第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

2021年6月，富士經(jīng)濟(jì)對(duì)SiC（碳化硅）、Si（硅）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體的全球市場(chǎng)進(jìn)行了調(diào)查。功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 年將達(dá)到 40471 億日元，而 2020 年為 28043 億日元。

該調(diào)查針對(duì)使用SiC、GaN（氮化鎵）、Ga 2 O 3（氧化鎵）和 Si 功率半導(dǎo)體（例如 MOSFET 和 IGBT）的下一代功率半導(dǎo)體。我們還調(diào)查了與功率半導(dǎo)體相關(guān)的組件和制造設(shè)備市場(chǎng)。調(diào)查時(shí)間為2020年11月至2021年2月。

2020年，Si功率半導(dǎo)體將占功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的大部分，達(dá)27529億日元。Si功率半導(dǎo)體在中國(guó)市場(chǎng)擴(kuò)大，但在其他地區(qū)，汽車和工業(yè)設(shè)備的銷售額下降，與2019年相比下降了4.0%。從 2021 年開始，汽車和 5G（第 5 代移動(dòng)通信）相關(guān)產(chǎn)品的需求有望增加，預(yù)計(jì) 2030 年將達(dá)到 37，981 億日元。

預(yù)計(jì)到 2030 年，下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到 2490 億日元，而 2020 年為 514 億日元。雖然市場(chǎng)規(guī)模仍然較小，但預(yù)計(jì)2021年后年增長(zhǎng)率仍將接近20%。

Fuji Keizai將SiC 功率半導(dǎo)體、GaN 功率半導(dǎo)體和 Ga 2 O 3功率半導(dǎo)體列為未來功率半導(dǎo)體市場(chǎng)感興趣的產(chǎn)品。

SiC 功率半導(dǎo)體用于 SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）、SiC-FET 和 SiC 功率模塊。盡管 2020 年受到新型冠狀病毒感染的影響，但由于對(duì)信息和通信設(shè)備和太陽能發(fā)電的強(qiáng)勁需求，市場(chǎng)規(guī)模同比增長(zhǎng) 9.6% 至 493 億日元。未來，汽車、鐵路車輛、能源設(shè)備、工業(yè)設(shè)備等的采用將增加，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到1859億日元。

GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)到 2030 年為 166 億日元，而 2020 年為 22 億日元。數(shù)據(jù)中心和5G基站投資將繼續(xù)增加，信息通信設(shè)備領(lǐng)域有望保持堅(jiān)挺。預(yù)計(jì)在2022年后安裝在xEV等汽車上。

Ga 2 O 3功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)仍然很小，但預(yù)計(jì)到2021年開始量產(chǎn)時(shí)市場(chǎng)將達(dá)到2億日元。與SiC功率半導(dǎo)體和GaN功率半導(dǎo)體相比，具有高耐壓、低損耗等特點(diǎn)，可以降低成本。首先，它將用于消費(fèi)設(shè)備和其他耐壓為600V的應(yīng)用，預(yù)計(jì)2025年后將安裝在汽車上。2030年市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為465億日元。

此外，預(yù)計(jì)到 2030 年功率半導(dǎo)體相關(guān)組件市場(chǎng)為 3752 億日元，而 2020 年為 2068 億日元。2030年制造設(shè)備市場(chǎng)預(yù)計(jì)為3144億日元，2020年為1449億日元。中國(guó)和臺(tái)灣市場(chǎng)計(jì)劃大力資本投資，預(yù)計(jì)2021年后需求將主要在亞洲增長(zhǎng)。

第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)GaN功率元件今年產(chǎn)值可望大增9成

研調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce調(diào)查指出，受惠車用、工業(yè)與通訊需求挹注，今年第三代半導(dǎo)體成長(zhǎng)動(dòng)能可望高速回升，又以GaN功率元件成長(zhǎng)力道最明顯，預(yù)估其今年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)6100萬美元，年增幅高達(dá)90.6%。

2018 至2020 年，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)陸續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦、疫情等影響，整體市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)力不足。不過，TrendForce 預(yù)期，首先，疫苗問世后疫情有所趨緩，將帶動(dòng)工業(yè)能源轉(zhuǎn)換所需零組件如逆變器、變頻器等，及通訊基地臺(tái)需求回穩(wěn)；其次，隨著特斯拉Model 3 電動(dòng)車逆變器逐漸改采SiC 元件制程后，第三代半導(dǎo)體于車用市場(chǎng)逐漸備受重視。

第三，中國(guó)政府為提升半導(dǎo)體自主化，今年提出十四五計(jì)畫，投入巨額人民幣擴(kuò)大產(chǎn)能，三大因素都將成為推升今年GaN及SiC等第三代半導(dǎo)體高速成長(zhǎng)的動(dòng)能。

觀察各類第三代半導(dǎo)體元件，GaN元件目前雖有部分晶圓制造代工廠如臺(tái)積電、世界先進(jìn)等，嘗試導(dǎo)入8吋晶圓生產(chǎn)，但目前主力仍以6吋為主。

TrendForce預(yù)估，因疫情趨緩，所帶動(dòng)的5G基地臺(tái)射頻前端、手機(jī)充電器及車用能源傳輸?shù)刃枨笾鸩教嵘?，預(yù)期今年GaN通訊及功率元件營(yíng)收分別達(dá)6.8億和6100萬美元，年增30.8%及90.6%。

其中，GaN 功率元件成長(zhǎng)主要?jiǎng)幽軄碜允謾C(jī)品牌如小米、OPPO、Vivo 率先推出快充，筆電廠商也有意跟進(jìn)。TrendForce 預(yù)期，GaN 元件將持續(xù)滲透至手機(jī)與筆電配件，且年增率將在2022 年達(dá)到最高峰，后續(xù)隨著廠商采用逐漸普及，成長(zhǎng)動(dòng)能將略為趨緩。

SiC元件部分，由于通訊及功率領(lǐng)域皆需使用該基板，6吋晶圓供應(yīng)吃緊，預(yù)估今年SiC元件于功率領(lǐng)域營(yíng)收可達(dá)6.8億美元，年增32%。目前各大基板商如CREE、II-VI、意法半導(dǎo)體等已陸續(xù)開展8吋基板研制計(jì)畫，但仍有待2022年后，才有望逐漸紓緩供給困境。

編輯：jq