ACPL-P349/W349評(píng)估板特性 IGBT或SiC/GaN MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器配置分析

本手冊(cè)概述了 ACPL-P349/W349 評(píng)估板的特性以及評(píng)估隔離式 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器所需的配置。需要目視檢查以確保收到的評(píng)估板處于良好狀態(tài)。

Q1 和 Q2 未安裝。IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 可以安裝在 Q1（對(duì)于 TO-220 封裝）或 Q2（對(duì)于 TO-247 封裝）或通過(guò)短線連接從 Q1 或 Q2 提供的孔連接到驅(qū)動(dòng)器板

D4 和 R7 未安裝（在焊接側(cè)）。提供 D4 處的 15V 齊納封裝，以允許在需要時(shí)跨 Vcc2 和 Vee 施加 15V~30V 的單個(gè)直流電源。然后可以生成虛擬接地 Ve（在 Q1 或 Q2 的源極引腳），它充當(dāng)每個(gè) SiC/GaN MOSFET 源極引腳（或每個(gè) IGBT 的發(fā)射極引腳）的參考點(diǎn)。然后 Vcc2 將保持在比虛擬地 Ve 高 15V 的位置。需要 R7 來(lái)生成 D4 上的偏置電流

S2 和 S3 跳線默認(rèn)短路以將 Ve 連接到 Vee，假設(shè)不需要負(fù)電源。注意：如果需要負(fù)電源，則需要移除 S2 和 S3 跳線

自舉二極管 D3b 和電阻器 R6 默認(rèn)連接。假設(shè) Vcc2a 電源可用，提供這 2 個(gè)組件以幫助通過(guò)自舉生成 Vcc2b 電源。注意：自舉電源僅在 Q1 或 Q2 安裝在半橋配置中并通過(guò)適當(dāng)?shù)?PWM 驅(qū)動(dòng)信號(hào)打開和??關(guān)閉時(shí)才起作用

當(dāng) Vcc1 供電時(shí)，S1 默認(rèn)短路以將 IN-（或 LED-，LED 的陰極）引腳接地。如果 IN- 不能接地，可以消除此短路

逆變器的上下臂將具有公共Vcc1（&Gnd1），允許Vcc1通過(guò)焊料連接在逆變器PCB的上下部分（和焊料側(cè)的Gnd1）之間；

還規(guī)定允許通過(guò) IC2 上的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器從 Vcc1 生成 Vcc2（和 Vee）。使用此 DC/DC 轉(zhuǎn)換器時(shí)，應(yīng)斷開 S2、S3 （& R6）

ACPL-P349/W349 評(píng)估板顯示默認(rèn)連接

執(zhí)行檢查后，評(píng)估板可用于在仿真模式下測(cè)試頂部和底部半橋逆變器臂之一，而無(wú)需 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET。要執(zhí)行測(cè)試，只需遵循下面概述的五個(gè)步驟（參見圖 2）。

測(cè)試半橋逆變器驅(qū)動(dòng)器的雙臂（無(wú) IGBT 或 SiC/GaN MOSFET）

評(píng)估板模擬測(cè)試設(shè)置

• 在 Q1 或 Q2 的柵極和發(fā)射極/集電極端子之間焊接一個(gè) 10nF 電容器（以模擬 IGBT 或 SiC/GaN MOSFET 的實(shí)際柵極電容）
• 在 CON1 的 +5V 和 GND 端子之間連接一個(gè) +5V 直流電源（直流電源 1）
• 分別在 IC2a 的 Vcc2（IC2 的第 7 腳）和 Vee（IC2 的第 5 腳）端子上連接另一個(gè)直流電源（電壓范圍為 15V~30V 的直流電源 2）。出于測(cè)試目的，這可以是非隔離的
• 連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)
• 使用多通道數(shù)字示波器捕獲以下點(diǎn)的波形