flash目前主要分為兩種規(guī)格：NOR Flash和NAND Flash，兩者均為非易失性閃存模塊。1988年，Intel發(fā)布NOR flash技術(shù)取代了原來的EPROM和EEPROM。EPRROM發(fā)明時(shí)間很早，也有很多的缺點(diǎn)，英特爾1978年發(fā)明了電可擦除的升級(jí)版叫做EEPROM。雖然較前更簡(jiǎn)單易用，可是讀取和擦除速度仍非常緩慢。NOR類似于DRAM, 以存儲(chǔ)程序代碼為主，可以讓微處理器直接讀取。雖然讀取速度較快，但擦除速度遠(yuǎn)比NAND慢許多，晶片容量也較低，目前應(yīng)用較少。

1989年，東芝公司發(fā)表NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。因?yàn)镹AND flash的晶片容量相對(duì)于NOR大，更像硬盤，寫入與清除資料的速度遠(yuǎn)快于NOR，所以當(dāng)時(shí)多應(yīng)用在小型機(jī)以儲(chǔ)存資料為主。目前已廣泛應(yīng)用在各種存儲(chǔ)設(shè)備上,如手機(jī)、內(nèi)存卡、U盤等，可存儲(chǔ)文件和資料。

閃存顆粒目前可以分為SLC、MLC、TLC、QLC，隨著閃存容量越大也會(huì)不斷發(fā)展，SLC是壽命最長(zhǎng)、穩(wěn)定性各方面是最好的，但是容量難以做大，成本貴。目前大容量很少使用，MLC還是比較多，主流的是TLC。

閃存協(xié)議，我們買手機(jī)特別看重的參數(shù)就是CPU、運(yùn)行內(nèi)存，CPU好比大腦，代表處理速度，而運(yùn)存越大，可以同時(shí)后臺(tái)運(yùn)行的軟件就越多，打開多個(gè)軟件仍流暢。但是手機(jī)上的閃存也非常重要，也是影響體驗(yàn)的關(guān)鍵因素，閃存越大代表可以安裝更多軟件和存儲(chǔ)更多的文件，閃存速度快，也可體現(xiàn)在開機(jī)和打開應(yīng)用上，速度越快加載數(shù)據(jù)就快。目前手機(jī)上的閃存最大是1TB，但主流還是128GB和256GB，閃存除了看容量大小，還要看制式即速度大小，比如NVME、UFS3.1、UFS3.0、UFS2.1、UFS2.0、eMMC5.1、eMMC5.0，SFS1.0等。

關(guān)于UFS

UFS的全稱為Universal Flash Storage，即“通用閃存存儲(chǔ)”，目前主要應(yīng)用于安卓手機(jī)、電腦、數(shù)碼相機(jī)等電子產(chǎn)品。UFS目前沒有定義自己的命令，使用的是簡(jiǎn)化后的SCSI規(guī)范協(xié)議。它的作用很簡(jiǎn)單，就是提供數(shù)據(jù)傳輸速度和穩(wěn)定性。

常見的包括UFS3.1、UFS3.0、UFS2.1、UFS2.0等。UFS支持全雙工運(yùn)行，可以同時(shí)讀和寫的操作。UFS因?yàn)槭亲x寫雙向同時(shí)運(yùn)行所以效率更高，用時(shí)更短。UFS均支持指令隊(duì)列，但在EMMC5.0及之前的閃存是不支持指令隊(duì)列的，表示EMMC需要等上一個(gè)命令執(zhí)行完成才能提交下一個(gè)命令，雖然EMMC 5.1加入了對(duì)指令隊(duì)列的支持，但是速度是不如UFS的，目前EMMC基本被淘汰，在一些低端機(jī)還能見到。

關(guān)于NVME

NVME的全稱為Non-Volatile Memory Express，即“非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范”，簡(jiǎn)單來說也是一種規(guī)范協(xié)議，NVME是運(yùn)行在某種接口上的通信協(xié)議，用于規(guī)范計(jì)算機(jī)與存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)傳輸。這種協(xié)議的閃存電腦上用得比較多電腦通常是M.2接口的，iPhone手機(jī)也采用這種協(xié)議。

這種協(xié)議通用性比較好，為何只有蘋果手機(jī)使用？安卓廠商為了減少成本，減少不必要的定制而采用現(xiàn)有資源整合，匹配處理器，優(yōu)化起來較容易，而蘋果公司供應(yīng)鏈整合能力強(qiáng)，可以定制到更合適的閃存，但成本也比較貴。

首先是安卓手機(jī)商為了方便整合、減少成本，蘋果可以說是手機(jī)商里面整合能力最強(qiáng)的，可以讓供應(yīng)商根據(jù)自己的需求做差異化定制，而其他手機(jī)商只能通過選擇不同供應(yīng)商做差異化；其次就是UFS和NVME本質(zhì)上速度是差不多的，UFS已經(jīng)成為安卓主流，更容易進(jìn)行優(yōu)化。但目前的UFS和NVME速度上其實(shí)差距不是很大。UFS和NVME僅代表一種協(xié)議而已，不能完全代表其性能，就如同M.2接口的固態(tài)硬盤相同的協(xié)議，性能一樣有快有慢。但蘋果手機(jī)使用的NVMe是發(fā)展?jié)摿κ潜容^大。

iPhone11連續(xù)讀寫測(cè)試：讀1680mb/s 寫577mb/s

華為SFS

目前華為的mate40系列和榮耀30Pro等采用的是SFS1.0，但是官方?jīng)]有公布相關(guān)的技術(shù)參數(shù)，具體情況上不清楚，單純的看測(cè)試速度是比UFS3.1更快，而且寫入速度比UFS拉開較大差距。
責(zé)任編輯：lq6